超低功耗双金属纳米球壳pn结阵列材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN117926197A

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202211258091.X

    申请日:2022-10-14

    Applicant: 台州学院

    Abstract: 本发明公开了一种超低功耗双金属纳米pn结阵列材料,包括带金属薄膜衬底、聚苯乙烯胶体晶体微球模板、Ag/Al(或Au/Al)球壳阵列膜,胶体微球模板位于金属薄膜之上,双金属球壳阵列覆盖于模板上。所述双金属阵列,Ag、Au为内壳层金属,Al为外壳层金属;所述金属薄膜衬底其材质与内壳层相同。本发明双金属阵列是具有电流单向导通的pn结阵列,通过改变底部金属薄膜厚度,可实现开启电压从1.0伏到0.01伏的调节;对于开启电压0.01伏样品,当工作电压为1伏时,每万亿个pn结功耗约为3瓦;工作电压为0.1伏时,每万亿个功耗约30毫瓦。本发明还公开了一种双金属pn结的制备方法。

    聚苯乙烯胶体球与铌膜复合异质结构超导材料及制备方法

    公开(公告)号:CN105990512B

    公开(公告)日:2018-07-03

    申请号:CN201610466968.2

    申请日:2016-06-24

    Abstract: 本发明公开了一种聚苯乙烯胶体球与铌膜复合异质结构超导材料,包括衬底、铌膜和聚苯乙烯胶体六角阵列膜,铌膜位于衬底之上,聚苯乙烯六角阵列膜覆盖于铌膜之上;聚苯乙烯六角阵列膜包括多个聚苯乙烯胶体微球,各聚苯乙烯胶体微球以单层紧密排列为六角状阵列。本发明还公开了所述超导材料的制备方法。本发明将聚苯乙烯胶体微球和铌超导薄膜材料构筑为异质结构纳米结构材料,通过改变胶体球和铌衬底的接触面积,调控超导转变的临界温度,从而提高铌薄膜的超导转变温度Tconset,材料制备工艺简单,所需的设备较少,大大降低超导材料的制备成本,有利于推广应用。

    Co球Nb膜异质结构超导材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN103915215B

    公开(公告)日:2016-01-20

    申请号:CN201410150217.0

    申请日:2014-04-16

    CPC classification number: Y02E40/64

    Abstract: 本发明公开了一种Co球Nb膜异质结构超导材料,包括衬底、Nb膜、Co空心球阵列膜,Nb膜位于衬底之上,Co空心球阵列膜覆盖于Nb膜之上;所述Co空心球阵列膜由多个Co空心球单层紧密排列为六角蜂巢形阵列。本发明将磁性Co材料和Nb超导薄膜材料构筑为异质结构纳米结构材料,通过外加磁场或电场能够调控超导的转变温度和临界电流密度,从而实现通过磁畴形态来调控Nb薄膜的超导性能。本发明还公开了一种Co球Nb 膜异质结构超导材料的制备方法。

    可见光区域二氧化硅双纳米空心球冠状结构增透膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN108957598B

    公开(公告)日:2020-04-07

    申请号:CN201810769087.7

    申请日:2018-07-13

    Inventor: 李志刚

    Abstract: 本发明公开了一种可见光区域二氧化硅双纳米空心球冠状结构增透膜,包括石英衬底和SiO2双纳米空心球冠状结构膜,所述SiO2双纳米空心球冠状结构膜附着于所述石英衬底表面;所述SiO2双纳米空心球冠状结构膜包括多个SiO2双纳米空心球冠状结构,多个所述SiO2双纳米空心球冠状结构紧密排列为规则的六方阵列;所述SiO2双纳米空心球冠状结构的其中一种纳米空心球冠状结构的直径为50‑60nm,另一种纳米空心球冠状结构的直径为200‑300nm;所述SiO2双纳米空心球冠状结构的厚度为20‑30nm。本发明可以在整个可见光380‑800nm波长范围内,实现光学透过率为98.7±0.15%,几乎是对所有的波长具有相同的透过率。

    硅纳米柱状阵列材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN106277822B

    公开(公告)日:2019-02-15

    申请号:CN201610604267.0

    申请日:2016-07-28

    Abstract: 本发明公开了一种硅纳米柱状阵列材料,包括衬底和硅纳米柱状阵列膜,所述硅柱状阵列膜覆盖于所述衬底上;所述硅纳米柱状阵列膜包括多个硅纳米柱,各所述硅纳米柱紧密排列成蜂窝状六角阵列;各所述硅纳米柱的直径为50 nm~500 nm,硅纳米柱的高度为10 nm~150 nm。本发明还公开了所述硅纳米柱状阵列材料的制备方法。本发明基于胶体晶体模板,合成各种尺寸可控的硅纳米柱状阵列,该柱状阵列不仅具有良好的光吸收性能,而且其光吸收峰位和硅纳米柱尺寸具有良好的尺寸相关性。本发明所制备的硅纳米柱状阵列材料成本低、适用面广、制备简便、易于推广,使其在防反射、光敏器件、能源器件等方面具有重要的应用前景。

    NiO纳米结构阵列材料、制备方法、电致变色器件

    公开(公告)号:CN106842757A

    公开(公告)日:2017-06-13

    申请号:CN201710217430.2

    申请日:2017-04-05

    Applicant: 台州学院

    CPC classification number: G02F1/15

    Abstract: 本发明涉及材料技术领域,尤其涉及一种NiO纳米结构阵列材料、制备方法、电致变色器件,该材料包括衬底和设置在衬底上的NiO层,所述NiO层为形貌均一、六角堆积排列的球壳状纳米结构阵列。制备方法包括清洗衬底;在衬底制备聚苯乙烯单层薄膜,用衬底捞起薄膜后热处理,再置于磁控溅射仪中,进行溅射镀膜;加热,去除模板。使用上述材料或制备方法制备的电致变色器件。本发明形貌均一,周期性排列的球壳状NiO纳米结构阵列,球壳的纳米单元尺寸可通过微球的尺寸、溅射功率、溅射时间等参数来调控,这种周期性的空心纳米结构阵列不仅具有巨大的比表面积,也为离子在材料中的脱嵌提供了便利,可解决材料电致变色的响应速度慢的问题。

    聚苯乙烯胶体球与铌膜复合异质结构超导材料及制备方法

    公开(公告)号:CN105990512A

    公开(公告)日:2016-10-05

    申请号:CN201610466968.2

    申请日:2016-06-24

    CPC classification number: H01L39/12 B82Y30/00

    Abstract: 本发明公开了一种聚苯乙烯胶体球与铌膜复合异质结构超导材料,包括衬底、铌膜和聚苯乙烯胶体六角阵列膜,铌膜位于衬底之上,聚苯乙烯六角阵列膜覆盖于铌膜之上;聚苯乙烯六角阵列膜包括多个聚苯乙烯胶体微球,各聚苯乙烯胶体微球以单层紧密排列为六角状阵列。本发明还公开了所述超导材料的制备方法。本发明将聚苯乙烯胶体微球和铌超导薄膜材料构筑为异质结构纳米结构材料,通过改变胶体球和铌衬底的接触面积,调控超导转变的临界温度,从而提高铌薄膜的超导转变温度Tconset,材料制备工艺简单,所需的设备较少,大大降低超导材料的制备成本,有利于推广应用。

    强磁性TiO2半导体材料、制备方法、自旋电子器件

    公开(公告)号:CN105590838A

    公开(公告)日:2016-05-18

    申请号:CN201510984282.8

    申请日:2015-12-25

    CPC classification number: H01L21/02104 H01L21/02 H01L29/82

    Abstract: 本发明涉及材料领域,尤其涉及一种强磁性TiO2半导体材料,包括衬底和设置在衬底上的TiO2层;所述TiO2层为形貌均一、六角堆积的蜂窝状纳米结构阵列;所述TiO2层的纳米颗粒大小3~5nm。该材料制备方法包括:清洗衬底;在硅衬底形成单层胶体晶体模板;浸泡在前驱体溶液中;取出后浸入二氯甲烷中,溶解掉聚苯乙烯模板,形成蜂窝状结构的TiO2纳米阵列材料。本发明以单层胶体晶体为模板,结合溶液浸渍法成功制备出形貌均一,周期性排列的蜂窝状TiO2纳米结构阵列,该材料在室温下显现出较强的铁磁性。本发明可促进TiO2稀磁半导体材料在新型自旋电子器件领域的应用。

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