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公开(公告)号：CN103769577B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201410011134.3
申请日：2014-01-10
Abstract: 本发明公开了一种可磁场调控宽紫外光吸收性能的FeGa空心球纳米阵列材料，包括衬底、FeGa空心球阵列膜，FeGa空心球阵列膜覆盖于衬底上；所述FeGa空心球阵列膜由多个FeGa空心球单层紧密排列为蜂巢形阵列；所述FeGa空心球的直径为500～1000nm，壁厚为20～120nm。本发明将FeGa材料做成金属光子晶体，可通过外加磁场，利用FeGa良好的磁滞伸缩性能来调控材料的形态结构，能够实现进一步调控材料的光学方面性能。本发明还公开了一种FeGa空心球纳米阵列材料的制备方法。
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公开(公告)号：CN108957598A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810769087.7
申请日：2018-07-13
Inventor： 李志刚
IPC: G02B1/113
Abstract: 本发明公开了一种可见光区域二氧化硅双纳米空心球冠状结构增透膜，包括石英衬底和SiO2双纳米空心球冠状结构膜，所述SiO2双纳米空心球冠状结构膜附着于所述石英衬底表面；所述SiO2双纳米空心球冠状结构膜包括多个SiO2双纳米空心球冠状结构，多个所述SiO2双纳米空心球冠状结构紧密排列为规则的六方阵列；所述SiO2双纳米空心球冠状结构的其中一种纳米空心球冠状结构的直径为50‑60nm，另一种纳米空心球冠状结构的直径为200‑300nm；所述SiO2双纳米空心球冠状结构的厚度为20‑30nm。本发明可以在整个可见光380‑800nm波长范围内，实现光学透过率为98.7±0.15％，几乎是对所有的波长具有相同的透过率。
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公开(公告)号：CN108957598B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201810769087.7
申请日：2018-07-13
Inventor： 李志刚
IPC: G02B1/113
Abstract: 本发明公开了一种可见光区域二氧化硅双纳米空心球冠状结构增透膜，包括石英衬底和SiO2双纳米空心球冠状结构膜，所述SiO2双纳米空心球冠状结构膜附着于所述石英衬底表面；所述SiO2双纳米空心球冠状结构膜包括多个SiO2双纳米空心球冠状结构，多个所述SiO2双纳米空心球冠状结构紧密排列为规则的六方阵列；所述SiO2双纳米空心球冠状结构的其中一种纳米空心球冠状结构的直径为50‑60nm，另一种纳米空心球冠状结构的直径为200‑300nm；所述SiO2双纳米空心球冠状结构的厚度为20‑30nm。本发明可以在整个可见光380‑800nm波长范围内，实现光学透过率为98.7±0.15％，几乎是对所有的波长具有相同的透过率。
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公开(公告)号：CN106277822B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201610604267.0
申请日：2016-07-28
Abstract: 本发明公开了一种硅纳米柱状阵列材料，包括衬底和硅纳米柱状阵列膜，所述硅柱状阵列膜覆盖于所述衬底上；所述硅纳米柱状阵列膜包括多个硅纳米柱，各所述硅纳米柱紧密排列成蜂窝状六角阵列；各所述硅纳米柱的直径为50 nm~500 nm，硅纳米柱的高度为10 nm~150 nm。本发明还公开了所述硅纳米柱状阵列材料的制备方法。本发明基于胶体晶体模板，合成各种尺寸可控的硅纳米柱状阵列，该柱状阵列不仅具有良好的光吸收性能，而且其光吸收峰位和硅纳米柱尺寸具有良好的尺寸相关性。本发明所制备的硅纳米柱状阵列材料成本低、适用面广、制备简便、易于推广，使其在防反射、光敏器件、能源器件等方面具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN105990512A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610466968.2
申请日：2016-06-24
Abstract: 本发明公开了一种聚苯乙烯胶体球与铌膜复合异质结构超导材料，包括衬底、铌膜和聚苯乙烯胶体六角阵列膜，铌膜位于衬底之上，聚苯乙烯六角阵列膜覆盖于铌膜之上；聚苯乙烯六角阵列膜包括多个聚苯乙烯胶体微球，各聚苯乙烯胶体微球以单层紧密排列为六角状阵列。本发明还公开了所述超导材料的制备方法。本发明将聚苯乙烯胶体微球和铌超导薄膜材料构筑为异质结构纳米结构材料，通过改变胶体球和铌衬底的接触面积，调控超导转变的临界温度，从而提高铌薄膜的超导转变温度Tconset，材料制备工艺简单，所需的设备较少，大大降低超导材料的制备成本，有利于推广应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105990512B
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201610466968.2
申请日：2016-06-24
Abstract: 本发明公开了一种聚苯乙烯胶体球与铌膜复合异质结构超导材料，包括衬底、铌膜和聚苯乙烯胶体六角阵列膜，铌膜位于衬底之上，聚苯乙烯六角阵列膜覆盖于铌膜之上；聚苯乙烯六角阵列膜包括多个聚苯乙烯胶体微球，各聚苯乙烯胶体微球以单层紧密排列为六角状阵列。本发明还公开了所述超导材料的制备方法。本发明将聚苯乙烯胶体微球和铌超导薄膜材料构筑为异质结构纳米结构材料，通过改变胶体球和铌衬底的接触面积，调控超导转变的临界温度，从而提高铌薄膜的超导转变温度Tconset，材料制备工艺简单，所需的设备较少，大大降低超导材料的制备成本，有利于推广应用。
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公开(公告)号：CN103915215B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410150217.0
申请日：2014-04-16
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 本发明公开了一种Co球Nb膜异质结构超导材料，包括衬底、Nb膜、Co空心球阵列膜，Nb膜位于衬底之上，Co空心球阵列膜覆盖于Nb膜之上；所述Co空心球阵列膜由多个Co空心球单层紧密排列为六角蜂巢形阵列。本发明将磁性Co材料和Nb超导薄膜材料构筑为异质结构纳米结构材料，通过外加磁场或电场能够调控超导的转变温度和临界电流密度，从而实现通过磁畴形态来调控Nb薄膜的超导性能。本发明还公开了一种Co球Nb 膜异质结构超导材料的制备方法。
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公开(公告)号：CN106277822A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610604267.0
申请日：2016-07-28
CPC classification number: C03C17/22 , B81C1/00349 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C03C2218/156
Abstract: 本发明公开了一种硅纳米柱状阵列材料，包括衬底和硅纳米柱状阵列膜，所述硅柱状阵列膜覆盖于所述衬底上；所述硅纳米柱状阵列膜包括多个硅纳米柱，各所述硅纳米柱紧密排列成蜂窝状六角阵列；各所述硅纳米柱的直径为50 nm~500 nm，硅纳米柱的高度为10 nm~150 nm。本发明还公开了所述硅纳米柱状阵列材料的制备方法。本发明基于胶体晶体模板，合成各种尺寸可控的硅纳米柱状阵列，该柱状阵列不仅具有良好的光吸收性能，而且其光吸收峰位和硅纳米柱尺寸具有良好的尺寸相关性。本发明所制备的硅纳米柱状阵列材料成本低、适用面广、制备简便、易于推广，使其在防反射、光敏器件、能源器件等方面具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN103915215A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410150217.0
申请日：2014-04-16
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 本发明公开了一种Co球Nb膜异质结构超导材料，包括衬底、Nb膜、Co空心球阵列膜，Nb膜位于衬底之上，Co空心球阵列膜覆盖于Nb膜之上；所述Co空心球阵列膜由多个Co空心球单层紧密排列为六角蜂巢形阵列。本发明将磁性Co材料和Nb超导薄膜材料构筑为异质结构纳米结构材料，通过外加磁场或电场能够调控超导的转变温度和临界电流密度，从而实现通过磁畴形态来调控Nb薄膜的超导性能。本发明还公开了一种Co球Nb膜异质结构超导材料的制备方法。
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公开(公告)号：CN103769577A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201410011134.3
申请日：2014-01-10
Abstract: 本发明公开了一种可磁场调控宽紫外光吸收性能的FeGa空心球纳米阵列材料，包括衬底、FeGa空心球阵列膜，FeGa空心球阵列膜覆盖于衬底上；所述FeGa空心球阵列膜由多个FeGa空心球单层紧密排列为蜂巢形阵列；所述FeGa空心球的直径为500～1000nm，壁厚为20～120nm。本发明将FeGa材料做成金属光子晶体，可通过外加磁场，利用FeGa良好的磁滞伸缩性能来调控材料的形态结构，能够实现进一步调控材料的光学方面性能。本发明还公开了一种FeGa空心球纳米阵列材料的制备方法。
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