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公开(公告)号：CN103413787B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201310383280.4
申请日：2013-08-29
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/8247
Abstract: 台阶状氧化层Au/SiO2/Si纳米柱存储器件的制备方法，涉及半导体存储器。通过电子束光刻方法在Si衬底上刻蚀出凹槽阵列，形成非平面台阶状结构；将刻蚀后的Si片标准清洗后，采用干法氧化方法，在凹槽阵列的Si衬底上氧化一层致密的SiO2作为存储器的电子隧穿层；在台阶状的表面覆盖有SiO2薄层的样品上溅射Au层，采用快速热退火方法使Au层团聚形成Au量子点；以Au量子点为掩膜版，采用高能Ar离子刻蚀方法刻蚀得到Au/SiO2/Si纳米柱结构；采用电子束蒸发工艺在Au/SiO2/Si纳米柱结构的基础上沉积高k介质层，最后蒸镀金属上电极和下电极，获得台阶状氧化层Au/SiO2/Si纳米柱存储器件。
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公开(公告)号：CN102569033B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210018656.7
申请日：2012-01-20
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种小尺寸密度可控硅纳米点阵列的制备方法，涉及硅纳米点阵列的制备方法。在衬底上淀积铝膜后，退火，再对铝膜进行阳极氧化；去除所形成的阳极氧化铝膜及硅衬底表面上的二氧化硅点，即在样品表面形成较大尺寸的硅纳米点阵列；对样品进行脱氧，即得无绝缘势垒层的大面积均匀小尺寸密度可控硅纳米点阵列。所制得的硅纳米点尺寸分布均匀，纳米点尺寸和密度可控，且硅纳米点与衬底之间无绝缘层的存在，有利于制备电学/光电器件。同时，工艺条件简单，不需要复杂设备，在规模化工业生产中具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN102569033A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210018656.7
申请日：2012-01-20
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种小尺寸密度可控硅纳米点阵列的制备方法，涉及硅纳米点阵列的制备方法。在衬底上淀积铝膜后，退火，再对铝膜进行阳极氧化；去除所形成的阳极氧化铝膜及硅衬底表面上的二氧化硅点，即在样品表面形成较大尺寸的硅纳米点阵列；对样品进行脱氧，即得无绝缘势垒层的大面积均匀小尺寸密度可控硅纳米点阵列。所制得的硅纳米点尺寸分布均匀，纳米点尺寸和密度可控，且硅纳米点与衬底之间无绝缘层的存在，有利于制备电学/光电器件。同时，工艺条件简单，不需要复杂设备，在规模化工业生产中具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN100447950C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200710008498.6
申请日：2007-01-26
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/20 , H01L21/322
Abstract: 低位错密度锗硅虚衬底的制备方法，涉及一种制备Ge组分渐变弛豫锗硅合金层的方法，尤其是涉及一种氧化具有硅盖层低Ge组分锗硅层来制备低位错密度、表面平整的Ge组分渐变弛豫锗硅缓冲层的方法。提供一种可实现表面平整、Ge组分可控、成本低、厚度薄的SiGe弛豫缓冲层的制备方法。先在硅衬底或绝缘体上硅衬底上，用分子束外延或化学汽相淀积法生长一层Ge组分SiGe合金层，在SiGe合金层上覆盖一层硅盖层，Ge组分小于0.2，厚度在临界厚度以下；将覆盖一层硅盖层的SiGe合金层在氧化炉中氧化，在氧化后生成的SiO2层下面形成Ge组分渐变的SiGe缓冲层，Ge组分大于0.3；将氧化后生成的SiO2层腐蚀掉。
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公开(公告)号：CN101013668A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200710008498.6
申请日：2007-01-26
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/20 , H01L21/322
Abstract: 低位错密度锗硅虚衬底的制备方法，涉及一种制备Ge组分渐变弛豫锗硅合金层的方法，尤其是涉及一种氧化具有硅盖层低Ge组分锗硅层来制备低位错密度、表面平整的Ge组分渐变弛豫锗硅缓冲层的方法。提供一种可实现表面平整、Ge组分可控、成本低、厚度薄的SiGe弛豫缓冲层的制备方法。先在硅衬底或绝缘体上硅衬底上，用分子束外延或化学汽相淀积法生长一层Ge组分SiGe合金层，在SiGe合金层上覆盖一层硅盖层，Ge组分小于0.2，厚度在临界厚度以下；将覆盖一层硅盖层的SiGe合金层在氧化炉中氧化，在氧化后生成的SiO2层下面形成Ge组分渐变的SiGe缓冲层，Ge组分大于0.3；将氧化后生成的SiO2层腐蚀掉。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119322888A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411438169.5
申请日：2024-10-15
Applicant: 厦门大学
IPC: G06F16/9535 , G06F16/9537 , G06Q50/14 , G06Q30/0202 , G06N3/0442 , G06N3/049 , G06N3/006 , G06N3/08
Abstract: 本发明涉及一种基于前瞻性信息的旅游路线推荐系统，包括：景点未来客流量预测模块，用于基于景点历史客流量，使用LSTM模型预测景点未来客流量；个性化路线设计模块，用于基于包括游客偏好、时间预算和景点开放时间的确定性信息以及基于未来景点拥挤度预测的前瞻性信息，使用蚁群算法构建启发式方法来生成和优化旅游路线，输出最佳的旅游路线；所述未来景点拥挤度由预测的景点未来客流量和景点的承载力的比值决定。本发明的预测模块能够预测景点未来客流量，进而预测景点未来拥挤程度，为后续路线设计提供前瞻性信息，个性化路线设计模块能够根据游客需求和现实约束进行路线的设计及优化，输出最佳的旅游路线，提高游客的旅行体验和满意度。
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公开(公告)号：CN119221106A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411415973.1
申请日：2024-10-11
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种GeSn和GePb半导体单晶纳米点的制备方法，涉及半导体单晶纳米点制备领域。包括以下步骤：1）选择具有与所生长材料相似晶体结构以及较小的晶格失配的半导体晶圆衬底，并清洗；2）将AAO模版转移至半导体晶圆衬底上，并用丙酮溶液溶解PMMA基底；3）将步骤2）转移好AAO模版并溶解掉PMMA的衬底送入溅射腔中磁控溅射外延生长GeSn或GePb，衬底温度250~360℃，溅射速率大于21 nm/min；4）机械剥离AAO模版，获得GeSn、GePb半导体单晶纳米点。本发明为制备高质量GeSn、GePb单晶纳米点提供新工艺方法，有望应用于硅基光电集成中的硅基高效发光探测器件研发。
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公开(公告)号：CN118688901A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410763678.9
申请日：2024-06-13
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种硅基悬空弛豫GeSn结构的制备方法，包括以下步骤：步骤1：将外延的硅基GeSn薄膜进行标准光刻步骤；步骤2：采用氧化酸性垂直刻蚀溶液刻蚀GeSn薄膜和部分Ge缓冲层；步骤3：采用F基等离子体进行横向刻蚀Ge缓冲层；步骤4：丙酮溶液浸泡去胶，完成结构制备。本发明的GeSn悬空结构可以弛豫GeSn合金的应变，实现直接带隙；制备悬空结构的工艺简单，所制备的GeSn悬空结构相比其他工艺具有样品表面平整、粗糙度低、GeSn损耗小的特点；为硅基GeSn发光器件制备提供了一种新型工艺方法，有望在硅基光电子领域发挥巨大的作用。
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公开(公告)号：CN110668425B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201910966292.7
申请日：2019-10-12
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B32/15 , C01B32/186 , C01B33/021 , B82Y30/00 , H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 一种柔性锂离子电池硅碳复合负极材料及其制备方法，涉及新能源材料设计制备。选用N型单晶硅片置于1号溶液中浸泡沉积银纳米颗粒，移入2号溶液浸泡刻蚀硅纳米线，然后浸泡在3号溶液中在硅纳米线阵列表面均匀地沉积铜纳米颗粒；所得样品上铜催化乙醇裂解原位生长碳纳米纤维；放入CVD生长设备中进行生长，使碳纳米管贯穿生长在硅纳米线阵列表面和内部，将整个复合结构缠绕编织在一起；最后置入4号溶液中水浴加热，表层薄膜与片体分离后即得柔性锂离子电池硅碳复合负极材料。通过将硅材料刻蚀成硅纳米线阵列，与碳纳米管、碳纳米纤维和石墨烯复合，实现了高容量，高稳定性；制备方法简便易行。
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公开(公告)号：CN110668425A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910966292.7
申请日：2019-10-12
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B32/15 , C01B32/186 , C01B33/021 , B82Y30/00 , H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 一种柔性锂离子电池硅碳复合负极材料及其制备方法，涉及新能源材料设计制备。选用N型单晶硅片置于1号溶液中浸泡沉积银纳米颗粒，移入2号溶液浸泡刻蚀硅纳米线，然后浸泡在3号溶液中在硅纳米线阵列表面均匀地沉积铜纳米颗粒；所得样品上铜催化乙醇裂解原位生长碳纳米纤维；放入CVD生长设备中进行生长，使碳纳米管贯穿生长在硅纳米线阵列表面和内部，将整个复合结构缠绕编织在一起；最后置入4号溶液中水浴加热，表层薄膜与片体分离后即得柔性锂离子电池硅碳复合负极材料。通过将硅材料刻蚀成硅纳米线阵列，与碳纳米管、碳纳米纤维和石墨烯复合，实现了高容量，高稳定性；制备方法简便易行。
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