公开(公告)号：CN119221106A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202411415973.1

申请日：2024-10-11

Applicant: 厦门大学

Inventor： 夏世龙 ,  甘秋宏 ,  于九龙 ,  李成 ,  林光杨 ,  黄巍

IPC: C30B23/04 ,  C30B29/52 ,  C30B29/60 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 一种GeSn和GePb半导体单晶纳米点的制备方法，涉及半导体单晶纳米点制备领域。包括以下步骤：1）选择具有与所生长材料相似晶体结构以及较小的晶格失配的半导体晶圆衬底，并清洗；2）将AAO模版转移至半导体晶圆衬底上，并用丙酮溶液溶解PMMA基底；3）将步骤2）转移好AAO模版并溶解掉PMMA的衬底送入溅射腔中磁控溅射外延生长GeSn或GePb，衬底温度250~360℃，溅射速率大于21 nm/min；4）机械剥离AAO模版，获得GeSn、GePb半导体单晶纳米点。本发明为制备高质量GeSn、GePb单晶纳米点提供新工艺方法，有望应用于硅基光电集成中的硅基高效发光探测器件研发。