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公开(公告)号：CN119153602A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411259249.4
申请日：2024-09-09
Abstract: 本发明涉及交流驱动的LED器件及其制备方法。交流驱动的LED器件包括：衬底层；第一半导体层，位于衬底层表面，第一半导体层包括平面部分和凸起部分，凸起部位于平面部分背向衬底层一侧的表面；有源层，位于第一半导体层的凸起部分背向衬底层一侧的表面；第二半导体层，位于有源层背向第一半导体层一侧的表面，第二半导体层与第一半导体层的导电类型相反；第一半导体层的凸起部分、有源层和第二半导体层构成LED器件的外延层；钝化层，位于第二半导体层背向有源层一侧的表面，且包覆外延层的侧部；侧部电极，位于钝化层背向外延层侧部的表面。本发明提供的交流驱动的LED器件能有效降低器件在交流驱动下的开启电压，同时提高注入电流，提高器件发光亮度。
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公开(公告)号：CN116642863A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310359980.3
申请日：2023-04-06
IPC: G01N21/64
Abstract: 本发明公开了一种实时原位的荧光成像显微镜测试系统及方法，该系统包括：测试电源模块、激发光模块、接收光路模块、信号探测模块以及微控制器，通过各个模块的配合，能够在不损害待测样品的条件下，原位、实时观测待测样品中的多物理场调控下，缺陷迁移以及相关的宏观光电性能数据，与其他离子迁移测试系统相比，该荧光成像显微镜测试系统操作更加简便，能以高分辨率快速捕获宽视场中的荧光成像图像，测试结果更加准确形象，能够原位、实时地获得多物理场调控下的离子迁移图像以及相关光电测试数据，通过微观图像与宏观数据相结合，更加全面地对器件的性能衰退过程和离子迁移进行分析。
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公开(公告)号：CN113919576A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111203503.5
申请日：2021-10-15
Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，提供一种太阳能结构性能的预测方法，主要是通过对太阳能电池结构的输入特征参数及对应的输出特征参数进行收集、提取，并建立相应的数据集及依据已知的准则对数据集中的数据进行预处理；利用机器学习算法搭建模型，并对此模型进行结构参数设定及初始化训练；运用经预处理后的前述数据集对经结构参数初始化训练后的模型进行训练优化，进而得到预测模型；将待预测的太阳能电池结构的输入特征参数的测试数据输入该预测模型，进而获得该待预测的太阳能电池结构的输出特征参数的预测值。藉此，可以对太阳能电池结构的性能进行快速预测，操作简便，准确性高。
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公开(公告)号：CN119789653A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411976164.8
申请日：2024-12-30
IPC: H10H29/14 , G02B30/00 , G02B30/50 , G02B5/30 , G02B27/28 , G09F9/33 , G09F19/12 , H10H29/24 , H10H29/30 , H10H29/01 , H10H29/85 , H10H29/855 , H01L25/16 , H01L25/075 , H10H20/855 , H10H20/85
Abstract: 本发明涉及一种LED 3D显示装置及其制造方法。本发明提供的LED 3D显示装置包括：LED器件层；所述LED器件层包括若干阵列排布的LED封装结构，所述LED封装结构至少包括一组RGB三色LED芯片；偏振片层；所述偏振片层包括若干阵列排布的偏振片，所述偏振片与所述LED封装结构一一对应；其中所述偏振片包括左旋偏振片和右旋偏振片；所述左旋偏振片与所述右旋偏振片交替排列。本发明的LED 3D显示装置可扩展3D显示图像的有效视角范围，提升3D图像清晰度和亮度。
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公开(公告)号：CN119419203A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411353917.X
申请日：2024-09-26
IPC: H01L25/16 , H10H20/857 , H10H20/83 , H10H20/84 , H10H20/855
Abstract: 本发明涉及微型发光二极管技术领域，公开微型发光二极管发光单元、器件及器件的制备方法。包括：驱动电路层、外延结构、第一透明导电层、钝化层、第二透明导电层、电极结构、介电材料层和金属准直结构；外延结构包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一透明导电层设置在驱动电路层与外延结构之间；钝化层设置在外延结构和第一透明导电层侧壁及驱动电路层上表面；第二透明导电层覆盖外延结构及钝化层的外表面；电极结构设置在第二透明导电层上；介电材料层设置在外延结构上；金属准直结构设置在介电材料层上，形成通孔以及环形凹槽。本发明的介电材料层增大出射光临界角，提高光提取效率；金属准直结构减小发散角和光串扰，实现汇聚准直。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119277872A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411353891.9
申请日：2024-09-26
IPC: H10H29/03 , H10H29/02 , H01L21/66 , G06T7/00 , G06N3/0455 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本发明涉及发光二极管芯片转移技术领域，公开了一种发光二极管芯片的转移方法、装置、设备、介质及产品，发光二极管芯片的转移方法包括：获取目标组中的多个区块数据，区块数据包括对应的区块上的多个发光二极管芯片的参数信息，参数信息包括波长和/或亮度；将多个区块数据转化为多个第一图像信息，其中，多个第一图像信息和多个区块数据一一对应；根据第一学习模型，确定多个第一图像信息对应的区块数据的类型；将多个目标区块数据对应的区块上的发光二极管芯片转移到目标驱动基板的目标区域，其中，多个目标区块数据为多个区块数据中类型互补的区块数据。本发明在较短的时间内完成发光二极管芯片的转移的同时，减少显示屏色度差异。
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公开(公告)号：CN117934985A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311706708.4
申请日：2023-12-12
IPC: G06V10/774 , G06V10/764 , G06T7/73 , G06T7/00 , G06V10/44 , G06V10/26 , G06V10/52 , G06V10/80 , G06V10/75 , G06V10/82 , G06N3/0464 , G06N3/0455 , G06N3/08
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了半导体缺陷检测模型训练方法及半导体缺陷检测方法，包括：获取半导体样本的外场调制发光强度分布图像、样品光谱图像和荧光寿命图像；将外场调制发光强度分布图像、样品光谱图像和荧光寿命图像融合，生成半导体样品的组合图像；对组合图像进行定位分割，识别得到组合图像中的缺陷区域及类别；基于半导体样本对应的缺陷区域及类别标签和识别得到组合图像中的缺陷区域及类别，进行模型训练，得到半导体缺陷检测模型，本发明通过外场调制发光强度信息、光谱信息与荧光寿命信息结合进行缺陷检测，提高了检测效率和准确性，实现了对缺陷种类的可靠识别，为制备高效稳定的半导体光电器件提供高效的检测方案。
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公开(公告)号：CN117747727A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311768650.6
申请日：2023-12-19
Abstract: 本发明提供了Micro‑LED发光器件及其制备方法。Micro‑LED发光器件包括：层叠的半导体衬底层、N型半导体层，还包括：发光量子阱层，位于N型半导体层远离半导体衬底层的一侧表面；p型半导体层，位于发光量子阱层远离半导体衬底层的一侧；第一电极；位于所述p型半导体层远离所述半导体衬底层的一侧；第二电极；位于所述p型半导体层远离所述半导体衬底层的一侧；所述第一电极和所述第二电极间隔设置；第三电极，位于所述半导体衬底层远离所述N型半导体层的一侧表面。本发明提供的Micro‑LED发光器件一方面生产成本低，且为后续工艺提供较大窗口；另一方面Micro‑LED发光器件的发光效率高，且功率损耗低。
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公开(公告)号：CN116314478A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310082734.8
申请日：2023-02-06
Abstract: 本发明提供一种Micro‑LED芯片的制备方法，包括：提供衬底层；在所述衬底层的一侧依次形成层叠的N型半导体层、初始有源层和初始P型半导体层；刻蚀部分所述初始P型半导体层和部分所述初始有源层直至暴露出所述N型半导体层，且使所述初始P型半导体层形成P型半导体层，使初始有源层形成有源层，在刻蚀部分所述初始P型半导体层和部分所述初始有源层的过程中形成损伤层，所述损伤层位于所述有源层和所述P型半导体层的侧壁；对所述损伤层进行退火处理以形成修复层；对所述修复层进行超临界流体处理，以补偿所述修复层中的空位缺陷。本发明提供的Micro‑LED芯片的制备方法能够提高Micro‑LED芯片的发光效率。
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公开(公告)号：CN115863507A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211524225.8
申请日：2022-11-30
Abstract: 本发明提供一种LED器件及其制备方法，LED器件包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的反射结构，所述反射结构包括自下至上依次层叠的第一组反射单元至第N组反射单元，N为大于或等于2的整数；任意的第n组反射单元包括至少一个第n反射单元，第n反射单元包括第n下反射层和第n上反射层；第n下反射层的折射率小于第n上反射层的折射率；第一组反射单元中的第一下反射层至第N组反射单元中第N下反射层的掺杂浓度递增，第一下反射层至第N下反射层中均具有孔洞，第一下反射层至第N下反射层的孔洞率递增；位于所述反射结构背离所述半导体衬底层一侧的发光层。所述LED器件的发光效率和发光均匀性均提高。
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