公开(公告)号：CN112117337A

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：CN202011012078.7

申请日：2020-09-22

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张峰 ,  付钊 ,  洪荣墩 ,  蔡加法 ,  陈厦平 ,  林鼎渠 ,  吴少雄 ,  吴正云

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/105 ,  H01L31/18 ,  B81B1/00 ,  B81C1/00

Abstract: 具有刻蚀微孔结构的4H‑SiC紫外光电探测器及制备，所述4H‑SiC紫外光电探测器包括P+层、吸收层和P层环形电极，还包括设于P层环形电极的内周的微孔，其从P+层刻蚀到达吸收层的上表面，微孔的壁面设有钝化层。当紫外光入射到探测器芯片上时，一部分被P+层吸收或者反射；另一部分被吸收层吸收并产生电子‑空穴对，在耗尽区内建电场的驱动下分离，并运动到探测器两端的电极，最后搭载外部负载电路形成电信号，通过检测电信号的大小，就可以判定紫外线强度的大小。微孔结构可减少P+层对紫外光的吸收，使得微孔处，光直接被吸收层吸收，提高探测器的响应度和量子效率，显著增加紫外光电探测器的实用性能。

公开(公告)号：CN104465676B

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201410745796.3

申请日：2014-12-09

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈厦平 ,  吴正云 ,  蔡加法 ,  洪荣墩 ,  张自锋 ,  钟金祥

IPC: H01L27/144 ,  H01L21/784 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224

Abstract: 4H‑SiC PIN紫外光电二极管一维阵列芯片及其制备方法，涉及光电二极管阵列芯片。芯片具有1×128像素，由128个SiC PIN单管沿一维直线排列而成，每个单管均设有n+型SiC衬底，在衬底上依次外延生长n‑型层、p‑型层和p+型层，芯片表面生长氧化硅的钝化膜，在p+型层上设有p型电极，在p型电极上沉积Ti/Au作为焊盘接触金属，在n+型衬底的背面设有n型电极。在外延片上刻蚀出台面结构作为各单管的光敏面；热氧化生长氧化硅钝化层；将p+型层上的氧化层光刻窗口，去除重掺杂n+型衬底上的氧化层，沉积n型电极金属；将p型和n型电极金属退火与外延片形成欧姆接触；在p型欧姆接触电极沉积金属以制备焊盘。

公开(公告)号：CN105304748A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510639610.0

申请日：2015-09-30

Applicant: 厦门大学

Inventor： 洪荣墩 ,  张明昆 ,  吴正云 ,  蔡加法 ,  陈厦平

IPC: H01L31/11 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L31/11 ,  H01L31/035281

Abstract: 双工作模式的4H-SiC紫外光电探测器及其制备方法，涉及半导体光电探测器件。探测器设有N+型4H-SiC衬底，在N+型4H-SiC衬底上依次设有第一N-型外延吸收层和第二N型外延倍增层；从第二N型外延倍增层至第一N-型外延吸收层表面刻蚀一高度；在第二N型外延倍增层和第一N-型外延吸收层表面形成P+型欧姆接触层，形成P+N和P+N-两个PN结；在P+型欧姆接触层的表面生长二氧化硅钝化层；在钝化层上设P型电极窗口，在P型电极窗口和N+型4H-SiC衬底背面分别溅射P电极和N电极。制备方法：对生长好的外延片进行RCA标准清洗；倾斜台面的制备；P+层的制备；氧化层的制备；电极的制备。

公开(公告)号：CN219392207U

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202320309709.4

申请日：2023-02-24

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张宇宁 ,  蔡加法 ,  张峰 ,  吴少雄

IPC: G01R31/265

Abstract: 一种光电二极管高速响应时间测量装置，属于传感器检测技术域。包括：脉冲激光器、光电二极管、读出电路、屏蔽外壳、光学调节架、稳压电源、可控开关、示波器；采用脉冲激光器作为测试光源，光电二极管通过特制的读出电路，将光响应电流转换成电压信号，用示波器采集光响应的脉冲信号，通过分析脉冲信号的上升和下降时间可准确测量高速光电二极管探测器的响应时间。可避免传统测量方法中，通过斩波器调制光强所引起的脉宽压缩能力有限的问题，可有效提高高速光电探测器响应时间的测量精度。适用于各种高速光电二极管探测器，其结构紧凑、操作简单方便，填补对高速光电二极管响应时间测量技术方面的空白，对光电探测器的研发和测试起到重要作用。

公开(公告)号：CN202487594U

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201220112236.0

申请日：2012-03-22

Applicant: 厦门大学

Inventor： 洪荣墩 ,  吴正云 ,  陈主荣 ,  蔡加法 ,  陈厦平

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/107

Abstract: 一种雪崩光电二极管，涉及半导体光电二极管探测器件。提供一种具有超高紫外可见比的光控击穿电压亚微米柱紫外雪崩光电二极管。设有高掺杂N+型衬底，在高掺杂N+型衬底上表面设有N-层，在N-层上表面两侧设有高掺杂P+型电场强度调节层，在N-层的中间部分上表面设有N型雪崩倍增层，在N型雪崩倍增层的上表面设有P+型的欧姆接触层，在N型雪崩倍增层和P+型的欧姆接触层的两侧分别设有氧化层，在高掺杂N+型衬底的下表面设有正电极，在P+型的欧姆接触层的上表面设有金属负电极。

公开(公告)号：CN200969566Y

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200620156385.1

申请日：2006-11-28

Applicant: 厦门大学

Inventor： 蔡加法 ,  陈主荣 ,  吴正云

IPC: H03F3/08 ,  H03F3/42 ,  H03F3/70 ,  H03F3/45

Abstract: 表面光伏谱前置放大器，涉及一种前置放大器。提供一种小型、高性能、低成本、易于制作的高灵敏度、低截止频率表面光伏谱前置放大器。设有电荷放大器和电压放大器，在电荷放大器输入端与电压放大器输出端之间跨接反馈电阻，在电荷放大器输入端与输出端之间接反馈电容。主要采用高输入阻抗、低输入偏置电流、低噪声的带FET或CMOS输入的集成运算放大器，在反馈电阻和电荷放大器输出端之间插入电压放大级，不仅在不降低电路性能的前提下，可有效降低电路截止频率，提高电路灵敏度，其低频率截止频率fL(－3dB)≤2Hz，电荷－电压灵敏度Svq≥1V/pC；而且电路结构简单、体积小、成本低，易于小型化和多路集成。