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公开(公告)号：CN107863688A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201711072492.5
申请日：2017-11-03
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: H01S5/187 , H01S5/065 , H01S5/3412
Abstract: 一种发光波长可调谐的GaN基垂直腔面发射光源，涉及发射光源。设有外延层，所述外延层从下至上依次为：衬底、下介质膜分布布拉格反射镜、ITO电流扩展层、p型Cr/Au电极、SiO2电流限制层、p型GaN、量子点有源层、n型GaN、n型Cr/Au电极和上介质膜分布布拉格反射镜。使用具有不同尺寸量子点作为有源区，得到了可调谐的增益特性，结合谐振腔效应，得到了发光波长在强耦合模式之间可调谐的输出特性。发光波长调谐范围从黄绿光到紫光，实现了大范围调谐。相比于以往制作可调谐发光器件的方法，不需要复杂的材料生长以及期间制作工艺，大大简化了工艺过程以及器件制作难度，并且提高了发光波长的调谐范围。
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公开(公告)号：CN103969724B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410220044.5
申请日：2014-05-23
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种衍射光学元件的制作方法，涉及微光学器件的制作。1)在基片上制作金属层；2)涂胶，光刻显影，腐蚀出金属层作为刻蚀掩膜，该金属层直径为微透镜最外层环带外径；3)按设计厚度刻蚀基片形成最外层第一个环带；4)第二次涂胶，背面曝光光刻，显影，保留光刻胶，侧向腐蚀步骤2)中的金属层，去除光刻胶；5)正面涂胶，背面曝光显影；6)按设计厚度刻蚀基片形成最外层第二个环带；7)重复步骤4)，直到刻蚀出所有环带，得到具有多台阶的微透镜衍射光学元件。从根本上避免了传统套刻方法制作微透镜带来的不可避免的误差，减少了制作过程中的工艺步骤，降低了难度，同时也为制作其他多台阶器件提供了途径。
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公开(公告)号：CN102522318B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201110458460.5
申请日：2011-12-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: GaN基外延薄膜自分裂转移方法，涉及用于光电器件中的GaN基薄膜。先在GaN基外延薄膜上蒸镀或溅射一层或多层金属，使之成为欧姆接触层，其中加入高反射率金属起到反射镜作用，再利用光刻方法在金属表面上制作出图形化光刻胶；在样品表面没有光刻胶的部分电镀金属衬底，并采用化学法去除光刻胶；把样品键合到支撑衬底上；采用激光光源透过蓝宝石衬底辐照样品，依据激光剥离技术去除蓝宝石衬底，有电镀金属区域的GaN基薄膜则转移到电镀的厚金属衬底，无电镀金属区域的GaN基薄膜发生分裂形成碎片，结果使GaN基外延薄膜实现自分裂和转移。不仅可降低成本、简化工艺，而且可避免金属基板切割和解决因切割金属衬底而造成器件短路问题。
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公开(公告)号：CN103227265A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310127938.5
申请日：2013-04-12
Applicant: 厦门大学
Abstract: 用于制作氮化镓基发光器件的非平面键合方法，涉及氮化镓基发光器件。制作具有蓝宝石基底的GaN基外延片；在外延片上制作导电层、电流限制层、金属接触层和分布布拉格反射镜中的至少一种，形成非平面结构；在非平面结构上制作金属层；在制作金属层后的非平面结构的表面进行抛光处理，形成第一含金属层；在导热性好的基底上制备第二含金属层；在真空或者氮气氛围，贴合所述第一含金属层与第二含金属层，将氮化镓基非平面结构发光芯片与第二含金属层的基底键合在一起。可以将具有非平面结构的氮化镓基薄膜转移到具有良好导热和导电性好的衬底上，如硅和铜等衬底，从而改善发光器件的散热情况，提高器件可工作的电流密度，增大光功率。
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公开(公告)号：CN103094429A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310057538.1
申请日：2013-02-22
Applicant: 厦门大学
Abstract: 自分裂GaN基外延薄膜转移方法，涉及氮化镓基半导体器件。选择一外延结构，该外延结构包括蓝宝石衬底和GaN基薄膜外延层；在GaN基薄膜上形成图形化金属层；将样品键合到支撑基板上；采用紫外波段激光光源透过蓝宝石衬底辐照样品，实现自分裂GaN基外延薄膜的转移。在形成器件台面结构时，无需采用等离子体刻蚀工艺，从而避免了等离子体刻蚀对发光区的损伤，有利于制备出高效的器件，工艺得到了简化。同时可避免为了器件划片进行切割金属衬底时出现金属衬底卷边和喷溅而导致短路等不良问题。适用于在类蓝宝石的透明衬底上生长的GaN基器件的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101667561A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910112478.2
申请日：2009-09-04
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L23/427 , H01L23/367 , H01L21/48 , H01L21/50
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法，涉及一种电子元器件的散热芯片。提供一种能够克服以上硅基散热器的缺点，提高硅基散热器散热效能的硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法。散热芯片为上下两层结构，分别为上硅片和下硅片，在上硅片上设有冷却液体加载口、液体汽化室和气体微通道，在下硅片上设有冷却液体储槽和液体微通道。1)加工上硅片正面结构，2)加工上硅片背面结构，3)加工下硅片，4)再将上硅片和下硅片对准键合。
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公开(公告)号：CN101540364A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200910111571.1
申请日：2009-04-23
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种氮化物发光器件及其制备方法，涉及一种半导体发光器件。提供一种非对称耦合多量子阱结构为有源区的氮化物发光器件及其制备方法。至少包括n－型电子注入层、p－型空穴注入层和多量子阱有源层，多量子阱有源层夹在n－型电子注入层和p－型空穴注入层之间。有源层由非对称耦合量子阱结构组成。量子阱的垒层较薄，易实现载流子隧穿，且量子阱中基态能级间的跃迁能量逐渐变化，跃迁能量大的量子阱接近p型注入层，跃迁能量小的量子阱接近n型注入层。用此有源区结构可增强空穴在量子阱有源区中的隧穿输运，同时阻挡电子在量子阱有源区中的隧穿输运，改善氮化物发光器件有源区中载流子分布不均现象，减小电子泄露和能带填充效应，实现高效发光。
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公开(公告)号：CN100544038C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200710009957.2
申请日：2007-12-10
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0304
Abstract: 无应变InAlGaN/GaN PIN光电探测器，涉及一种光电探测器，尤其是涉及一种将光信号转换为电信号的铟铝镓氮/氮化镓(InAlGaN/GaN)PIN光电探测器。提供一种无应变InAlGaN/GaN PIN光电探测器。设有蓝宝石(Al2O3)衬底、GaN缓冲层、n-GaN层、i-InAlGaN光敏层、p-InAlN层和p-GaN顶层，从下至上GaN缓冲层、n-GaN层、i-InAlGaN光敏层、p-InAlN层和p-GaN顶层依次设在蓝宝石(Al2O3)衬底上，在p-GaN顶层上设有p电极，在n-GaN层上设有n电极。
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公开(公告)号：CN119545983A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202410781867.9
申请日：2024-06-18
Applicant: 厦门大学
IPC: H10H20/01 , H10H20/832 , H10H20/858 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基谐振腔发光二极管的制备方法及其制品。其中，所述方法依序包括如下步骤：在原始衬底上外延生长氮化镓基外延层，在氮化镓基外延层一表面制备若干曲面结构；在该曲面结构沿一第一方向依序沉积电流扩展层、曲面反射镜、过渡层，并在每个曲面结构的过渡层表面制备与过渡层尺寸对应的区域金属基底；将区域金属基底一侧置于一临时衬底，去除原始衬底并抛光减薄和平坦化氮化镓基外延层另一表面；在氮化镓基外延层另一表面沉积平面反射镜，并制备电极；去除临时衬底获得单个独立氮化镓基谐振腔发光二极管。本发明能够改善获得独立器件时的金属卷边和侧壁损伤、优化实验工艺，提升器件的光输出功率等性能。
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公开(公告)号：CN114824013B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202210549340.4
申请日：2022-05-20
Applicant: 厦门大学
IPC: H10H20/819 , H10H20/831 , H10H20/01
Abstract: 本发明公开了一种柔性氮化镓基LED及其制备方法，属于光电子、发光显示领域；所述柔性氮化镓基LED从上至下依次包括：衬底；依附于衬底的晶圆层；设置于晶圆层下表面的p型电极；设置于晶圆层的LED器件台面；设置于晶圆层上表面的n型电极；所述衬底为柔性材料制成；本发明可以制备具有柔性、透明、双面发光、可寻址的垂直结构氮化镓基LED显示器件；相对于其他多次衬底转移、复杂的拾放技术、引线键合技术等，本发明能够使器件制作工艺简单化，实现柔性衬底、透明、双面发光的垂直结构氮化镓基LED，在此基础上进一步实现了可寻址的显示器件的制备。另外，本发明制备的镂空n型电极增加电极可延展程度，降低了样品弯曲时电极断裂的概率，使样品具备更好的柔性。
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