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公开(公告)号：CN101550598A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910068819.0
申请日：2009-05-13
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种掺锡铌酸锂晶体，在铌酸锂晶体中掺入有锡离子Sn4+，所述锡离子Sn4+的掺入量为0.1～6.0mol％(摩尔百分比)，且铌酸锂晶体中含有比例为(0.93～1.41)∶1的锂离子Li1+与铌离子Nb3+。本发明公开的掺锡铌酸锂晶体具有掺杂阈值低，抗光折变能力较强，且易于生长等优点。本发明的掺锡铌酸锂晶体的抗光折变能力比同成份铌酸锂晶体提高了4个量级，比同成分掺镁铌酸锂晶体提高了1个量级，因此其作为一种掺杂阈值低、抗光折变能力强、且易于生长的光学材料，可以完全取代高掺镁铌酸锂晶体的应用，具有巨大的市场前景和重大的生产实践意义。
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公开(公告)号：CN100510204C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200710058844.1
申请日：2007-08-16
Applicant: 南开大学
IPC: C30B29/30
Abstract: 一种铌酸锂pn结及其制备方法。铌酸锂pn结是将两种不同载流子类型的铌酸锂晶体结合在一起，其结晶化学式可表示为：p:LiNbO3/n:LiNbO3，其中，p是镁、铟、锌、铪、锆等抗光折变掺杂元素中的一种或几种的组合，n是铁、铜、锰、铈等光折变掺杂元素中的一种或几种的组合。制备方法是，用提拉法生长p:LiNbO3晶体，切成p:LiNbO3晶片，作为液相外延的衬底；配制n:LiNbO3粉料，先升温熔融，再降至熔点；将第一步中的衬底焙烧，放入熔体中外延生长，将外延晶片抽离熔体，降至室温；外延晶片单面抛光，可得铌酸锂pn结。本发明铌酸锂pn结具备有正向导通、反向截至的整流特性。它将铌酸锂优良的电光性能与pn结有机地结合起来，可作为集成光电子学的平台，具有突破性的意义及巨大的市场前景。
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公开(公告)号：CN101275275A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200710151176.7
申请日：2007-12-21
Applicant: 南开大学
IPC: C30B29/30
Abstract: 一种制备化学计量比铌酸锂或钽酸锂晶片的方法。该方法可以制备化学计量比铌酸锂或钽酸锂晶片。其具体过程是，将铌酸锂或钽酸锂晶片和含锂化合物放置在密闭容器中，将密闭容器内部抽真空，使真空度小于0.5帕，并将容器内部保持一定的高温，用高纯氩气调节内部气氛中各种组分的分压，以防止晶片表面出现龟裂。经过长60小时～120小时的处理，获得化学计量比铌酸锂或钽酸锂晶片。本发明与传统VTE方法(申请专利号：01144332.4)比较，用含锂化合物代替多晶料，第一可以反复使用，大大降低成本；第二可以提高气氛中的锂含量，从而提高扩散速度，减少扩散时间；第三可以通过氩气来调节气氛中的锂含量，从而可以使用不同蒸气压的含锂化合物。
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公开(公告)号：CN101169569A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200710150590.6
申请日：2007-11-30
Applicant: 南开大学
IPC: G02F1/355
Abstract: 一种双掺铌酸锂晶体，本发明属非线性光学晶体领域。其化学式可表示为：LiNbO3∶Fe，Zr，其中Fe2O3的掺杂范围是：0.01～0.05wt％，ZrO2的掺杂范围是0.4～6.0mol％。本发明将抗光折变掺杂离子Zr4+和光折变离子Fe3+共同掺入铌酸锂晶体中，具有掺杂阈值低，易于生长出高品质晶体的特点，且晶体具有优异的光折变性能，其光折变响应时间比掺铁铌酸锂晶体缩短两个量级，比镁铁双掺铌酸锂晶体减少近1个量级，比铪铁双掺铌酸锂晶体缩短了五倍；光折变灵敏度比铪铁双掺铌酸锂晶体提高了2～3倍。本发明之锆铁铌酸锂晶体，具有优于其它双掺(如镁铁、铟铁、锌铁、铪铁等)铌酸锂晶体光折变性能的特点，因此在三维体全息存储的应用上具有巨大的市场前景。
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公开(公告)号：CN1330798C
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200410019454.X
申请日：2004-05-31
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及一种近化学比铌酸锂晶体的生长，特别是用熔体注入法生长的系统及其工艺。由于铌酸锂晶体不是同成分共熔，结晶出来的固体成分与熔体成分不一致，难以得到成分均匀的晶体。本发明提供一种采用熔体注入法，系统包括晶体生长炉、供料炉、回路调节器、中频电源、工控计算机和配套软件等7大部分：在晶体生长中，判断晶体生长量和供料炉注入熔融原料量之间的平衡，使注入生长坩埚的熔融原料量与晶体的生长量保持平衡，从而使晶体生长坩埚中原料的成分保持恒定；本发明的有益效果：具有加料连续性好、晶体成分波动小，光学均匀性好以及自动化程度高等优点，设备比较简单，有利于产业化生产，也可以用来进行其它类似非同成分共熔晶体的生长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119433710A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411624212.7
申请日：2024-11-14
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及一种掺铒、掺镱或铒镱共掺铌酸锂晶体及其制备方法和应用，属于非线性光学晶体领域。本发明提供的掺铒、掺镱或铒镱共掺铌酸锂晶体由纯度为99.99%的Li2CO3、Nb2O5与Er2O3和/或Yb2O3制成；其中，Li和Nb的原子摩尔比为0.80~0.92，Er2O3的掺杂摩尔分数、Yb2O3的掺杂摩尔分数、Er2O3和Yb2O3的掺杂总摩尔分数分别为0.75%~1.25%。本发明制备的掺铒、掺镱或铒镱共掺铌酸锂晶体，结晶质量高、掺杂浓度大，晶体整体均匀透亮，无明显宏观缺陷，可用于制备高质量铌酸锂体块材料和亚微米铌酸锂薄膜，进而制备高效率的光电功能器件，如激光器、放大器、探测器等，为集成光子学等领域的发展奠定基础。
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公开(公告)号：CN105780103A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610158888.0
申请日：2016-03-18
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及一种五偏磷酸钾二钡晶体的制备方法，将五偏磷酸钾二钡化合物与助熔剂按一定比例混合，得到一混合物；加热该混合物至750?1200℃，恒温1?50小时，得到含KBa2(PO3)5与助熔剂的混合溶液；将混合溶液冷却到高于其饱和温度1?15℃，再以0.1?5℃/天降温速度缓慢降温，得到所需晶体；以及将晶体提离液面，降至室温。本发明还提供一种非线性光学器件，该非线性光学器件包含一装置，该装置中包含至少一块五偏磷酸钾二钡晶体。
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公开(公告)号：CN101550598B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN200910068819.0
申请日：2009-05-13
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种掺锡铌酸锂晶体，在铌酸锂晶体中掺入有锡离子Sn4+，所述锡离子Sn4+的掺入量为0.1～6.0mol％(摩尔百分比)，且铌酸锂晶体中含有比例为(0.93～1.41)∶1的锂离子Li1+与铌离子Nb3+。本发明公开的掺锡铌酸锂晶体具有掺杂阈值低，抗光折变能力较强，且易于生长等优点。本发明的掺锡铌酸锂晶体的抗光折变能力比同成份铌酸锂晶体提高了4个量级，比同成分掺镁铌酸锂晶体提高了1个量级，因此其作为一种掺杂阈值低、抗光折变能力强、且易于生长的光学材料，可以完全取代高掺镁铌酸锂晶体的应用，具有巨大的市场前景和重大的生产实践意义。
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公开(公告)号：CN101165228A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710058844.1
申请日：2007-08-16
Applicant: 南开大学
IPC: C30B29/30
Abstract: 一种铌酸锂pn结及其制备方法。铌酸锂pn结是将两种不同载流子类型的铌酸锂晶体结合在一起，其结晶化学式可表示为：p:LiNbO3/n:LiNbO3，其中，p是镁、铟、锌、铪、锆等抗光折变掺杂元素中的一种或几种的组合，n是铁、铜、猛、铈等光折变掺杂元素中的一种或几种的组合。制备方法是，用提拉法生长p:LiNbO3晶体，切成p:LiNbO3晶片，作为液相外延的衬底；配制n:LiNbO3粉料，先升温熔融，再降至熔点；将第一步中的衬底焙烧，放入熔体中外延生长，将外延晶片抽离熔体，降至室温；外延晶片单面抛光，可得铌酸锂pn结。本发明铌酸锂pn结具备有正向导通、反向截至的整流特性。它将铌酸锂优良的电光性能与pn结有机地结合起来，可作为集成光电子学的平台，具有突破性的意义及巨大的市场前景。
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公开(公告)号：CN1201915C
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN03121582.3
申请日：2003-04-02
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及晶体加工技术，尤其是能准确定向切割晶体的方法，属于晶体材料切割加工技术领域。常用的方法只能凭据x射线衍射定向仪和万能角度尺，边测量角度边研磨修正，花费时间又浪费晶体，尤其是一些贵重的晶体，很可惜的。一些体积比较小的晶体，由于基准面小测量误差比较大，加工精度无法保证。本发明将激光器的光束调至与内圆切割机的刀片相垂直，在激光束的正上方做一直线N，N上任意点的垂线M通过激光束，晶体的参考面使激光反射点返回原点，利用公式：tg2θ＝Y/L，调整θ1、θ2角，即可准确地确定切割晶体的方向，能一次切割成所需要的任意晶向的晶体，质量、效率高，不浪费晶体，能耗低和节省工序。
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