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公开(公告)号：CN118472046A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410615934.X
申请日：2024-05-17
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/24 , H01L29/267 , H01L21/34 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种基于双极性WSe2的范德华异质结在制备可重构晶体管中的应用。本发明基于双极性WSe2和Ta2NiX5形成的范德华异质结，制备了可重构晶体管，利用底部栅极和源/漏偏压的调控实现了基于二维范德华异质结的可重构器件的构建，可用于逻辑电路领域中，具有单栅极独立调控、制备简单、无需额外的光刻和刻蚀过程的特点。
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公开(公告)号：CN115911151A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211310281.1
申请日：2022-10-25
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/112 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种二硫化铼/锑化镓异质结光电探测器及其制备方法。所述的器件结构从下到上依次为刚性衬底、一维半导体材料GaSb纳米线、二维半导体材料ReS2薄片以及源漏电极，先在衬底上分散GaSb纳米线，使GaSb纳米线置于衬底表面，运用干法转移平台将ReS2薄片转移到GaSb纳米线表面使其形成范德华异质结构，再制备源漏电极，形成光电探测器。本发明的二硫化铼/锑化镓异质结光电探测器在可见光范围内表现出高的响应度，适用于可见光红外探测器领域。
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公开(公告)号：CN113224143B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110436209.2
申请日：2021-04-22
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01L29/267 , H01L29/80 , H01L21/335 , B82Y40/00 , B82Y10/00
Abstract: 本发明公开了一种基于WS2/GaSb结型场效应晶体管及其制备方法。所述的结型场效应晶体管包括衬底、N型WS2薄膜、P型GaSb纳米线、源电极、漏电极和栅电极；P型GaSb纳米线设于衬底的表面，源电极与漏电极设于P型GaSb纳米线表面的两端，N型WS2薄膜设于P型GaSb纳米线表面且位于源电极与漏电极之间；栅电极设于N型WS2薄膜的表面且位于源电极与漏电极之间。本发明将GaSb和WS2二维半导体应用于JFET中，确保了抑制界面缺陷的产生，减少了界面态对载流子输运的影响，并借助JFET没有复杂介电工程的优势，降低器件的亚阈值摆幅，提高开关比和电流密度。
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公开(公告)号：CN112447858B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202011185135.1
申请日：2020-10-29
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01L29/808 , H01L29/267 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种结型场效应晶体管及其制备方法。所述的结型场效应晶体管包括衬底、N型二硫化钨薄膜、P型InGeTe3薄膜、源电极、漏电极和顶栅电极，N型二硫化钨薄膜设于衬底的表面，源电极与漏电极设于N型二硫化钨薄膜表面的两端，P型InGeTe3薄膜设于N型二硫化钨薄膜表面且位于源电极与漏电极之间，顶栅电极设于P型InGeTe3薄膜的表面且位于源电极与漏电极之间。本发明将WS2和InGeTe3应用于JFET中，通过调控P型InGeTe3薄膜的电压来实现N型二硫化钨薄膜中耗尽区的宽度，实现沟道电导的调节，确保抑制界面缺陷的产生，减少界面态对载流子输运的影响，并借助JFET没有复杂介电工程的优势，降低器件的亚阈值摆幅，提高开关比和电流密度。
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公开(公告)号：CN113224143A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110436209.2
申请日：2021-04-22
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01L29/267 , H01L29/80 , H01L21/335 , B82Y40/00 , B82Y10/00
Abstract: 本发明公开了一种基于WS2/GaSb结型场效应晶体管及其制备方法。所述的结型场效应晶体管包括衬底、N型WS2薄膜、P型GaSb纳米线、源电极、漏电极和栅电极；P型GaSb纳米线设于衬底的表面，源电极与漏电极设于P型GaSb纳米线表面的两端，N型WS2薄膜设于P型GaSb纳米线表面且位于源电极与漏电极之间；栅电极设于N型WS2薄膜的表面且位于源电极与漏电极之间。本发明将GaSb和WS2二维半导体应用于JFET中，确保了抑制界面缺陷的产生，减少了界面态对载流子输运的影响，并借助JFET没有复杂介电工程的优势，降低器件的亚阈值摆幅，提高开关比和电流密度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112323143A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011095266.0
申请日：2020-10-14
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本申请提供了一种化学气相沉积制备二维氧化铋纳米片的方法，包括：将氧化铋粉末和氯化钠颗粒混合均匀，得到第一混合料；将所述第一混合料放置于双温区CVD管式炉第一温区内；将衬底放置于所述双温区CVD管式炉第二温区内；使所述双温区CVD管式炉内充盈预设纯度的且压强为175Pa～185Pa的第一惰性气体；对所述第一温区进行加热，对所述第二温区进行加热，将氩气和氧气以110～130:30～60的流量比通入至所述双温区CVD管式炉内进行退火。利用这种化学气相沉积制备二维氧化铋纳米片的方法可以制备得到化学稳定性佳的六边形氧化铋纳米片，并且这种方法在175Pa～185Pa的压强下进行，制备方法安全简单。
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公开(公告)号：CN110342472A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910616305.8
申请日：2019-07-09
Applicant: 南京理工大学
IPC: C01B19/00
Abstract: 本发明提供了一种新型三元化合物InGeTe3单晶的二维超薄材料及其制备方法，首先将In、Ge以及Te三种纯元素按照化学计量比进行混合后封入石英管，利用真空封管烧结技术制得InGeTe3单晶，然后用思高胶带反复撕粘至思高胶带表面无明显起伏，再用热缓释胶带作为转移介质，将单晶转移到其上，再将热缓释胶带上的InGeTe3单晶转移到硅片上，最后利用思高胶带对硅片上的InGeTe3单晶反复撕粘多次，使其减薄，以得到InGeTe3单晶的二维超薄材料。本发明根据热缓释胶带在一定温度下黏性消失的特性，可实现高效率，高产量的转移，保证了转移到硅片上的单晶数量和尺寸适中，为后续在硅片上的再次剥离以得到产率相对较高的超薄少层二维材料提供了保障。
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公开(公告)号：CN107790737A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201711216503.2
申请日：2017-11-28
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种锂插层法制备锑烯。所述方法先将正丁基锂的己烷溶液与锑粉放在高压反应釜中水热，一方面形成Li3Sb，另一方面Li+插入层间，然后加入异丙醇的水溶液反应，此时会生成SbH3和H2两种气体，一定程度地破坏层间的范德华力，最后超声辅助成片。本发明方法效率高、产率高、可重复性高，制得的锑烯尺寸大，可以实现少层锑烯的大规模制备。
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公开(公告)号：CN106395885B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201610817715.5
申请日：2016-09-12
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高纯三元金属氧化物Zn2SnO4纳米晶的制备方法。三元金属氧化物Zn2SnO4具有高迁移率、电子传输速率，高理论容量及宽带隙，可应用于染敏电池、锂离子电池和紫外探测等领域。本发明采用液相激光烧蚀和溶剂热法相结合的方式，通过在溶液中激光烧蚀高纯金属靶材（锌靶和锡靶），获得高活性溶剂热前驱体，经过溶剂热法在较温和条件下反应合成了单一相结构、结晶性良好、形貌均一可控的锡酸锌纳米晶。本发明所采用方法与现有锡酸锌纳米材料制备方法相比具有实验条件温和、纯度高、无杂质元素、缺陷少、环境友好、可重复性高等优点。
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公开(公告)号：CN106629821A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610819145.3
申请日：2016-09-12
Applicant: 南京理工大学
IPC: C01G19/00
CPC classification number: C01G19/00 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/38 , C01P2004/62
Abstract: 本发明公开了一种亚微米羟基锡酸盐ZnSn(OH)6立方块的制备方法。本发明采用液相激光烧蚀与溶剂热法相结合的方式，通过液相激光烧蚀浸没在溶液中的高纯金属靶材（锌靶和锡靶），获得高活性溶剂热前驱体，经过溶剂热法在较温和条件下反应合成了单一相结构、结晶性良好、形貌均一可控的ZnSn(OH)6立方块。本发明所采用方法与现有制备ZnSn(OH)6方法相比具有尺寸在亚微米、纯度高且表面光滑、反应条件温和、无杂质元素和表面活性剂添加等优点，并且溶剂热前驱体具有高活性，反应迅速。
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