公开(公告)号：CN119866079A

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202510006126.8

申请日：2025-01-03

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 朱诚 ,  宋秀峰 ,  陈翔 ,  郭婷婷 ,  赵桐 ,  林渝海

IPC: H10F30/222 ,  H10F77/12 ,  H10F71/00

Abstract: 本发明公开一种二硒化铼黑磷砷异质结光电探测器及其制备方法，该二硒化铼黑磷砷异质结光电探测器包括刚性衬底、AsP薄片、ReSe2薄片、源电极、漏电极，AsP薄片、ReSe2薄片位于刚性衬底上，AsP薄片和ReSe2薄片部分交叠，源电极、漏电极位于刚性衬底上，源电极与AsP薄片连接，漏电极与ReSe2薄片连接。本发明具有对可见光的响应度高的优点。

公开(公告)号：CN118472046A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410615934.X

申请日：2024-05-17

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 郭婷婷 ,  宋秀峰 ,  张胜利 ,  王旭生 ,  贾润萌 ,  林渝海

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L21/34 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种基于双极性WSe2的范德华异质结在制备可重构晶体管中的应用。本发明基于双极性WSe2和Ta2NiX5形成的范德华异质结，制备了可重构晶体管，利用底部栅极和源/漏偏压的调控实现了基于二维范德华异质结的可重构器件的构建，可用于逻辑电路领域中，具有单栅极独立调控、制备简单、无需额外的光刻和刻蚀过程的特点。

公开(公告)号：CN115911151A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211310281.1

申请日：2022-10-25

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 宋秀峰 ,  剪宇轩 ,  王旭生 ,  贾润萌 ,  林渝海 ,  曾海波 ,  陈翔

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/112 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种二硫化铼/锑化镓异质结光电探测器及其制备方法。所述的器件结构从下到上依次为刚性衬底、一维半导体材料GaSb纳米线、二维半导体材料ReS2薄片以及源漏电极，先在衬底上分散GaSb纳米线，使GaSb纳米线置于衬底表面，运用干法转移平台将ReS2薄片转移到GaSb纳米线表面使其形成范德华异质结构，再制备源漏电极，形成光电探测器。本发明的二硫化铼/锑化镓异质结光电探测器在可见光范围内表现出高的响应度，适用于可见光红外探测器领域。