公开(公告)号：CN119866079A

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202510006126.8

申请日：2025-01-03

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 朱诚 ,  宋秀峰 ,  陈翔 ,  郭婷婷 ,  赵桐 ,  林渝海

IPC: H10F30/222 ,  H10F77/12 ,  H10F71/00

Abstract: 本发明公开一种二硒化铼黑磷砷异质结光电探测器及其制备方法，该二硒化铼黑磷砷异质结光电探测器包括刚性衬底、AsP薄片、ReSe2薄片、源电极、漏电极，AsP薄片、ReSe2薄片位于刚性衬底上，AsP薄片和ReSe2薄片部分交叠，源电极、漏电极位于刚性衬底上，源电极与AsP薄片连接，漏电极与ReSe2薄片连接。本发明具有对可见光的响应度高的优点。

公开(公告)号：CN119059555A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202310642364.9

申请日：2023-06-01

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 陈翔 ,  李林芸 ,  熊云海 ,  刘本强 ,  赵桐 ,  吴林祥

IPC: C01G29/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种过渡金属原子掺杂二维氧化铋纳米片的制备方法。所述方法以二维单层过渡金属硫化物或过渡金属硒化物作为母体材料，将Bi2O3粉末和NaCl颗粒均匀混合放入石英舟中置于双温区CVD管式炉中第一温区，将生长有二维单层过渡金属硫化物或过渡金属硒化物的蓝宝石衬底放置在第二温区，使用混合载气Ar/O2，通过调控升温速率、保温时间、压强、总载气流量，得到不同形貌和厚度的过渡金属原子掺杂二维氧化铋纳米片。本发明方法制得的过渡金属原子掺杂二维氧化铋纳米片的厚度和尺寸可调控，且化学性质稳定，适用于开发高性能过渡金属原子掺杂的二维Bi2O3半导体材料并应用于电子器件。

公开(公告)号：CN117800390A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202211164396.4

申请日：2022-09-23

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 陈翔 ,  史鑫宇 ,  张侃 ,  宋秀峰 ,  赵桐 ,  曲开瑞

IPC: C01G29/00

Abstract: 本发明公开了一种溶液辅助法制备二维铋氧硫薄膜的方法。所述方法将Bi(NO3)3·5H2O粉末溶于乙二醇中配置前驱体溶液，然后旋涂于硅片衬底表面，退火形成Bi2O3薄膜，再以硫粉作为前驱体粉末置于双温区管式炉的第一温区，Bi2O3薄膜置于双温区管式炉的第二温区，升温硫化得到大面积的二维Bi2O2S薄膜。本发明通过调控前驱体的浓度、匀胶机的转速来调控制备薄膜的厚度以及均匀性，薄膜厚度可以精确控制到10nm，实现了二维尺度稳定可控且高质量的Bi2O2S薄膜的大面积制备。