一种基于杂化钙钛矿的一次写入多次读取存储器及其制备方法

    公开(公告)号:CN111341912A

    公开(公告)日:2020-06-26

    申请号:CN202010155522.4

    申请日:2020-03-09

    Abstract: 本发明公开了一种基于杂化钙钛矿的一次写入多次读取存储器及其制备方法,涉及半导体材料及功能器件技术领域。本发明的阻变存储器从下至上依次包括玻璃基底、底电极、杂化钙钛矿阻变层和顶电极。其中:所述阻变层材料为CH3NH3PbBr3薄膜,采用溶液法在空气中制备钙钛矿薄膜的工艺。本发明的存储器制备方法如下:在预处理过的底电极表面旋涂CH3NH3PbBr3薄膜层;在所述CH3NH3PbBr3薄膜层表面蒸镀金属电极。本发明采用的原料易得,且制备工艺流程简单、绿色环保、可操作性强,制备的阻变存储器结构简单、写入电压低、开关比高,有利于产业化应用。

    一种二维三维钙钛矿异质结阻变存储器及其制备方法

    公开(公告)号:CN111244275A

    公开(公告)日:2020-06-05

    申请号:CN202010084573.2

    申请日:2020-02-10

    Abstract: 本发明公开了一种二维三维钙钛矿异质结阻变存储器及其制备方法,涉及半导体材料及功能器件技术领域。本发明的阻变存储器从下至上依次包括玻璃基底、底电极、三维卤化物钙钛矿阻变层、二维卤化物钙钛矿界面层和顶电极。本发明仅通过在顶电极与三维钙钛矿薄膜层之间添加二维钙钛矿界面层,形成二维三维钙钛矿异质结,利用二维钙钛矿的表面钝化作用,使本发明中的阻变存储器的开关比明显提高,降低了器件功耗。另外,本发明原料来源广泛,成本低,制备工艺简单,有利于产业化应用。

    一种基于直链有机二胺低维钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN108336249B

    公开(公告)日:2020-03-27

    申请号:CN201810154045.2

    申请日:2018-02-22

    Abstract: 本发明涉及一种基于直链有机二胺低维钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用,属于光电子材料与器件领域。该发明将不同碳链有机二胺分别与氯甲胺、碘化铅按不同的化学计量比溶解至醋酸甲胺溶液中,配制成钙钛矿前驱体溶液,然后利用加热旋涂法将其旋涂至已沉积有PEDOT:PSS的ITO基片上,经过退火形成致密均匀且高稳定的钙钛矿薄膜,整个过程完全在空气中操作。然后在薄膜上旋涂PCBM电子传输层,再利用真空蒸镀技术蒸镀修饰层LiF以及金属Al电极,完成器件的制备。

    一种低维氯化钙钛矿薄膜及太阳能电池制备方法

    公开(公告)号:CN109768162A

    公开(公告)日:2019-05-17

    申请号:CN201811471342.6

    申请日:2018-12-04

    Abstract: 本发明涉及一种基于低维氯化钙钛矿薄膜及太阳能电池制备方法,属于光电材料与器件领域。该发明对低维钙钛矿前驱体原料中的卤化有甲胺的卤素进行替换,将氯引入到低维钙钛矿中,在沉积有空穴传输层的ITO玻璃基底上进行简单的一步旋涂,制备出比常见的纯碘化低维钙钛矿更平整且高质量的低维氯化钙钛矿薄膜,经过退火处理后,得到的薄膜相较于低维纯碘化钙钛矿薄膜,表面更加平整致密。利用上述薄膜所制备的低维氯化钙钛矿太阳能电池具有较高的光电转化效率和良好的器件稳定性。

    一种基于醋酸甲胺室温熔盐作绿色溶剂制备钙钛矿太阳能电池及其方法和应用

    公开(公告)号:CN108666424A

    公开(公告)日:2018-10-16

    申请号:CN201810010359.5

    申请日:2018-01-05

    Abstract: 本发明涉及一种基于醋酸甲胺室温熔盐作绿色溶剂制备钙钛矿太阳能电池及其方法和应用,属于光电子材料与器件领域。该发明将醋酸和甲胺按照1:1.5的化学计量比冰水浴搅拌2小时,在旋转蒸发器上旋蒸至无液滴滴下制备出醋酸甲胺室温熔盐。然后将碘化铅和氯甲胺按照1:1的化学计量比溶解在醋酸甲胺溶液中,配制成钙钛矿前躯体溶液,利用热旋涂技术将前躯体溶液分别旋涂在已经有空穴传输层或电子传输层的ITO导电基板上,经过退火形成致密均匀且高稳定的钙钛矿薄膜,整个过程完全在空气中操作。然后在薄膜上旋涂电子传输层或者空穴传输层,利用真空蒸镀技术蒸镀修饰层以及金属Al电极。

    一种FAPbI3钙钛矿薄膜及制备高效的钙钛矿太阳能电池的方法

    公开(公告)号:CN114678472B

    公开(公告)日:2025-05-02

    申请号:CN202210284744.5

    申请日:2022-03-22

    Abstract: 本发明涉及一种制备FAPbI3钙钛矿薄膜及其高效的钙钛矿太阳能电池的方法,属于光电子材料与器件领域。该发明中纯相FAPbI3薄膜的制备采用一步法将乙酸铵作为添加剂与钙钛矿组分溶于N,N‑二甲基甲酰胺作为前驱体溶液旋涂在已经有电子传输层的FTO导电基板上,经过退火制备均匀致密的钙钛矿薄膜,整个过程在无水无氧的手套箱内进行。随后在薄膜上进行后续处理以及Spiro‑OMeTAD作为空穴传输层,再利用真空蒸镀技术蒸镀MoO3修饰层以及金属电极以完成器件的制备。该方法所制备的纯相FAPbI3钙钛矿太阳能电池具有优异的光电转化效率,并且本发明采用乙酸铵作为添加剂使得可以一步法制备纯相甲脒基钙钛矿太阳能电池。

    一种在高湿度环境下制备CsPbI3钙钛矿薄膜及其高效太阳能电池的方法及应用

    公开(公告)号:CN114284439B

    公开(公告)日:2025-02-28

    申请号:CN202110117031.5

    申请日:2021-01-28

    Abstract: 本发明涉及一种在高湿度环境下制备CsPbI3钙钛矿薄膜及其高效的钙钛矿太阳能电池的方法及应用,属于光电子材料与器件领域。该发明中全无机CsPbI3薄膜的制备采用热旋涂技术将以醋酸甲胺作为溶剂的前驱体溶液旋涂在已经有电子传输层的FTO导电基板上,经过梯度退火,制备致密均匀的钙钛矿薄膜,整个过程在相对湿度为40%‑80%的空气中完成。随后在薄膜上旋涂界面修饰层以及Spiro‑OMeTAD作为空穴传输层,再利用真空蒸镀技术蒸镀MoO3修饰层以及金属电极以完成器件的制备。该方法在高湿度的空气中所制备的CsPbI3全无机钙钛矿太阳能电池具有优异的光电转化效率。

    一种钙钛矿/晶硅四端叠层太阳能电池及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN119156034A

    公开(公告)日:2024-12-17

    申请号:CN202310705973.4

    申请日:2023-06-14

    Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿/晶硅四端叠层太阳能电池及其制备方法和应用。该钙钛矿/晶硅四端叠层太阳能电池,包括顶电池和底电池,所述顶电池为钙钛矿太阳能电池,所述底电池为晶硅电池;所述顶电池包括依次层叠设置的导电基底层、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层、修饰层和半透明金属电极层;所述半透明金属电极层是由介质1/Al/Ag/介质2依次层叠形成的多层结构;所述介质1和介质2均为透明材料。本发明利用介质1/Al/Ag/介质2多层结构的半透明金属电极替代ITO电极,既拓宽了钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池的光谱响应范围,提高了太阳能电池效率,同时降低了制备成本,适合大面积制备,有利于商业产业化。

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