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公开(公告)号：CN109768162A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201811471342.6
申请日：2018-12-04
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种基于低维氯化钙钛矿薄膜及太阳能电池制备方法，属于光电材料与器件领域。该发明对低维钙钛矿前驱体原料中的卤化有甲胺的卤素进行替换，将氯引入到低维钙钛矿中，在沉积有空穴传输层的ITO玻璃基底上进行简单的一步旋涂，制备出比常见的纯碘化低维钙钛矿更平整且高质量的低维氯化钙钛矿薄膜，经过退火处理后，得到的薄膜相较于低维纯碘化钙钛矿薄膜，表面更加平整致密。利用上述薄膜所制备的低维氯化钙钛矿太阳能电池具有较高的光电转化效率和良好的器件稳定性。
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