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公开(公告)号：CN115692538A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211400883.6
申请日：2022-11-09
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于Mxene‑铝铟镓氮异质结的自驱动紫外光探测器及其制备方法，其衬底材料为蓝宝石基片上外延生长的AlInGaN半导体，探测器表面分别为金属电极、Mxene薄层和测试电极，其中Mxene与AlInGaN构成异质结。Mxene和AlInGaN的功函数差使得异质结界面处产生肖特基势垒，可在零偏压下分离光生电子/空穴对，输出光电流，即探测器具备自驱动功能。Mxene薄层具有良好的紫外透光性，能够扩大器件的感光面积，同时探测器的负极退火后与AlInGaN形成欧姆接触，可快速收集电子，提高探测器的工作效率。本发明还提供了Mxene‑AlInGaN异质结的激光剥离转移方法，可进一步制得柔性自驱动紫外光探测器。
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公开(公告)号：CN103383980B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201310256681.3
申请日：2013-06-25
Applicant: 南京大学
Abstract: 利用紫外软压印制备有序氮化镓纳米柱阵列的方法，在氮化镓衬底上生长介质薄膜，利用紫外软压印双层胶剥离技术得到金属有序纳米柱（孔）结构，通过反应离子刻蚀方法得到直径变化可调的介质纳米柱（孔）结构，并利用感应耦合等离子体（ICP）刻蚀得到直径不同的氮化镓有序纳米柱（孔）阵列。在氮化镓衬底上生长包括SiO2、SiNx的一层介质薄膜，将PMMA和紫外固化胶依次旋涂在衬底样品表面;利用紫外软压印技术在紫外固化胶上形成大面积、低缺陷的有序纳米孔（柱）阵列结构，接着利用反应离子刻蚀技术刻蚀残余胶和PMMA，随后蒸镀金属薄膜剥离得到金属纳米柱（孔）阵列结构。反应离子刻蚀方法刻蚀介质薄膜层结构，得到直径变化可调的介质纳米柱（孔）结构。
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公开(公告)号：CN103383980A
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201310256681.3
申请日：2013-06-25
Applicant: 南京大学
Abstract: 利用紫外软压印制备有序氮化镓纳米柱阵列的方法，在氮化镓衬底上生长介质薄膜，利用紫外软压印双层胶剥离技术得到金属有序纳米柱（孔）结构，通过反应离子刻蚀方法得到直径变化可调的介质纳米柱（孔）结构，并利用感应耦合等离子体（ICP）刻蚀得到直径不同的氮化镓有序纳米柱（孔）阵列。在氮化镓衬底上生长包括SiO2、SiNx的一层介质薄膜，将PMMA和紫外固化胶依次旋涂在衬底样品表面;利用紫外软压印技术在紫外固化胶上形成大面积、低缺陷的有序纳米孔（柱）阵列结构，接着利用反应离子刻蚀技术刻蚀残余胶和PMMA，随后蒸镀金属薄膜剥离得到金属纳米柱（孔）阵列结构。反应离子刻蚀方法刻蚀介质薄膜层结构，得到直径变化可调的介质纳米柱（孔）结构。
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公开(公告)号：CN102420277A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110360361.3
申请日：2011-11-15
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种制备高密度氮化镓量子点有源层结构的方法，步骤如下：1)在GaN模板或其它半导体薄膜表面沉积一层SiO2或SiNx介质薄膜材料，厚度为10～50nm，将PS和PMMA混合共聚物涂刷至介质薄膜表面，清洗PMMA后获得PS纳米柱图形，采用等离子体刻蚀将PS纳米柱图形转移至介质薄膜层上；将纳米柱图形制备如下参数：面密度达到0.8～1.0×1011cm-2；2)采用反应离子刻蚀将纳米柱点阵图形转移至SiNx或SiO2介质薄膜层，去掉聚苯乙烯获得可供MOCVD二次生长GaN纳米点结构的模板；3)GaN基量子点结构生长，GaN量子点结构发射强烈的蓝紫光，用于制作高效率发光二极管(LED)和激光器(LD)光电子器件中有源层结构。
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公开(公告)号：CN119967956A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510437285.3
申请日：2025-04-09
Applicant: 南京大学
IPC: H10H20/812 , H10H20/825 , H10H20/815
Abstract: 本发明公开了一种具有量子阱梯度结构的长波长红光LED，自下而上依次包括重掺n型GaN层、n型GaN层、InGaN量子阱层、GaN势垒层、p型GaN层；InGaN量子阱层包括若干个n取值不同的InnGa1‑nN层，0
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119788270A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411962955.5
申请日：2024-12-30
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于Micro‑LED的高保密性密钥系统，包括：密钥生成系统；Micro‑LED显示阵列；环境检测模块；微小图形检测模块；其中密钥生成系统对数据进行加密计算后，输出控制Micro‑LED显示阵列发光的密钥图形数据；微小图形检测模块采用光电探测器检测Micro‑LED显示阵列的发光信号，并对密钥图案进行解码处理并验证；环境检测模块用于检测Micro‑LED显示阵列与微小图形检测模块的对准情况和距离，并决定是否启动微小图形检测模块。本发明的基于Micro‑LED的高保密性密钥系统，利用Micro‑LED技术的优势，确保生成的密钥在任何情况下都能保持高度保密性。通过将密钥转化为高分辨率的图案，并在Micro‑LED屏幕上显示，只有在非常近距离下才能辨认图案，从而保护了密钥的安全性。
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公开(公告)号：CN119277863A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411354665.2
申请日：2024-09-27
Applicant: 南京大学
IPC: H10H20/813 , H10H20/812
Abstract: 本发明公开了一种非直流驱动的LED外延片结构，包括由多个PN结单元堆叠的周期性结构，每一个PN结单元包括P型GaN层、多量子阱层、N型GaN层，两个相邻的PN结单元之间还设有一多量子阱层。本发明的LED外延片采用了多重串联的结构方式，包括多个多重串联的PN结，构成多个发光区域。在交流电驱动的条件下，每一个PN结交替正向导通发光和反向击穿，从而在施加正向电压和反向电压时均可以导通，提高发光效率，延长LED的使用寿命。本发明用于解决现有技术中采用交流驱动时发光效率过低，在反向击穿过程中不发光使得功率损耗较大的问题，同时设置了多个量子阱的发光区域，可以设置不同的发光波长，使得LED的发光波长具有更多选择。
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公开(公告)号：CN104868023A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510237489.9
申请日：2015-05-11
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/005
Abstract: 本发明公开了一种III族氮化物半导体/量子点混合白光LED器件，所述白光LED器件在p型电极和n型电极外的区域设有有序的纳米孔阵列，纳米孔阵列的深度从器件表面穿过量子阱有源层，直至n型氮化物层内部，所述纳米孔阵列内填充有II-VI族量子点。还公开了其制备方法。该类器件利用铟镓氮(InGaN)量子阱与II-VI量子点中激子间的非辐射复合能量转移，提高器件发光效率；通过改变填充量子点的种类和配比，以调节发光波长与强度，能够实现超高显色指数的氮化物/量子点混合结构的白光LED器件。
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公开(公告)号：CN102420277B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110360361.3
申请日：2011-11-15
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种制备高密度氮化镓量子点有源层结构的方法，步骤如下：1)在GaN模板或其它半导体薄膜表面沉积一层SiO2或SiNx介质薄膜材料，厚度为10～50nm，将PS和PMMA混合共聚物涂刷至介质薄膜表面，清洗PMMA后获得PS纳米柱图形，采用等离子体刻蚀将PS纳米柱图形转移至介质薄膜层上；将纳米柱图形制备如下参数：面密度达到0.8～1.0×1011cm-2；2)采用反应离子刻蚀将纳米柱点阵图形转移至SiNx或SiO2介质薄膜层，去掉聚苯乙烯获得可供MOCVD二次生长GaN纳米点结构的模板；3)GaN基量子点结构生长，GaN量子点结构发射强烈的蓝紫光，用于制作高效率发光二极管(LED)和激光器(LD)光电子器件中有源层结构。
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