-
公开(公告)号：CN103117252B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201310058620.6
申请日：2013-02-25
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种对二维封装柔性基板进行三维折叠封装的方法，包括：采用两个开口相对的U型真空槽对一个二维封装柔性基板进行折叠，并将该二维封装柔性基板真空吸附于该两个U型真空槽内壁，形成一个三维折叠封装单元；将多个该三维折叠封装单元开口向上密集排布于底板上，形成三维折叠封装单元阵列；从该三维折叠封装单元阵列中每个三维折叠封装单元开口内的空间对该三维折叠封装单元阵列加注灌封材料，灌封材料加满后将该三维折叠封装单元阵列置于热板上加热固化；释放真空，形成多个柔性基板三维封装体。本发明实现二维封装柔性基板的三维折叠封装，可在同一设备上完成柔性基板的弯折和灌封工艺，大大简化和优化了传统的封装工艺。
-
公开(公告)号：CN103915423A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410136630.1
申请日：2014-04-04
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种芯片三维堆叠封装结构，实现了芯片在基板上的多层堆叠，保证了完成整个封装后结构的平衡，有效避免了封装结构的翘曲和内部芯片的碎裂，其包括PCB基板，其特征在于：所述PCB基板上设置有窗口，所述PCB基板上堆叠有多层芯片，所述多层芯片中的部分芯片套装在所述窗口内，本发明同时还提供了一种芯片三维堆叠封装结构的封装方法。
-
公开(公告)号：CN103904066A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410136124.2
申请日：2014-04-04
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
CPC classification number: H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2924/15151 , H01L2924/15311
Abstract: 本发明提供了一种倒装芯片堆叠封装结构，实现了芯片在基板上的多面堆叠，保证了完成整个封装后结构的平衡，有效避免了封装结构的翘曲和内部芯片的碎裂，其包括PCB基板，PCB基板上设置有窗口，PCB基板上封装有多层芯片，多层芯片间通过第一焊球、焊盘连接，多层芯片中上层芯片的长度长于多层芯片中下层芯片的长度，多层芯片中的下层芯片套装在窗口内，多层芯片中上层芯片与PCB基板间通过第二焊球、焊盘连接，PCB基板上与第二焊球对应面设置有第三焊球，所述上层芯片与所述下层芯片通过塑封材料连接PCB基板，成型塑封结构，形成对芯片的密封，本发明同时还提供了一种倒装芯片堆叠封装结构的封装方法。
-
公开(公告)号：CN103354227A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201310242861.6
申请日：2013-06-18
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L25/16
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种堆叠封装器件，其包括：第一封装元件，其包括第一基板和安装于第一基板上的第一半导体晶片；第二封装元件，其包括第二基板和安装于第二基板上的第二半导体晶片；夹持于第一基板的下表面和第二基板的上表面之间的互连部件，其包括与第一基板的下表面上接触的第一各向异性导电胶层、与第二基板的上表面接触的第二各向异性导电胶层和夹持在第一和第二各向异性导电胶层之间的第三基板，两个各向异性导电胶层在垂直于第一基板的延伸方向的纵向上导电。这样的互连部件中的相邻两个连接垫片之间的间距可以很小，不需要使用焊接球和激光钻孔，不需要考虑短路的问题，其属于堆叠封装中的一种全新的互连方案。
-
公开(公告)号：CN103354225A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201310242862.0
申请日：2013-06-18
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种堆叠封装器件，其包括：第一封装元件、第二封装元件、多个第一互连部件和多个第二互连部件。第一封装元件包括第一基板和安装于第一基板的第一表面上的第一半导体晶片。第二封装元件包括第二基板和安装于第二基板的第二表面上的第二半导体晶片。每个第一互连部件的一端连接于第一基板的第二表面，另一端连接于第二基板的第一表面。第三封装元件包括第三基板和安装于第三基板的第一表面上的第三半导体晶片。每个第二互连部件的一端连接于第一基板的第二表面或第二基板的第一表面，另一端连接于第三基板的第一表面。这种结构充分利用了第一封装元件和第二封装元件之间的缝隙，从而从整体上降低了多层堆叠封装器件的厚度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106449590B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201610981072.8
申请日：2016-11-08
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/52 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/488 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/568 , H01L23/3135 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16225 , H01L2224/19 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明实施例公开了一种半导体存储模块及其制作方法，所述半导体存储模块包括自下而上依次堆叠的控制芯片组和至少两个存储芯片组,相邻的两个存储芯片组的第一重布线层通过层间导电柱电连接,控制芯片组的第二重布线层与相邻的存储芯片组通过区域间导电柱电连接，存储芯片组包括依次堆叠的至少两个存储芯片，和位于至少两个存储芯片下方的第一复合绝缘层，至少两个存储芯片的第一层内导电柱错开预设角度，以与第一重布线层电连接，控制芯片组包括控制芯片，和位于控制芯片下方的第二复合绝缘层，控制芯片的第二层内导电柱与第二重布线层电连接。综上，可以提高存储模块的存储能力和控制能力，减小存储模块尺寸，以及实现存储模块的晶圆级制造。
-
公开(公告)号：CN105244307B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201510551598.8
申请日：2015-09-01
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/48 , H01L21/56
CPC classification number: H01L21/568 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/73267 , H01L2224/9222 , H01L2224/92244
Abstract: 本发明提供了一种扇出型封装结构的制作方法，在晶圆正面覆盖防护层后切割成单个芯片，将芯片正贴到涂覆临时键合薄膜的承载片上，然后覆盖第一绝缘树脂层，第一绝缘树脂层高出芯片上防护层。将第一绝缘树脂层减薄，然后去掉防护层露出芯片正面和电极。再涂覆第二绝缘树脂层并形成开口，制作重布线层后涂覆第三绝缘树脂层并形成开口，露出重布线层的焊盘，在焊盘表面形成导电柱后，去除承载片和临时键合薄膜并在第一绝缘树脂层和芯片背面形成保护层。发明的封装结构中不带承载片，有利于降低封装厚度，同时也扩大了技术的应用范围；而且芯片中未制作铜柱，有利于成本的降低。
-
公开(公告)号：CN106653628A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610980670.3
申请日：2016-11-08
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/31 , H01L25/065
CPC classification number: H01L21/568 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16227 , H01L2224/19 , H01L2224/32145 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2924/18162 , H01L24/10 , H01L23/3114 , H01L25/0657
Abstract: 本发明实施例公开了一种半导体存储器及其制作方法，所述半导体存储器包括自下而上依次堆叠的至少两个存储芯片组，上下相邻的两个所述存储芯片组的重布线层通过层间导电柱电连接，且位于最下方的存储芯片组的重布线层与对外连接凸块电连接；所述存储芯片组包括依次堆叠的至少两个存储芯片，以及位于所述至少两个存储芯片下方的复合绝缘层，所述至少两个存储芯片包封为一体结构，所述重布线层设置在所述复合绝缘层中，所述至少两个存储芯片的层内导电柱错开预设角度，以分别与所述重布线层电连接。本发明实现了半导体存储器的大容量和高集成度，并且有效提高了存储器的堆叠效率，降低了堆叠难度。
-
公开(公告)号：CN103354227B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310242861.6
申请日：2013-06-18
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L25/16
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种堆叠封装器件，其包括：第一封装元件，其包括第一基板和安装于第一基板上的第一半导体晶片；第二封装元件，其包括第二基板和安装于第二基板上的第二半导体晶片；夹持于第一基板的下表面和第二基板的上表面之间的互连部件，其包括与第一基板的下表面上接触的第一各向异性导电胶层、与第二基板的上表面接触的第二各向异性导电胶层和夹持在第一和第二各向异性导电胶层之间的第三基板，两个各向异性导电胶层在垂直于第一基板的延伸方向的纵向上导电。这样的互连部件中的相邻两个连接垫片之间的间距可以很小，不需要使用焊接球和激光钻孔，不需要考虑短路的问题，其属于堆叠封装中的一种全新的互连方案。
-
公开(公告)号：CN103400814B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201310334123.4
申请日：2013-08-03
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供了一种柔性基板封装结构，可以有效防止灌封材料的泄露，避免了泄露的灌封材料对基板其他区域构成污染，保证了后续的植球及测试工艺的正常进行，其包括柔性基板，所述柔性基板上中央芯片、第一芯片和第二芯片，其特征在于：所述中央芯片上对应所述柔性基板两端在所述中央芯片上的弯曲位置设置有mold塑胶层，所述中央芯片和所述mold塑胶层上设置有片胶层，所述mold塑胶层两侧通过所述柔性基板弯曲成型所述第一芯片和所述第二芯片，所述第一芯片和所述第二芯片成型在所述mold塑胶层两侧所述中央芯片上的所述片胶上，本发明同时提供了一种柔性基板封装结构的封灌方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
66
records
(took 0.069 seconds)
