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公开(公告)号：CN117706153A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311696381.7
申请日：2023-12-12
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明提供了一种宽频段多线圈Rogowski电流传感器，属于电流测量领域，宽频段多线圈Rogowski电流传感器包括信号处理电路及多个匝数不同的Rogowski线圈。多个Rogowski线圈套设在载流导体上，且多个Rogowski线圈均与信号处理电路连接；载流导体用于接收被测电流，使被测电流流经多个Rogowski线圈所围成的截面；多个Rogowski线圈分别输出与被测电流的时间微分成正比的电压信号；信号处理电路用于对各Rogowski线圈输出的电压信号进行积分，并加和，得到与被测电流成正比的电压信号。本发明增加了Rogowski电流传感器的有效频段宽度，提高了电流测量的准确度。
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公开(公告)号：CN114362491B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202210028848.X
申请日：2022-01-11
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 阻性负载下的碳化硅MOSFET半桥串扰电压峰值计算方法，包括：在上桥器件导通后，联立上桥驱动回路和主功率回路KVL方程获得上桥栅压表达式；应用饱和区电流公式获得上桥漏电流表达式；基于损耗守恒将下桥驱动电阻等效至漏源极支路，根据等效后下桥器件与负载组成回路的KVL方程获得下桥漏源电压表达式；根据下桥驱动回路KVL方程获得串扰电压表达式，对串扰电压表达式求最值获得串扰电压峰值。本发明每个步骤均只存在单变量，实现了阻性负载下，上下桥器件驱动电压、母线电压量的解耦，获得了阻性负载下串扰电压峰值表达式；本发明可有效评估阻性负载下串扰电压的影响因素，并对保证下桥器件安全运行的参数选取范围给出指导和建议。
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公开(公告)号：CN108598074B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN201810616670.4
申请日：2018-06-15
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明公开了一种新型封装结构的功率模块。该功率模块包括：第一直流侧端子、第二直流侧端子、交流侧端子、第一驱动端子、第二驱动端子、第一碳化硅金属氧化物半导体场效应管、第二碳化硅金属氧化物半导体场效应管、二极管以及底座；第一直流侧端子、第二直流侧端子、交流侧端子、第一驱动端子以及第二驱动端子设置在底座的上表面；第一直流侧端子与第二直流侧端子位于同一轴线上。本发明所提供的同轴结构的直流侧端子能够有效地减小直流侧端子的距离并增大其耦合面积，增大直流侧端子的互感，减小功率模块的封装电感，进一步减小功率模块内部碳化硅MOSFET在开关瞬态和短路情况下所承受的电压过冲，减小功率模块的开关损耗。
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公开(公告)号：CN108387831B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN201810565170.2
申请日：2018-06-04
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种3000A半导体器件的功率循环试验系统。该系统包括：焊接式半导体器件测试柜、压接式半导体器件测试柜、控制柜和水冷系统；控制柜与焊接式半导体器件测试柜或压接式半导体器件测试柜电连接；控制柜内的电源放置区设置3000A直流电源；水冷系统通过管道与测试柜连接；焊接式半导体器件测试柜的内部设置多组待测焊接式半导体器件组，每组所述待测焊接式半导体器件组均包括多个待测焊接式半导体器件；压接式半导体器件测试柜的内部设置多组待测压接式半导体器件组，每组待测压接式半导体器件组均包括多个待测压接式半导体器件。本发明可同时测试三个以上数量的半导体
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公开(公告)号：CN117252140A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311237997.8
申请日：2023-09-25
Applicant: 华北电力大学 , 国网山西省电力公司电力科学研究院
IPC: G06F30/367 , H02M1/32 , H02M1/00 , G16C20/00
Abstract: 碳化硅MOSFET的关断暂态过程的建模方法，包括：结合混合式直流断路器拓扑结构及其运行原理，考虑碳化硅MOSFET内部寄生参数和外部驱动参数以及转移支路、耗能支路电路参数，通过对转移支路碳化硅MOSFET微秒级关断暂态过程的精确建模，获得器件关断暂态过程中漏极电压、栅极电压表达式，分析关键参数对碳化硅MOSFET关断电压过冲的影响规律，并对器件关断后的振荡阶段进行研究。本发明可以有效评估混合式直流断路器转移支路用碳化硅MOSFET关断电压过冲的影响因素，对器件关断暂态电压建立过程的相关应力考核的更为全面，能够用于保证混合式直流断路器转移支路用碳化硅MOSFET的安全运行的参数选取范围给出指导和建议。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109827693B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201910220725.4
申请日：2019-03-22
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01L5/00
Abstract: 本发明公开了一种压接型功率半导体器件内部压力分布测量系统，包括集电极、发射极和子模组；集电极、子模组和发射极依次接触连接；子模组设置在集电极和发射极之间；其中，子模组包括半导体芯片、热流及电流传导结构和压力传感器，集电极、半导体芯片、热流及电流传导结构及发射极依次接触连接；压力传感器分别与热流及电流传导结构内壁底面和端面接触连接。本发明提供的压接型功率半导体器件内部压力分布测量系统能够降低对压力传感器的要求，实现对任意工况下芯片压力分布情况准确测量，突破现有测量方法在正常工况条件下测量的局限性。
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公开(公告)号：CN116224007A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310194082.7
申请日：2023-02-23
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 碳化硅MOSFET双极退化脉冲实验平台及计算方法，包括功率输入单元、实验测试单元、驱动单元、开关控制单元、连接单元、测量单元。本发明提出的碳化硅MOSFET双极性退化加速老化实验平台符合器件的实际工况，可以解耦其他退化机制对于双极退化的影响，便于实验结果分析，通过分析对实验PCB板进行合理设计，抑制了寄生参数对实验结果的影响，提出的参数指标计算方法有助于选择合适的实验设备，降低了实验成本，考虑到实验器件参数漂移影响，采集实验电路反馈的脉冲电流有效值信息，通过实时调节功率源电压，使采集电流与预设值电流差值满足精度要求，保证实验过程中脉冲电流应力不变。
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公开(公告)号：CN115877153A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211545915.1
申请日：2022-12-05
IPC: G01R31/20
Abstract: 本发明提供一种含气泡硅凝胶样品的制备方法、气泡含量检测方法及系统，属于高压绝缘领域，制备方法包括：将硅凝胶样品分为三份；将第一份硅凝胶样品灌封进容器中，并进行脱气处理；对第二份硅凝胶样品进行搅拌，以使第二份硅凝胶样品中引入气泡，并将搅拌后的第二份硅凝胶样品倒入容器中；对第三份硅凝胶样品进行脱气处理，并将脱气处理后的第三硅凝胶样品倒入容器中，以得到含气泡硅凝胶样品；能够在不破坏硅凝胶完整性的前提下，制备目标位置处含气泡的硅凝胶样品。通过采集含气泡硅凝胶样品的图像，并对图像的RGB值进行加权求和，结合无气泡硅凝胶样品图像中像素的灰度平均值，准确计算出含气泡硅凝胶样品的气泡含量。
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公开(公告)号：CN113281623B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202110525921.X
申请日：2021-05-14
Abstract: 本发明涉及了一种硅凝胶灌封腔体，所述硅凝胶灌封腔体包括：绝缘腔体、钨针和低压端金属电极；所述低压端金属电极设置在所述绝缘腔体的底端；所述钨针设置在所述绝缘腔体的内壁上；在进行测试时，待测聚酰亚胺片放置在低压端金属电极上表面；向所述绝缘腔体内灌注硅凝胶液体，待硅凝胶液体固化后，所述钨针输入正极性重复方波，所述低压端金属电极连接低电位。绝缘腔体可以保证重复性方波作用下放电只发生在硅凝胶—聚酰亚胺界面，不会在腔体上发生放电，而且本发明设置了钨针，以为沿面放电界面构建极不均匀电场，本发明提供了一种能够进行正极性重复方波作用下的硅凝胶—聚酰亚胺界面沿面放电特性的测试装置。
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公开(公告)号：CN113092979B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110409385.7
申请日：2021-04-16
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 华北电力大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种MMC工况功率半导体器件测试电路及控制方法。测试电路中电流模块包括：电压源和多个并联的H桥变换器单元；H桥变换器单元与电压源串联；H桥变换器单元包括：第一二极管、第一电容、H桥变换器及两个桥臂电感；电压源的正极与第一二极管的正极连接，第一二极管的负极与第一电容的一端及H桥变换器的两个桥臂的输入端连接，H桥变换器的两个桥臂的输出端及第一电容的另一端与电压源的负极连接；桥臂中点连接一桥臂电感，两桥臂电感之间串联被测功率半导体器件；电压模块串联在两桥臂电感之间的电流回路；电流控制模块与电流源模块及电压模块连接；电压控制模块与电压模块连接。本发明提高了MMC工况功率半导体器件测试系统的可靠性。
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