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公开(公告)号：CN112526218B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202011300376.6
申请日：2020-11-19
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明属于液体介电常数测量相关技术领域，其公开了一种液体相对介电常数的测量方法及系统，该方法包括：将待测液体滴加至介电材料层表面，获取此时所述待测液体的液滴与所述介电材料层的第一接触角；在所述介电材料层的背面设置至少覆盖所述液滴的金属层，将所述金属层和液滴分别与电源的正极和负极连接，以对所述液滴施加电压，稳定后获取此时所述液滴与所述介电材料层的第二接触角；根据上述第一接触角和第二接触角获取所述待测液体的相对介电常数。本申请中的方法和系统操作简单，普适性广，测量精度高。
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公开(公告)号：CN112921307A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110073652.8
申请日：2021-01-20
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于光学检测相关技术领域，并公开了一种用于提升MOCVD喷淋均匀性的光学检测装置。该装置包括生长反应单元和光学检测反馈调控单元，生长反应单元包括反应腔体、喷淋头、基座和加热器，气体从进气口进入喷淋头后，从喷淋头中喷出，在被加热后的基板上发生分解反应；光学检测反馈控制单元用于检测从喷淋头中喷出的气体的密度分布场，包括光源、相机和抛物面镜，检测中，打开光源，气体从喷淋头喷出后，气体分布较多的区域的光线被喷出的气体折射无法原路返回，在相机成像中形成较暗的区域，其它光线原路返回，在相机成像中形成较亮的区域，以此获得喷出气体的密度分布。通过本发明，解决喷淋不均匀、无法实时调控等问题。
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公开(公告)号：CN112748100A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011544011.8
申请日：2020-12-23
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于飞秒CARS的MOCVD中甲烷光谱成分分析系统及方法，包括MOCVD腔体、激光入射口和激光出射口，激光入射口与飞秒CARS系统的信号输出线连接，所述激光出射口与飞秒CARS系统的信号接收线连接，所述MOCVD腔体中填充透射气相物质。本发明利用飞秒CARS信号测量甲烷分子的振动信息，由于CARS信号的强度通常比自发拉曼信号提高了104～105倍，因而该系统及方法测量精度高，同时采用飞秒激光器，激光脉冲在飞秒级别，响应时间短。同时光学回路布置简单，装置成本较低。
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公开(公告)号：CN112526218A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011300376.6
申请日：2020-11-19
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明属于液体介电常数测量相关技术领域，其公开了一种液体相对介电常数的测量方法及系统，该方法包括：将待测液体滴加至介电材料层表面，获取此时所述待测液体的液滴与所述介电材料层的第一接触角；在所述介电材料层的背面设置至少覆盖所述液滴的金属层，将所述金属层和液滴分别与电源的正极和负极连接，以对所述液滴施加电压，稳定后获取此时所述液滴与所述介电材料层的第二接触角；根据上述第一接触角和第二接触角获取所述待测液体的相对介电常数。本申请中的方法和系统操作简单，普适性广，测量精度高。
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公开(公告)号：CN110237572B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201910557711.1
申请日：2019-06-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: B01D19/00
Abstract: 本发明属于流体除气领域，并具体公开了一种剪切变稀非牛顿流体的气泡去除装置及方法。所述装置包括支撑架、升降机构、旋转机构、锥形搅拌器以及液体容器，所述升降机构设于所述支撑架上，所述升降机构通过水平设置的可伸缩连杆与所述旋转机构固定连接；所述锥形搅拌器包括搅拌杆及锥形搅拌头；所述液体容器设于所述锥形搅拌头下方。所述方法包括旋转机构驱动搅拌杆转动，并带动所述锥形搅拌头以0.01rad/s～20rad/s的转速转动，以搅拌置于液体容器内的液体，直至去除剪切变稀非牛顿流体内的气泡。本发明可有效实现在不引入新气泡的条件下高效率的去除剪切变稀非牛顿流体的气泡，同时还具备结构装置简单、易操作、效率高的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108906350A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810991714.1
申请日：2018-08-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: B05B1/02
Abstract: 本发明属于液滴喷射相关装置领域，公开了一种用于精密设备的分段式喷嘴，上部喷嘴沿着液体输送的方向呈光滑收缩的腔道结构，下部喷嘴的入口与上部喷嘴的出口保持相连，并且下部喷嘴的下端出口截面被设计为带尖角的异形形状。本发明通过增大入口直径与收缩直径的比例和上部喷嘴长度与下部喷嘴长度的比例，可大幅提高液滴的喷射速度；此外本发明的喷嘴出口优选设计为曲面三角形，可有效减小喷射液滴的体积；同时本发明无需复杂的外部设备，只需优化喷嘴结构，不仅可以保持设备的整体性，减小应用成本，并且不因环境的变化而影响优化效果，具有简单可靠的优点，可有效满足各类精密设备对液滴高速和微体积的要求。
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公开(公告)号：CN107555765A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710847543.0
申请日：2017-09-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于加热炉领域，并公开了一种低羟基石英玻璃熔炉，包括炉体、坩埚、发热体、辐射板和辐射屏，所述炉体包括底座、炉壳、炉盖和保温层，所述炉壳放置于所述底座上，所述炉盖放置在所述炉壳上，所述保温层放置于所述底座上；所述坩埚放置在所述保温层上，所述坩埚与所述保温层共同形成承板结构；所述发热体设置在所述炉盖的底端；所述辐射板放置在所述承板结构上；所述辐射屏呈圆环状，其水平安装在所述坩埚的内壁上，以防止二氧化硅疏松体的侧面过快熔化以及便于二氧化硅疏松体从上到下逐层熔化。本发明能实现二氧化硅疏松体从上到下逐层熔化，使得二氧化硅疏松体内部的羟基和气体有效排出，有效降低羟基含量。
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公开(公告)号：CN104372403A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410631857.3
申请日：2014-11-11
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种用于多晶硅铸锭炉的隔热块，设置在多晶硅铸锭炉的坩埚底部外周，用于坩埚加热或冷却多晶硅过程中的隔热保温，该隔热块为中空方形筒体结构，筒体筒壁为中空夹层结构，其中内壁用于包覆设置在坩埚底部的热交换块外周壁面，且该内壁与所述热交换块外周壁面具有间隙，所述外壁用于与设置在坩埚外围的竖直隔热板固定接触，所述坩埚中心线、热交换块中心线以及隔热块中心线重合，且所述隔热块顶部低于热交换块顶部。本发明还公开了具有该隔热块的铸锭炉。本发明不仅可以缩短硅锭铸造过程中化料时间，降低能耗，而且能够有效抑制形核初期坩埚壁附近晶粒优先生长，获得微凸和比较平直的凝固界面，进而提高硅锭质量。
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公开(公告)号：CN115896721A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211414362.6
申请日：2022-11-11
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于磁控溅射镀膜相关技术领域，其公开了一种用于调控高熵合金元素比例的磁控溅射方法及系统，方法包括：对磁控溅射单元的多个靶台电源分别进行调制，根据溅射量需求将靶台电源的直流电或脉冲交流电调制为不同频率、幅值或占空比的方波交流电，所述方波交流电的频率大于或等于kHz级，进而实现靶台在高电平时进行溅射，在低电平时停止溅射，实现不同靶台有效溅射时间的控制，进而控制不同高熵合金元素的溅射比例。本申请在高频交替溅射下实现高熵合金元素比例的调节，且避免了分层现象的产生。
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公开(公告)号：CN111460719B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202010262241.9
申请日：2020-04-06
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F30/23
Abstract: 本发明属于流体力学仿真领域，并具体公开了适用于含自由界面大变形的多物理场的耦合方法及其应用。该方法包括对多物理场进行网格分散和粒子分散；利用网格算法对除流场以外的物理场进行求解；将除流场以外的物理场中影响流场运动的物理信息导出，利用SPH算法根据导出的物理信息求解流场，并通过对SPH粒子的追踪获得自由界面的复杂变形界面，以此更新流场；将更新后的流场的物理信息导出，并根据其更新除流场以外的物理场；根据更新后的除流场以外的物理场重复以上步骤，直至模拟时间达到结束时间。利用SPH算法求解复杂流场，并利用网格算法对已有物理模型的物理场进行计算，以此克服带有复杂流场界面变化的多物理场问题的仿真难题。
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