公开(公告)号：CN103553604A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201310481759.1

申请日：2013-10-15

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 吕文中 ,  罗希 ,  范桂芬

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/632

Abstract: 本发明公开了一种同轴介质滤波器坯体的成型方法，步骤为：先制备陶瓷基膜片，并进行裁剪；再将器件结构从与叠膜方向的垂直平面按照膜片厚度分解为一组平面图形，在切裁剪后的膜片上进行图形转移；然后将图形转移后的陶瓷膜片按顺序叠片，直到膜层总厚度达到预定的器件厚度，经过加温加压使分层膜片成为定型后的陶瓷生坯；最后对定型后的陶瓷生坯体进行排胶及烧结，得到所需的陶瓷器件坯体。本发明的工艺为解决复杂陶瓷器件因难以成型而应用受限的问题，绕开传统方法所遵循的整体成型辅助后期加工的思路，避免其产生的产量低、操作性差、灵活性低、滤波器坯体破碎率高、耦合结构偏移失控、通带滤波能力下降等问题，可有效实现结构复杂的陶瓷元器件坯体制备。

公开(公告)号：CN102850050A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201210320535.8

申请日：2012-08-31

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 范桂芬 ,  吕文中 ,  王允祺 ,  王晓川 ,  汪小红

IPC: C04B35/493 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种低温烧结压电陶瓷材料，用化学通式Pb(0.995-a-b-3c/2)BaaSrbFec(Zn1/3Nb2/3)xZryTi(1-x-y)O3+u％Li2CO3+v％M2O3+w％ZnO表示压电陶瓷材料的组成，式中M为三价金属元素，Ba、Sr、Fe、(Zn1/3Nb2/3)及Zr的摩尔比为a∶b∶c∶x∶y，其中，0≤a≤0.05；0≤b≤0.03；0≤c≤0.01；0.25≤x≤0.35；0.30≤y≤0.40；Pb(0.995-a-b-3c/2)BaaSrbFec(Zn1/3Nb2/3)xZryTi(1-x-y)O3为基体陶瓷粉体，u％表示Li2CO3占基体陶瓷粉体的重量百分比，v％表示M2O3占基体陶瓷粉体的重量百分比，w％表示ZnO占基体陶瓷粉体的重量百分比，0＜u≤1，0＜v≤2，0＜w≤0.2。本发明通过添加组合氧化物掺杂剂，可以将陶瓷的烧结温度从1200℃降至900℃，并能获得大的压电常数(d33≥450pC/N)、大的机电耦合系数(kp≥0.60)、高居里点(Tc＞350℃)及适中的介电常数(εr＝2000～3500)，满足叠层压电驱动器对陶瓷材料的应用要求。

公开(公告)号：CN100424503C

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200610019080.0

申请日：2006-05-16

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 姜胜林 ,  曾亦可 ,  吕文中 ,  肖腊连 ,  罗旖旎 ,  邓传益

IPC: G01N27/18

Abstract: 热释电系数测量装置，属于电流测量设备，基于动态电流法，以提高测量准确度，并且简化操作。加热炉体内一端设有加热器、另一端装有样品夹具和热电阻感温器，温度控制器连接加热器控制加热炉体的内部温度；样品夹具和微电流放大器、皮安电流表、计算机依次电信号连接，样品的温度信号依次通过热电阻感温器、温度测试仪和计算机电信号连接；计算机编程计算获得样品的热释电系数。本发明测试周期短，温度和电流测量精度高，能测量具有热释电性能的单晶、陶瓷、厚膜及薄膜材料样品。测量操作简单，测量准确度较高。

公开(公告)号：CN101050102A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200710051797.8

申请日：2007-04-04

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 朱建华 ,  雷文 ,  吕文中 ,  梁飞 ,  汪小红

IPC: C04B35/04 ,  C04B35/46 ,  C04B35/63 ,  C04B35/64 ,  H01B3/12 ,  H01P7/10

Abstract: 低介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法，属于微波介质陶瓷材料，目的是具有低介电常数、低损耗与良好温度稳定性，介电常数连续可调，同时具有良好机械加工性能。本发明为主材料表达式为uMgO－vSiO2－wCaO－xTiO2的固溶体介质陶瓷，各组分的含量分别是：47.6mol.％≤u≤65.4mol.％，0mol.％≤v≤32.6mol.％，1.0mol.％≤w≤2.4mol.％，1.0mol.％≤x≤50.0mol.％，u+v+w+x＝100mol.％。本发明方法，包括球磨、干燥、预烧、再球磨、造粒成型和烧结步骤。本发明的材料，介电常数在6～20之间连续可调，具有低微波介电损耗、较小的谐振频率温度系数和优良的机械加工性能，可用于通讯系统中介质天线、介质基板等微波元器件，模具简单，加工方便，有利于大批量生产。

公开(公告)号：CN1765820A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200510019420.5

申请日：2005-09-09

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 吕文中 ,  朱建华 ,  梁飞 ,  汪小红

IPC: C04B35/16 ,  H01B3/12

Abstract: 低介电常数微波介质陶瓷材料，属于微波介质陶瓷材料，目的是其具有低损耗与良好的温度稳定性，同时介电常数低于10。本发明为表达式为uZnO－vSiO2－wTiO2的固溶体介质陶瓷，其中58.0mol.％≤u≤69.0mol.％，28.0mol.％≤v≤35.0mol.％，3.0mol.％≤w≤7mol.％，其主晶相为Zn2SiO4，副相为TiO2。本发明的微波介质陶瓷材料，介电常数在7～8之间，突破了传统低介电常数微波介质陶瓷介电常数一般高于20的界限，同时具有低的微波介电损耗和较小的谐振频率温度系数，可用于通讯系统中的介质天线、介质基板等微波元器件。

公开(公告)号：CN1673179A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN200510018239.2

申请日：2005-02-02

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 艾瑞克·P·K ,  吕文中 ,  汪小红

IPC: C04B35/46 ,  H01B3/12

Abstract: 高介电常数微波介质陶瓷材料，涉及通讯系统中的介质谐振器、滤波器等微波元器件用的高介电常数微波介质陶瓷材料，目的是保持高介电常数的同时提高材料品质因数，同时在一定范围内具有希望得到的任何谐振频率温度系数；本发明以uCaO－vLn2O3－wLi2O－xTiO2系微波介质陶瓷材料为主料，各组分的含量分别是：10.0mol.％≤u≤20.0mol.％，10.0mol.％≤v≤15.0mol.％，5.0mol.％≤w≤15.0mol.％，55.0mol.％≤x≤65.0mol.％，u+v+w+x＝100mol.％，Ln＝Sm3+；其特征是在所述主料中掺入0.5～10wt.％的Li1/2Bi1/2TiO3；X射线衍射分析结果，所有组分都形成单一的钙钛矿相。本发明通过添加LBT，在1200～1400℃之间调节烧结温度可以得到温度稳定性好，而且介电常数、品质因数和烧结温度均能系列化的微波介质陶瓷材料。

公开(公告)号：CN1220652C

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN200310111269.9

申请日：2003-10-22

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 吕文中 ,  梁飞 ,  汪小红

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  H01B3/12

Abstract: 本发明涉及陶瓷及其制备方法，目的是提供具有较高介电常数、损耗低和良好温度稳定性、而且原料价格便宜、便于实现产品化的微波介质陶瓷，本发明微波介质陶瓷是表达式为mSrTiO3-nSr(Mg1/3Nb2/3)O3-PSrWO4的固溶体介质陶瓷，其中m为0.01～0.08摩尔%、n为0.85～0.97摩尔%、P为0.01～0.09摩尔%；其制备方法顺序包括步骤：(1)按所述摩尔比称量原料(m+n+p)SrCO3、mTiO2、n/3MgO、n/3Nb2O5、PWO3；(2)混合球磨20～24小时，烘干后在1100℃～1250℃预烧2～8小时；(3)再次球磨20～24小时并烘干；(4)添加粘结剂并造粒后，单轴成形在0.5～1×106Pa压力下制备圆柱状陶瓷坯体；(5)所获坯体在1350℃～1550℃烧结4～8小时。本发明提出的微波陶瓷介电常数高、介电损耗小、谐振频率温度系数小，原料来源广泛，价格便宜，适用于通讯系统中的介质谐振器、滤波器等微波元器件。

公开(公告)号：CN117855880A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202410112860.8

申请日：2024-01-26

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 王晓川 ,  严正罡 ,  吕文中 ,  雷文 ,  范桂芬 ,  周佳骏 ,  付明

IPC: H01Q21/00 ,  H01Q1/36 ,  H01Q1/50 ,  H01Q1/38 ,  H01Q15/00 ,  H01Q21/30 ,  H01Q1/52

Abstract: 本发明公开了一种基片集成腔体超表面阵列天线。该阵列天线包括：层叠放置的单元阵列介质基板、工字型馈电网络介质基板和底层馈电网络介质基板；单元阵列介质基板包括阵列排布的多个基片集成腔体单元，基片集成腔体单元包括基片集成腔体和位于基片集成腔体的口径面中心位置的超表面结构，超表面结构包括若干周期性间隔排列的矩形金属贴片；工字型馈电网络介质基板包括多个工字型馈电网络单元，对基片集成腔体单元进行馈电；底层馈电网络介质基板将能量馈入至多个工字型馈电网络单元。通过将超表面结构的基模与基片集成腔体的高次模两种辐射模式结合，拓展了天线的综合带宽，实现宽带高增益天线设计。

公开(公告)号：CN113725601B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202111040014.2

申请日：2021-09-06

Applicant: 华中科技大学温州先进制造技术研究院

Inventor： 王晓川 ,  严正罡 ,  吕文中 ,  雷文 ,  梁飞 ,  汪小红 ,  范桂芬 ,  付明

IPC: H01Q1/36 ,  H01Q1/50 ,  H01Q1/48 ,  H01Q13/08 ,  H01Q9/04 ,  H01Q1/32 ,  H01Q21/00

Abstract: 本发明专利公开了一种用于毫米波汽车雷达的多视场阵列天线，由三层介质材料和四层金属构成，金属层包括辐射层，天线反射层，带状线馈电层和底部地板层。辐射层刻蚀有由四个及以上组合天线构成的阵列，天线由网格单元与贴片单元两种形式的辐射单元构成。各天线关于阵列中心线对称，每个天线由两个以上等距离排列的相同的网格辐射单元组成，网格单元的非辐射边由弯曲弧线代替了传统的直线，辐射边由渐变式微带线代替了传统的同宽度微带线。在网格单元中间的空白区域添加了贴片单元并与单元间连接段组成了串联贴片天线，有效利用了天线面积。通过对阵列进行波束赋形设计，使方向图具有多个“平肩”状特征，以“平肩”划分的不同视场满足雷达对不同距离范围目标的探测需求。本发明专利结构简单，仅需一条发射链路即可实现雷达多种探测距离功能的整合，降低了前端信号的处理难度，适合用于毫米波段汽车雷达。

公开(公告)号：CN115925401A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211404668.3

申请日：2022-11-10

Applicant: 华中科技大学 ,  广东风华高新科技股份有限公司

Inventor： 雷文 ,  杨佳庆 ,  付振晓 ,  吕文中 ,  党明召

IPC: C04B35/16 ,  C04B35/01 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C04B35/63

Abstract: 本发明属于微波介质材料技术领域，公开了一种低介硅酸盐微波介质陶瓷材料，同时包括Ba2‑xSrxMn2Si2O9相与Ba5Si8O21相，且这两相的摩尔比为(1‑y)：y，其中，0≤x≤0.16，0＜y≤0.70；该微波介质陶瓷材料的性能参数满足如下要求：相对介电常数εr∈[8.45,9.75]，品质因数Q×f∈[18900,43500)GHz，谐振频率温度系数τf∈[‑34,1.5]ppm/℃。本发明通过对微波介质陶瓷材料的组分进行改进，将Ba2‑xSrxMn2Si2O9相与Ba5Si8O21相复合得到低介电常数硅酸盐微波介质陶瓷(1‑y)Ba2‑xSrxMn2Si2O9‑yBa5Si8O21，具有较宽烧成温度范围、性能优良等特点，能够有效扩充低介电常数硅酸盐基微波介质陶瓷的材料种类。