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公开(公告)号：CN115714627A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211371231.4
申请日：2022-11-03
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H04B17/391 , H04L41/16
Abstract: 本公开提供一种自适应语义通信传输方法及电子设备，该方法首先确定发射机对应的第一模型参数、接收机对应的第二模型参数、传输内容中的至少一种，获得训练后的传输模型；以待传输的信源数据为输入，通过训练后的传输模型，于接收机一侧，获得与信源数据相适应的重建后的目标数据；和/或，确定信道状态信息和调整后的传输模型；信道状态信息用于表征发射机与接收机之间的信道的状态；通过调整后的传输模型，以信道状态信息作为输入，分别参与编码调制和解码调制，获得与信道状态信息相适应的重建后的目标数据。该方法能够显著提升语义通信的率失真增益。
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公开(公告)号：CN114678264A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210220200.2
申请日：2022-03-08
Applicant: 北京邮电大学 , 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供一种硅基III‑V族半导体材料的制备方法，该方法包括在硅衬底上至少两次重复生长以弱关联晶化为特征的III‑V族半导体基本外延结构单元。每个基本外延结构单元自下而上都包括低温层、中温层和高温层三层，且在高温层生长过程中须插入热循环退火。该方法使得低温层的顶部与底部区域实现彼此弱关联的晶化，同时使得高温层连同中温层的顶部区域与中温层底部区域实现彼此弱关联的晶态纯化，从而实现高温层晶体质量的优化。基于类似的机理，该基本外延结构单元的重复生长可进一步提高目标外延层(即完整结构顶部外延层)的晶体质量。采用本方法可制备穿透位错密度极低的硅基III‑V族半导体材料。
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公开(公告)号：CN112234097B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202011052522.8
申请日：2020-09-29
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L29/45 , H01L31/0224 , H01L31/0304 , H01L31/10 , H01S5/042
Abstract: 本发明属于光电子半导体技术领域，具体涉及一种非特意掺杂III‑V族半导体的欧姆接触结构及其制备方法与应用。所述欧姆接触结构包括：非特意掺杂III‑V族半导体层，及其表面的氧化镍层。本发明首次提出以氧化镍层与非特意掺杂III‑V族半导体层形成欧姆接触结构，成功解决了非特意掺杂III‑V族半导体材料难以直接形成良好的欧姆接触特性的技术问题。同时，本发明利用氧化镍薄膜的透明导电特性，将其作为III‑V族半导体有源器件的电极，有效解决传统接触电极在光耦合时阻挡信号光、降低光耦合效率和减小有效有源区域面积的技术问题。
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公开(公告)号：CN106784028B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201611249948.6
申请日：2016-12-29
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/02 , H01L31/0232 , H01L27/146 , H01L31/0224
Abstract: 本发明提供一种光电探测器阵列，包括具有光束分束功能的亚波长光栅，以及位于亚波长光栅上方的光电探测器组；所述亚波长光栅与光电探测器组间设有键合介质层。在处理大功率、高速、高动态范围的入射光信号时，其包含的高性能亚波长分束光栅将该光信号分为多束功率较小、动态范围较小的光信号并分别由光电探测器阵列中的各分布式光电探测器进行光电转换，各光电探测器产生的电信号在大电极处叠加从而还原原注入信号。本方案克服了单个光电探测器无法处理过大功率及过大动态范围的光信号的弊端，也克服了传统光电探测器阵列耦合方式及制备工艺复杂的缺点，相较于前两者具有工艺简单易于制备、饱和功率大、动态范围大、响应度高的特点。
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公开(公告)号：CN109459817B
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201811453417.8
申请日：2018-11-30
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G02B6/136
Abstract: 本发明实施例提供了一种单片硅基光电集成芯片的制备方法，通过在SOI衬底上刻蚀图形窗口来生长激光器结构，通过在SOI衬底中的硅波导层上生长探测器结构，激光器和探测器通过刻蚀出的硅波导结构连接，从而实现了片上激光器、探测器以及硅波导结构的集成。本发明实施例中提供的单片硅基光电集成芯片的制备方法，通过直接刻蚀图形窗口来生长激光器结构，具有高重复性和可靠性，能够大规模的制备，大大降低了成本，具有很好的应用前景，弥补了目前无法通过直接选区外延的方式实现可实用的片上光电集成的空白，特别是弥补了激光器与其他器件的片上集成问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104576326B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201310492218.9
申请日：2013-10-18
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明提供一种硅基III‑V族砷化镓半导体材料制备方法和系统，包括：在清洁的单晶硅衬底表面制备二氧化硅膜；在所述二氧化硅膜上，采用纳米压印技术得到二氧化硅纳米图形层，所述二氧化硅纳米图形层包括裸露单晶硅衬底表面的生长窗口区，以及二氧化硅图形区，生长窗口区和二氧化硅图形区交错分布；在所述生长窗口区上，沉积接近或等于所述二氧化硅图形区的台面高度的砷化镓缓冲层；在所述砷化镓缓冲层和所述二氧化硅图形区上外延生长III‑V族半导体材料。本发明采用纳米压印的技术制作二氧化硅纳米图形层，作为半导体材料生长的图形衬底，打破了之前的材料尺寸限制问题，更加有利于工业化的材料生长制备，有效地降低了材料制作成本，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN107026390A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710154807.4
申请日：2017-03-15
Applicant: 北京邮电大学
CPC classification number: H01S5/1042 , H01S5/34 , H01S5/34313
Abstract: 本发明提供一种1.55微米波长GaAs基微腔激光器制备方法及装置，所述方法包括以下步骤：S1、在单晶GaAs衬底一侧依次外延生长缓冲层、限制层、下波导层、多量子阱有源区、上波导层和欧姆接触层；S2、在欧姆接触层上制作图形掩膜层，并以图形掩膜层为掩膜制作微腔；S3、在微腔表面沉积氮化硅薄膜，并在微腔上制作侧向介电限制层，在微腔顶层制作二氧化硅绝缘层；S4、在二氧化硅绝缘层上制作p电极，在GaAs衬底另一侧制作n电极。通过在GaAs衬底上外延生长InP材料，实现GaAs基1.55微米的发光波段，并采用微腔激光器的结构,具备高品质因子、低阈值电流、便于集成、制备工艺简单等优势。
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公开(公告)号：CN105140330B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201510613957.8
申请日：2015-09-23
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/08 , H01L31/0304
Abstract: 本发明公开了一种能够工作于零偏压下的低功耗单行载流子光电探测器。该光电探测器由InP半绝缘衬底以及其上的外延层组成。外延层包括InP半绝缘衬底、第一InGaAs腐蚀阻止层、InP次收集层(其上镀有n型接触电极)、第二InGaAs腐蚀阻止层、InP收集层、InGaAsP过渡层、InGaAs吸收层、InAlAs电子阻挡层和InGaAs接触层(其上镀有p型接触电极)。其中在吸收层和电子阻挡层上优选地使用了InAlAs/InGaAs异质结，利用InAlAs的高费米能级和大禁带宽度获得了在零偏压下更好的响应度与相应带宽，并且降低了功耗。
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公开(公告)号：CN105448675A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410514645.7
申请日：2014-09-29
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种GaAs/Si外延材料的MOCVD制备方法，包括：在清洁的单晶硅衬底上制作GaAs低温成核层；在所述GaAs低温成核层上制作GaAs中温缓冲层；在所述GaAs中温缓冲层上制作GaAs第一高温缓冲层；在所述GaAs第一高温缓冲层上制作GaAs第二高温缓冲层；在所述GaAs第二高温缓冲层上制作GaAs变温缓冲层；在所述GaAs变温缓冲层上制作多层量子点位错阻挡层；在所述多层量子点位错阻挡层上制作应变插入层；在所述应变插入层上制作GaAs外延层。本发明能够大面积、均匀、高重复性地完成材料生长和制备，降低所生长材料的位错密度，成本更加低廉，更适合产业化的需求。
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公开(公告)号：CN103908247B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201410137458.1
申请日：2014-04-08
Applicant: 北京邮电大学
IPC: A61B5/0408
Abstract: 本发明涉及一种可穿戴式心电信号实时采集装置，其特征在于：它包括一可穿戴式背心，在背心内侧横向间隔环设若干绷带；在任一绷带上固定设置嵌入式控制器，在绷带的连接处设置用于调节绷带松紧的微型电机，在绷带上活动设置一个以上心电采集电极并固定设置蜂鸣器，在心电采集电极上设置压力传感器，微型电机、压力传感器和蜂鸣器均通过导线与嵌入式控制器连接；压力传感器检测心电采集电极与受试者皮肤之间的接触压力，并将检测到的压力信号传输至嵌入式控制器，由嵌入式控制器控制微型电机调节绷带的松紧程度；心电采集电极与受试者皮肤接触出现问题时，由蜂鸣器报警提示受试者检查相应心电采集电极。本发明可以广泛应用于人体心电信号的采集中。
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