公开(公告)号：CN104576326B

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201310492218.9

申请日：2013-10-18

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 王俊 ,  李玉斌 ,  邓灿 ,  王一帆 ,  白一鸣 ,  王琦 ,  段晓峰 ,  张霞 ,  黄永清

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/18

Abstract: 本发明提供一种硅基III‑V族砷化镓半导体材料制备方法和系统，包括：在清洁的单晶硅衬底表面制备二氧化硅膜；在所述二氧化硅膜上，采用纳米压印技术得到二氧化硅纳米图形层，所述二氧化硅纳米图形层包括裸露单晶硅衬底表面的生长窗口区，以及二氧化硅图形区，生长窗口区和二氧化硅图形区交错分布；在所述生长窗口区上，沉积接近或等于所述二氧化硅图形区的台面高度的砷化镓缓冲层；在所述砷化镓缓冲层和所述二氧化硅图形区上外延生长III‑V族半导体材料。本发明采用纳米压印的技术制作二氧化硅纳米图形层，作为半导体材料生长的图形衬底，打破了之前的材料尺寸限制问题，更加有利于工业化的材料生长制备，有效地降低了材料制作成本，具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN104576326A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201310492218.9

申请日：2013-10-18

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 王俊 ,  李玉斌 ,  邓灿 ,  王一帆 ,  白一鸣 ,  王琦 ,  段晓峰 ,  张霞 ,  黄永清

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/18

CPC classification number: H01L21/02381 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02612

Abstract: 本发明提供一种硅基III-V族砷化镓半导体材料制备方法和系统，包括：在清洁的单晶硅衬底表面制备二氧化硅膜；在所述二氧化硅膜上，采用纳米压印技术得到二氧化硅纳米图形层，所述二氧化硅纳米图形层包括裸露单晶硅衬底表面的生长窗口区，以及二氧化硅图形区，生长窗口区和二氧化硅图形区交错分布；在所述生长窗口区上，沉积接近或等于所述二氧化硅图形区的台面高度的砷化镓缓冲层；在所述砷化镓缓冲层和所述二氧化硅图形区上外延生长III-V族半导体材料。本发明采用纳米压印的技术制作二氧化硅纳米图形层，作为半导体材料生长的图形衬底，打破了之前的材料尺寸限制问题，更加有利于工业化的材料生长制备，有效地降低了材料制作成本，具有广泛的应用前景。