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公开(公告)号：CN116885029A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202311132320.8
申请日：2023-09-05
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种高效率PIN光电探测器及其制备方法，高效率PIN光电探测器包括：衬底，包括光吸收层、第一欧姆接触层和第二欧姆接触层，第一欧姆接触层的至少部分结构位于光吸收层内，第二欧姆接触层形成于光吸收层的第二表面，并与第一欧姆接触层间隔开，第一欧姆接触层和第二欧姆接触层的掺杂类型相反；增透层，形成于衬底的第一表面；界面态钝化层，由衬底和增透层形成的界面态沿水平方向的至少部分结构掺杂形成，界面态钝化层与第二欧姆接触层的掺杂类型相同；第一欧姆接触电极，与第一欧姆接触层连接，并与增透层同层布置；第二欧姆接触电极，与第二欧姆接触层连接。根据本发明的高效率PIN光电探测器，可以提高器件的量子效率。
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公开(公告)号：CN115084307A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210989618.X
申请日：2022-08-18
Applicant: 北京邮电大学 , 无锡中微晶园电子有限公司 , 北京中盾安民分析技术有限公司
IPC: H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种抗辐照加固单光子探测器及其制备方法，抗辐照加固单光子探测器包括衬底、钝化层、雪崩层、补偿层、第一欧姆接触复合层和第二欧姆接触复合层；第二欧姆接触复合层、衬底和钝化层依次层叠设置，第一欧姆接触复合层包括第一接触电极和第一欧姆接触层，雪崩层和第一欧姆接触层均位于衬底内，雪崩层与第一欧姆接触层朝向第二欧姆接触复合层的一面连接；第一接触电极与钝化层同层设置，且第一接触电极与第一欧姆接触层连接；补偿层位于衬底内，补偿层背离第二欧姆接触复合层的一面与钝化层接触，补偿层用于预补偿辐照损伤在衬底中感应的电荷。本发明的抗辐照加固单光子探测器结构简单、抗辐照损伤效果明显。
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公开(公告)号：CN113284963B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110438832.1
申请日：2021-04-22
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0224 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本申请实施例提供一种叉指型导模光电探测器。其中，探测器包括光波导结构，包括芯层和包裹芯层的包层，芯层沿第一方向延伸预设距离，芯层的第一端用于接收目标入射光；多个P型欧姆接触区和多个N型欧姆接触区，为芯层顶部的掺杂部分，均沿垂直于第一方向的第二方向延伸，且沿第一方向交替排列；以及，P型和N型电极，沿第一方向延伸；P型电极设有并列的多个第一枝节，每一个第一枝节与一个P型欧姆接触区贴合；N型电极设有并列的多个第二枝节，每一个第二枝节与一个N型欧姆接触区贴合。通过本方案可以解决现有光电探测器对波长接近光电探测器半导体材料禁带宽度的目标入射光的探测效率低的问题。
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公开(公告)号：CN113284964A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110438858.6
申请日：2021-04-22
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0224 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本申请实施例提供一种导模光电探测器。其中，导模光电探测器包括：光波导结构，包括芯层和包裹芯层的包层，芯层延第一方向延伸预设距离，芯层的第一端用于接收目标入射光；目标入射光进入光波导结构后以导模光的形式沿第一方向传播；P型欧姆接触区和N型欧姆接触区，为芯层两侧的掺杂部分，均沿第一方向延伸；以及，P型电极和N型电极，沿第一方向延伸，并且P型电极与P型欧姆接触区的侧面贴合，N型电极与N型欧姆接触区的侧面贴合，用于收集目标入射光与芯层相互作用所产生的光生载流子。通过本方案可以解决现有光电探测器对波长接近光电探测器半导体材料禁带宽度的目标入射光的探测效率低的问题。
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公开(公告)号：CN109192799B
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201811025273.6
申请日：2018-09-04
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本发明实施例提供了一种石墨烯‑氧化亚铜量子点光电探测器及其制备方法。其中，所述石墨烯‑氧化亚铜量子点光电探测器包括：铜衬底、氧化亚铜层、石墨烯层以及欧姆接触电极；所述氧化亚铜层处于所述铜衬底和所述石墨烯层之间；所述欧姆接触电极设置于所述石墨烯层表面。本发明实施例提供的石墨烯‑氧化亚铜量子点光电探测器选用以铜作为石墨烯的衬底，将氧化亚铜层作为光吸收面，实现了光电信号的转换，并且石墨烯层、氧化亚铜层以及铜衬底均具有良好的柔性以及电学性质，与现有的集成电路工艺兼容性较好，同时有适用于可能发生较大形变电子设备的潜力，如柔性可穿戴电子设备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117913186B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202311810408.0
申请日：2023-12-26
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本申请提供一种附着纳米天线的铝镓氮基发光单元及制备方法，属于半导体光源技术领域。该附着纳米天线的铝镓氮基发光单元包括：多个纳米天线及铝镓氮层；各纳米天线以预设间距周期性附着在所述铝镓氮层的表面。本申请的方法，通过在铝镓氮层上添加纳米天线，通过纳米天线的振荡形成局域电场，实现与深紫外光共振，增加铝镓氮的自发辐射率、提高铝镓氮层的外量子效率。
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公开(公告)号：CN118276618B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410694059.9
申请日：2024-05-31
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G05D23/24
Abstract: 本申请提供一种温度控制装置以及温度控制系统。该装置包括：TEC制冷片，与目标芯片连接，用于对目标芯片进行制冷；温度控制电路模块，温度控制电路模块包括误差放大器模块、PID控制器模块、以及电流监控模块，其中，误差放大器模块用于对温度传感器的温度信息进行转换处理，得到电压信号，并根据电压信号、以及对目标芯片的温度要求，确定误差信号；PID控制器模块用于对接收到的误差信号进行转换处理，得到初始控制信号，并对初始控制信号进行降噪处理，得到目标控制信号；电流监控模块用于调节TEC制冷片中的电流的大小和方向。本申请通过对目标芯片的瞬态温度调控，从而稳定控制目标芯片的温度，降低了温度对目标芯片工作性能和稳定性的影响。
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公开(公告)号：CN117471265A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311408089.0
申请日：2023-10-26
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G01R31/26 , G06F30/367 , G01J1/44
Abstract: 本申请提供一种雪崩光电二极管仿真电路。该电路包括：光子入射单元、阴极、阳极、电流单元、触发开关以及自持开关；所述光子入射单元的输出端与所述触发开关的正极控制端连接，用于输出脉冲电压以模拟光子输出，所述脉冲电压用于控制所述触发开关的通断；所述电流单元的输入端与阴极连接，输出端分别与所述触发开关的输入端、所述自持开关的输入端连接，用于根据电流概率分布函数提供动态的雪崩电流；所述触发开关的输出端、所述自持开关的输出端与阳极连接，所述触发开关的负极控制端接地。由于本申请电路中的电流单元能够根据电流概率分布函数确定随机的电流值，能够有效模拟雪崩信号的随机性，从而提高了模拟雪崩光电二极管特性的准确率。
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公开(公告)号：CN116936654A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210335988.1
申请日：2022-03-31
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/105 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本申请提供一种硅基集成光电探测器及其制备方法，包括硅光波导、波长转换波导和硅光电探测器，硅光波导用于接收并传输入射光，入射光其波长大于1100nm；波长转换波导设置于硅光波导的后方，用于波长下转换，将入射光转换为波长小于1100nm的转换光；硅光电探测器设置于波长转换波导的后方，用于将接收到的光信号转换为电信号。该结构可实现通信波段硅基集成光电探测，且由于硅材料晶格完整，探测的灵敏度高。
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