一种基于重离子试验数据的器件质子翻转截面反演方法

    公开(公告)号:CN104732031B

    公开(公告)日:2017-08-29

    申请号:CN201510145019.X

    申请日:2015-03-30

    Abstract: 本发明涉及一种基于重离子试验数据的器件质子翻转截面反演方法,步骤如下:确定质子能量;确定器件金属布线层、氧化层的材料类型和厚度;确定器件敏感区的材料和厚度;分析质子在敏感区中的能量沉积微分谱;将敏感区中的能量沉积微分谱转化为等效LET微分谱;计算器件在质子辐照下的翻转截面。本发明考虑了器件金属布线层、氧化层中核反应的影响,使得该方法更适合现代工艺条件下的器件,使得器件对质子影响的计算更加准确,可靠性大大增强。

    一种基于重离子加速器的单粒子软错误防护设计验证方法

    公开(公告)号:CN105866573A

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201610183676.8

    申请日:2016-03-28

    CPC classification number: G01R31/00

    Abstract: 本发明一种基于重离子加速器的单粒子软错误防护设计验证方法,涉及一种基于加速器试验数据的系统单粒子防护效果验证的重离子和质子等效试验验证领域;包括:(1)采用基于LET值确定的地面加速器重离子试验;(2)分析质子静态翻转截面;(3)分析系统在任意工作模式下的敏感位因子;(4)分析系统在重离子辐照下的动态翻转截面;(5)分析系统在质子辐照下的动态翻转截面;本发明提供一种基于重离子加速器的单粒子软错误防护设计验证方法,该方法可用于单粒子防护效果验证,解决国内加速器时间紧张以及难以实现高能质子试验的问题。

    一种基于重离子试验数据的器件质子翻转截面反演方法

    公开(公告)号:CN104732031A

    公开(公告)日:2015-06-24

    申请号:CN201510145019.X

    申请日:2015-03-30

    Abstract: 本发明涉及一种基于重离子试验数据的器件质子翻转截面反演方法,步骤如下:确定质子能量;确定器件金属布线层、氧化层的材料类型和厚度;确定器件敏感区的材料和厚度;分析质子在敏感区中的能量沉积微分谱;将敏感区中的能量沉积微分谱转化为等效LET微分谱;计算器件在质子辐照下的翻转截面。本发明考虑了器件金属布线层、氧化层中核反应的影响,使得该方法更适合现代工艺条件下的器件,使得器件对质子影响的计算更加准确,可靠性大大增强。

    一种基于信号波形的空间中子甄别装置

    公开(公告)号:CN117368956A

    公开(公告)日:2024-01-09

    申请号:CN202311301341.8

    申请日:2023-10-09

    Abstract: 本发明提出一种基于信号波形的空间中子甄别装置,用于解决现有技术中无法将中子从空间带电粒子有效甄别的问题。包括前3He中子计数器、高压电源、低压电源、前收集电极电荷放大器、主放大器、甄别电路、成形整形电路、输出电路;所述前收集电极电荷放大器用于收集3He中子计数器的电荷,将电荷放大转化为电压,并将电压信号发送到主放大器;所述主放大器接收前收集电荷放大器的电压信号,并对电压信号进行滤波,提高信噪比,并将滤波后的电压信号发送到甄别电路;所述甄别电路将主放大器输出模拟信号转换为数字逻辑脉冲输出;所述成形整形电路接收来自甄别电路的甄别信号,产生标准的TTL信号;所述输出电路接收标准TTL信号,并将TTL信号进行计数处理。

    一种空间微小碎片MOS电容传感器信号采集电路

    公开(公告)号:CN116754845A

    公开(公告)日:2023-09-15

    申请号:CN202310329874.0

    申请日:2023-03-30

    Abstract: 一种空间微小碎片MOS电容传感器信号采集电路,利用空间碎片撞击到MOS电容传感器产生的电压脉冲信号,包括放大器、阈值比较器、事件记录电路、脉冲信号采集电路,MOS电容传感器输出的电压脉冲经放大后;一路信号在大于设置阈值时经比较器输出为数字(状态)信号,数字信号在寄存器中保持,并编码;另一路信号经成滤波后输入到ADC,进行实施采集。电路针对MOS电容传感器的开路和短路模式,设置测量电阻和阈值,消除MOS电容表面接受的空间等离子充电电流信号引起的干扰、对MOS电容传感器工作状态是否短路、开路进行测量。

    一种同位素热源产生总剂量效应的分析方法

    公开(公告)号:CN110456401A

    公开(公告)日:2019-11-15

    申请号:CN201910566830.3

    申请日:2019-06-27

    Abstract: 本发明公开了一种同位素热源产生总剂量效应的分析方法,针对目前无法获得同位素电源的γ射线产生的“总剂量~年”谱的问题,通过建立的模型,根据具体封装材料、同位素核燃料质量、距离同位素核燃料中心距离,可以反推实际应用下的γ射线产生的总剂量谱(总剂量~年的关系),从估算航天器整个任务期的总剂量效应风险;通过模型对同位素电源的估算,避免对同位素放射性燃料的试验监测,简单易行,节省了试验经费和辐射风险,具有一定的经济意义以及工程设计的指导意义;本发明方法除了涉及核衰变的同位素电源,也适用于核裂变的核反应堆电源,能够解决空间核动力航天器中核电源产生总剂量效应的评估,具有一定的普适性。

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