公开(公告)号：CN110209547B

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN201910368564.3

申请日：2019-05-05

Applicant: 北京空间飞行器总体设计部

Inventor： 贾晓宇 ,  王颖 ,  王建昭 ,  李衍存 ,  秦珊珊 ,  郑玉展 ,  张庆祥

IPC: G06F11/26

Abstract: 一种SRAM型FPGA单粒子翻转加固定时刷新频率确定方法及系统，需要对SRAM型FPGA应用的加固措施进行验证与评估，利用故障注入作为验证手段，通过向FPGA的配置区注入翻转，观察FPGA应用的运行状态确定应用的单粒子翻转设计有效性，同时解决了现有技术无法定量评估FPGA应用加固有效性的问题，并能够确定FPGA的刷新频率取值范围，计算简便，方法可靠性高。

公开(公告)号：CN104406998B

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201410637372.5

申请日：2014-11-06

Applicant: 北京空间飞行器总体设计部

Inventor： 李衍存 ,  蔡震波 ,  张庆祥 ,  赵小宇

IPC: G01N23/20 ,  G01N23/225

Abstract: 本发明公开了一种确定元器件单粒子效应试验中的重离子LET值的方法,该方法屏蔽层数目不受限制，适应现代器件工艺条件下，金属布线层逐渐增多带来的屏蔽层数目超过8层的问题；可直接得到重离子经过多层屏蔽后在硅材料中的LET值，由于目前主流半导体工艺是基于硅衬底的，单粒子试验中的LET值均指重离子在硅中的LET值，直接输出该结果可避免非粒子物理专业试验人员错误计算LET值，确保了试验参数的正确性。

公开(公告)号：CN105893664A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610192270.6

申请日：2016-03-30

Applicant: 北京空间飞行器总体设计部

Inventor： 林益明 ,  于登云 ,  郑玉展 ,  赵海涛 ,  蔡震波 ,  张庆祥

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5036

Abstract: 本发明公开了一种系统级单粒子效应影响表征参数及评价方法：根据系统功能分析，建立以元器件为底事件的系统功能模型，结合元器件单粒子敏感性分析，建立系统单粒子效应影响功能模型；基于单粒子效应试验数据，计算分析敏感元器件的单粒子事件率，采用故障注入、重离子辐照试验法或系统历史数据分析方法确定系统各层次间单粒子效应影响传递因子；基于单粒子事件的叠加性原理，计算系统单粒子事件率；结合单粒子效应影响中断时间，计算系统单粒子效应危害度和可用性。本发明采用定量的方法表征单粒子效应对系统的影响，并评价系统单粒子效应的影响后果，该方法可用于指导系统级单粒子效应风险的量化控制。

公开(公告)号：CN104461808B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201410636120.0

申请日：2014-11-06

Applicant: 北京空间飞行器总体设计部

Inventor： 郑玉展 ,  蔡震波 ,  张庆祥 ,  赵小宇

IPC: G06F11/26

Abstract: 本发明公开了一种FPGA单粒子软错误影响评估方法，能够针对未采取防护措施的SRAM型FPGA的具体配置，综合考虑SRAM型FPGA的设计结构和资源占用量，获得了FPGA内部单元单粒子软错误故障的传递概率，并分析得到单粒子软错误对SRAM型FPGA的整体影响，使得卫星电子产品设计师能够掌握单粒子软错误对SRAM型FPGA的整体影响，有利于指导SRAM型FPGA的抗单粒子软错误设计。

公开(公告)号：CN104764421A

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201510146078.9

申请日：2015-03-30

Applicant: 北京空间飞行器总体设计部

Inventor： 李衍存 ,  蔡震波 ,  张庆祥 ,  赵小宇 ,  贾晓宇

IPC: G01B15/02

CPC classification number: G06F19/00

Abstract: 本发明涉及一种重离子加速器单粒子试验降能片厚度快速确定方法，步骤如下：根据加速器重离子类型和初始能量，确定重离子在硅中的初始射程；根据加速器重离子类型和要求的重离子LET值，确定对应的重离子在硅中的射程；根据重离子初始射程和与要求重离子LET值对应的重离子在硅中的射程，确定当降能片材料为硅时，屏蔽材料的厚度；确定硅材料厚度与降能片厚度的厚度转换系数；将硅材料的厚度转化为降能片的厚度。本发明快速确定降能片的厚度，节省了成本，提高了效率。