-
公开(公告)号：CN101817078A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010033920.5
申请日：2010-01-06
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 均匀氢化NaZn13结构的稀土-铁钴硅材料的方法，包括：将具有NaZn13结构的稀土-铁钴硅化合物放入氢化炉中，在温度为400℃～600℃的范围内进行氢化热处理，氢化时间为2h～4h。该方法还可将具有NaZn13结构的稀土-铁钴硅化合物放入氢化炉中，进行一次或多次的活化处理后，在温度为80℃～600℃的范围内进行氢化热处理，氢化时间为2h～4h，氢化后制得成品。该制备方法氢化后得到的稀土-铁钴硅氢化物的晶体结构以NaZn13结构为主相，与原稀土-铁钴硅化合物的晶体结构相同。本发明的优点在于氢化时间短，而且可以确实将稀土-铁钴硅化合物均匀地氢化，得到的稀土-铁钴硅化合物氢化物全体只有一个磁相变温度。因此，可以保证稀土-铁钴硅化合物氢化物在磁致冷机中应用时有大的制冷效果。
-
公开(公告)号：CN101704509A
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200910238792.5
申请日：2009-11-30
Applicant: 北京科技大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明是一种Al掺杂ZnO半导体纳米柱的制备方法，称取Zn粉和Fe粉均匀混合后置于刚玉舟内；将硅片镀有金膜面朝下，固定在刚玉舟的上方，通入Ar气，加热后随炉冷却，制得ZnO纳米籽晶。配制生长溶液，加热搅拌后，将制得的ZnO纳米籽晶放入生长溶液中进行生长后，将硅片取出用去离子水洗净，自然风干制得掺杂Al的ZnO纳米柱。该方法结合CVD和溶液生长两种方法的优点，不需要采用在真空中反应，同时生长的温度更低，明显地降低了生产成本，且该方法避免了使用反应釜，可以在常压下进行，简化了实验条件。是一种比较温和，工艺简单、成本低的Al掺杂ZnO半导体纳米柱的制备方法。
-
公开(公告)号：CN101311386A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810103466.9
申请日：2008-04-07
Applicant: 北京科技大学
Inventor： 常永勤
Abstract: 一种单晶硫化锌纳米线的制备方法，属于半导体材料制备技术领域。本发明是在管式炉中通入流量为108～113ml/min的氩气和氢气的混合气体；将ZnS粉末放在石英舟中作为蒸发源，和舟一起放在管式炉中，同时将清洗过的硅片放入炉中，硅片距离蒸发源25～30mm，其中蒸发源放在气流的入口方向，硅片放在气流的出口方向；将管式炉升温至890～910℃，保温时间为80～120min，炉内压强为0.015～0.03MPa。当炉子的温度降至室温后，在硅片上沉积一层ZnS纳米线白色薄膜。本发明合成温度比较低，而且没有采用外来催化剂。制备出的ZnS纳米线具有面心立方结构，纳米线尖端的直径只有20～30nm，长度为10～15μm。纳米线为单晶，结晶质量比较高。本发明操作工艺简便，原料易得，成本低，易于规模化生产。
-
公开(公告)号：CN101311366A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810103467.3
申请日：2008-04-07
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种气相沉积制备四氧化三锰纳米线的方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明将高纯Mn粉放置在三氧化二铝坩埚中，清洗后的镀金膜硅片覆盖在Mn源正上方，镀膜硅片与蒸发源的垂直距离为1～2mm，再一起放入水平管式炉中；将炉温升至900～1000℃后保温2～4h，膜生长过程中充入流量为50～150ml/min的氩气，生长结束后自然冷却至室温。本发明在镀有金膜的硅片上获得大量高纯度的Mn3O4纳米线，制备的Mn3O4纳米线为四方结构，纳米线的直径约50～260nm，长度为8～12μm，具有高的结晶质量，其生长方向为[211]。磁学测量结果表明：一维Mn3O4纳米线的居里温度和矫顽力均高于体材料。
-
公开(公告)号：CN108421985B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201810201701.X
申请日：2018-03-12
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种制备氧化物弥散强化中熵合金的方法，属于中熵合金材料制备领域。本发明首先称取等原子量的金属粉，并称取适量的Y2O3粉以及Ti粉，经过充分混合后在氢气还原炉中进行金属粉的还原，然后与研磨球一起封装于不锈钢球磨罐中，在惰性气体气氛下球磨，进行金属粉的合金化，球磨后将合金化的金属粉经放电等离子体烧结炉烧结成块，进行合金粉的固化，然后使用马弗炉将烧结成型的块体热处理，再进行空冷。本发明制备的氧化物弥散强化中熵合金中的纳米氧化物颗粒分布均匀，且平均尺寸在5‑6nm之间，氧化物颗粒的平均尺寸在5‑20nm之间，烧结得到的样品密度达到理论密度的99%以上。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108866378B
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201810577771.5
申请日：2018-06-05
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种高温环境用高强高导电率铜合金及其制备方法，涉及高强度铜合金制备领域。本发明成分设计按质量百分比计为：Cr含量为0.5‑1.0wt%，Zr含量为0.07‑0.15wt%，Ti含量为0.1‑1.0wt%，Y含量为0.06‑0.15wt%，余量为Cu及不可避免杂质，经过用真空感应熔炼，依次对铸锭进行均匀化处理、热轧淬火、冷轧、时效处理，得到最终的铜合金板材。本发明制备的铜合金组织均匀且具有很高的高温稳定性，易于加工，制备成本较低，适合大规模工业化生产。
-
公开(公告)号：CN107557602B
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201710968906.6
申请日：2017-10-18
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯增强ODS铜的制备方法，属于铜基复合材料制备技术领域。以铜盐作为铜源，以硝酸铝作为铝源，以氢氧化钠或氨水作为沉淀剂，使铜离子、铝离子生成氢氧化铜、氢氧化铝，并与溶液中分散的石墨烯共沉淀，经干燥、还原、成型、烧结得到石墨烯增强ODS铜坯体，通过热挤压、热锻、热轧等热加工手段使之达到全致密。本发明提高了石墨烯在铜基体中的均匀分散性，改善了石墨烯与铜基体之间的界面结合状态，通过在铜基体引入石墨烯与弥散分布的纳米氧化铝颗粒达到双重强化效果，提高基体强度的同时又不会降低其传导性能。
-
公开(公告)号：CN108913928A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810510002.3
申请日：2018-05-24
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种制备氧化物弥散强化铜复合材料的方法，属于铜合金材料制备领域。本发明首先将Cu粉进行还原；然后将元素粉合金化，即将还原后的Cu粉与适量的Y粉充分混合后和研磨球一起封装于不锈钢球磨罐中，在惰性气体气氛下球磨；球磨后将合金化的合金粉利用马弗炉进行合金粉退火，并利用放电等离子体烧结炉烧结成块，然后轧制成所需厚度，最后利用马弗炉将轧制之后的铜合金在惰性气氛下热处理，炉冷，制得氧化物弥散强化铜复合材料。本发明制备的氧化物弥散强化铜复合材料中纳米氧化物颗粒分布均匀，且平均尺寸在5-6nm之间，出粉率高达95%以上，并且流程简单，易于操作。
-
公开(公告)号：CN108866378A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810577771.5
申请日：2018-06-05
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种高温环境用高强高导电率铜合金及其制备方法，涉及高强度铜合金制备领域。本发明成分设计按质量百分比计为：Cr含量为0.5‑1.0wt%，Zr含量为0.07‑0.15wt%，Ti含量为0.1‑1.0wt%，Y含量为0.06‑0.15wt%，余量为Cu及不可避免杂质，经过用真空感应熔炼，依次对铸锭进行均匀化处理、热轧淬火、冷轧、时效处理，得到最终的铜合金板材。本发明制备的铜合金组织均匀且具有很高的高温稳定性，易于加工，制备成本较低，适合大规模工业化生产。
-
公开(公告)号：CN108421985A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810201701.X
申请日：2018-03-12
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种制备氧化物弥散强化中熵合金的方法，属于中熵合金材料制备领域。本发明首先称取等原子量的金属粉，并称取适量的Y2O3粉以及Ti粉，经过充分混合后在氢气还原炉中进行金属粉的还原，然后与研磨球一起封装于不锈钢球磨罐中，在惰性气体气氛下球磨，进行金属粉的合金化，球磨后将合金化的金属粉经放电等离子体烧结炉烧结成块，进行合金粉的固化，然后使用马弗炉将烧结成型的块体热处理，再进行空冷。本发明制备的氧化物弥散强化中熵合金中的纳米氧化物颗粒分布均匀，且平均尺寸在5-6nm之间，氧化物颗粒的平均尺寸在5-20nm之间，烧结得到的样品密度达到理论密度的99%以上。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
76
records
(took 0.018 seconds)
