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公开(公告)号：CN112289852B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011471670.3
申请日：2020-12-15
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 西安电子科技大学 , 国家电网有限公司 , 国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心)
发明人： 赵东艳 , 王于波 , 陈燕宁 , 付振 , 刘芳 , 王立城 , 庞振江 , 彭业凌 , 张宏涛 , 任晨 , 张龙涛 , 马晓华 , 曹艳荣 , 赵扬 , 周芝梅 , 万勇 , 陈琳 , 杜艳
IPC分类号： H01L29/10 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/762
摘要： 本发明提供一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构和一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构的制作方法，所述SOI器件结构包括：衬底；形成于所述衬底上的埋氧层；以及形成于所述埋氧层上的有源区；所述有源区划分有栅区以及位于所述栅区两端的源区和漏区，所述栅区下方即所述源区和漏区之间形成有沟道；所述栅区为由二氧化硅层、高K介质层和多晶硅由下而上层叠形成的多晶硅栅极结构；所述源区和漏区上方为源极和漏极；所述栅区与所述源极和漏极之间的器件表面被SiN钝化层覆盖；所述埋氧层由表面向下形成有沟槽，所述沟槽的深度大于源电场及漏电场所能扩展的纵向距离。本发明在减小SOI器件结构的泄漏电流的同时提高了SOI器件结构的散热性能。
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公开(公告)号：CN112731073A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011455731.7
申请日：2020-12-10
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 中国科学院微电子研究所 , 中国科学院大学
IPC分类号： G01R31/12
摘要： 本发明涉及芯片测试领域，提供一种用于经时击穿测试的探针卡以及经时击穿测试方法。所述用于经时击穿测试的探针卡包括：印制电路板以及设置于所述印制电路板的探针，所述印制电路板设有用于输入经时击穿测试信号的输入端，还包括限流元件，所述探针的第一端通过所述限流元件连接所述印制电路板的输入端，所述探针的第二端用于输出所述经时击穿测试信号。本发明通过限流元件吸收器件栅氧化层被击穿时的瞬间大电流，防止器件内部的其它结构被损坏(击穿)，这种情况下器件处于早期损坏，容易确定早期损坏故障点的位置，有助于确定可靠性失效的根本原因。
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公开(公告)号：CN112582526A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011379151.4
申请日：2020-11-30
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
摘要： 本发明涉及材料领域，公开了制备ZrNiSn块体热电材料的方法和电池。该方法包括：(1)将Zr粉、Ni粉和Sn粉混合，以得到金属混合物；(2)将所述金属混合物装入导电模具中，并对所述导电模具通电，以电流诱发自蔓延反应；(3)进一步对所述导电模具通电，加热所述金属混合物，并加载轴向压力，以得到致密的ZrNiSn块体热电材料。该方法原料来源丰富、价格低廉，并且制备时间超短、工艺简单、能耗低及性能优越，适合规模化生产。
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公开(公告)号：CN112289852A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011471670.3
申请日：2020-12-15
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 西安电子科技大学 , 国家电网有限公司 , 国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心)
发明人： 赵东艳 , 王于波 , 陈燕宁 , 付振 , 刘芳 , 王立城 , 庞振江 , 彭业凌 , 张宏涛 , 任晨 , 张龙涛 , 马晓华 , 曹艳荣 , 赵扬 , 周芝梅 , 万勇 , 陈琳 , 杜艳
IPC分类号： H01L29/10 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/762
摘要： 本发明提供一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构和一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构的制作方法，所述SOI器件结构包括：衬底；形成于所述衬底上的埋氧层；以及形成于所述埋氧层上的有源区；所述有源区划分有栅区以及位于所述栅区两端的源区和漏区，所述栅区下方即所述源区和漏区之间形成有沟道；所述栅区为由二氧化硅层、高K介质层和多晶硅由下而上层叠形成的多晶硅栅极结构；所述源区和漏区上方为源极和漏极；所述栅区与所述源极和漏极之间的器件表面被SiN钝化层覆盖；所述埋氧层由表面向下形成有沟槽，所述沟槽的深度大于源电场及漏电场所能扩展的纵向距离。本发明在减小SOI器件结构的泄漏电流的同时提高了SOI器件结构的散热性能。
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公开(公告)号：CN113938127A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111016248.3
申请日：2021-08-31
IPC分类号： H03K19/17792 , H03K19/17764 , G01R31/3185 , G01R31/317
摘要： 本发明提供一种可编程逻辑器件的互连线自校准电路、一种可编程逻辑器件的互连线自校准方法及一种可编程逻辑器件，属于可编程逻辑器件电路领域。互连线自校准电路包括：误码校验模块，用于检测可编程逻辑器件的内部逻辑电路与外部资源的数据交互过程中是否发生误码并生成对应的检测结果；校准模块，用于根据检测结果调整连接内部逻辑电路的互连线的驱动电压。本发明提供的自校准电路能根据误码校验模块的校验结果来调整连接内部逻辑电路的互连线的驱动电压，以调节互连线的速度，实现依据应用场景和应用需求调节互连线的速度，在高速应用模式下提高互连线速度，确保传输可靠性，在低速应用模式下降低互连线速度，节省器件功耗，延长器件寿命。
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公开(公告)号：CN113866690A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111453598.6
申请日：2021-12-01
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京航空航天大学青岛研究院
摘要： 本发明涉及磁传感器领域，提供一种三轴隧穿磁电阻传感器及其制备方法、使用方法。所述三轴隧穿磁电阻传感器，包括上电极、下电极以及所述上电极与所述下电极之间的垂直磁各向异性隧道结；所述垂直磁各向异性隧道结用于在电场调控效应下，感应不同方向的磁矩矢量。本发明基于TMR效应，利用垂直磁各向异性隧道结在电场调控效应下，感应不同方向的磁矩矢量，相较于现有的基于霍尔效应或巨磁阻效应的磁电阻传感器，灵敏度更高，易于集成。
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公开(公告)号：CN108984945A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810877425.9
申请日：2018-08-03
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明公开了一种基于多核心联合仿真被验证设计的仿真验证平台，包括具有以下结构中的至少一种结构：数字逻辑仿真工具和算法仿真工具分时联合仿真验证平台结构、数字逻辑仿真工具和算法仿真工具同时联合仿真验证平台结构、数字逻辑仿真工具和硬件原型平台联合仿真验证平台结构以及硬件原型平台作和算法仿真工具借助DSP联合仿真验证平台结构。本发明的基于多核心联合仿真被验证设计的仿真验证平台能够联合使用三类仿真验证工具，能够更好的提升定位问题的精准度、功能/算法的覆盖率、执行仿真的速度，大大提升了仿真效率。
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公开(公告)号：CN112510143B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202011455669.1
申请日：2020-12-10
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
摘要： 本发明提供一种纵向结构柔性热电器件及其制造方法，属于热电应用领域。所述器件包括：上基板，具有基板电极；下基板，具有基板电极；p型热电粒子和n型热电粒子，所述p型热电粒子和所述n型热电粒子交替排布在所述上基板与所述下基板之间并与所述基板电极焊接固定，每一个p型热电粒子首尾各串接一个n型热电粒子；所述上基板沿其基板电极图案呈分割状态，且分割裂痕与其基板电极无交叉。通过上基板的分割线，使得热电器件具有一定的弯曲能力，解决了目前纵向结构热电器不具备柔性可弯曲性能的问题。
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公开(公告)号：CN113176974A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110735623.3
申请日：2021-06-30
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京理工大学 , 国网山东省电力公司信息通信公司 , 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： G06F11/22 , G06F11/263
摘要： 本发明公开了一种用于验证IP核的方法、装置及系统，本发明通过控制板卡生成测试数据；将测试数据发送至验证板卡，以使得验证板卡基于验证板卡内的IP核和测试数据对目标存储器进行读写访问操作；获取验证板卡从目标存储器读取的第一数据；根据测试数据及第一数据得到验证结果。通过在控制板卡中生成测试数据，并根据控制板卡中的程序控制验证板卡实现IP核的读写验证，避免了传统IP核验证需要硬件验证人员编写硬件验证语言导致开发时间长且灵活性差的缺陷，提高了IP核的验证效率。
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公开(公告)号：CN108563590A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810684179.5
申请日：2018-06-28
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司南京供电分公司
摘要： 本发明提供了一种基于片上FLASH存储器的OTP控制器和控制方法。该OTP控制器包括：通信总线模块，处理器通过该通信总线模块用于对片上FLASH存储器和OTP控制器进行数据读写；总线协议转换模块，其与所述通信总线模块进行通信，将该通信总线模块的总线协议转换为片上FLASH存储器的读写总线协议；读写状态控制模块，其与所述总线协议转换模块进行通信，用于控制所述片上FLASH存储器的读写状态；以及OTP接口，其与所述总线协议转换模块以及所述片上FLASH存储器进行通信，用于OTP数据在OTP控制器与片上FLASH存储器的存储单元之间的传输。本发明的OTP控制器能够对FLASH存储器进行一次性编程的数据读写，并能够保护OTP数据不被改写。
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