-
公开(公告)号：CN113866690B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202111453598.6
申请日：2021-12-01
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京航空航天大学青岛研究院
摘要： 本发明涉及磁传感器领域，提供一种三轴隧穿磁电阻传感器及其制备方法、使用方法。所述三轴隧穿磁电阻传感器，包括上电极、下电极以及所述上电极与所述下电极之间的垂直磁各向异性隧道结；所述垂直磁各向异性隧道结用于在电场调控效应下，感应不同方向的磁矩矢量。本发明基于TMR效应，利用垂直磁各向异性隧道结在电场调控效应下，感应不同方向的磁矩矢量，相较于现有的基于霍尔效应或巨磁阻效应的磁电阻传感器，灵敏度更高，易于集成。
-
公开(公告)号：CN112614536A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011452068.5
申请日：2020-12-09
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京航空航天大学
摘要： 本发明提供一种MRAM存储阵列温度自检测方法、存储控制方法和系统，属于存储器领域。所述方法包括：为第一存储阵列分区分配对应的写错误检测区域地址和读错误检测区域地址；生成多个随机数组，将多个随机数组中的每一个随机数组分别在写错误检测区域地址对应的第一存储阵列中执行一次读写操作，得到第一存储阵列的写错误率测量值；生成固定数组，将固定数组写入读错误检测区域地址对应的第二存储阵列中，执行多次读操作，得到第二存储阵列的读错误率测量值；根据写错误率基础值、读错误率基础值、写错误率测量值和读错误率测量值，判断第一存储阵列和第二存储阵列所属的第一存储阵列分区当前的温度范围。
-
公开(公告)号：CN112582526B
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202011379151.4
申请日：2020-11-30
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： H10N10/851 , H10N10/01
摘要： 本发明涉及材料领域，公开了制备ZrNiSn块体热电材料的方法和电池。该方法包括：(1)将Zr粉、Ni粉和Sn粉混合，以得到金属混合物；(2)将所述金属混合物装入导电模具中，并对所述导电模具通电，以电流诱发自蔓延反应；(3)进一步对所述导电模具通电，加热所述金属混合物，并加载轴向压力，以得到致密的ZrNiSn块体热电材料。该方法原料来源丰富、价格低廉，并且制备时间超短、工艺简单、能耗低及性能优越，适合规模化生产。
-
公开(公告)号：CN112510143A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011455669.1
申请日：2020-12-10
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
摘要： 本发明提供一种纵向结构柔性热电器件及其制造方法，属于热电应用领域。所述器件包括：上基板，具有基板电极；下基板，具有基板电极；p型热电粒子和n型热电粒子，所述p型热电粒子和所述n型热电粒子交替排布在所述上基板与所述下基板之间并与所述基板电极焊接固定，每一个p型热电粒子首尾各串接一个n型热电粒子；所述上基板沿其基板电极图案呈分割状态，且分割裂痕与其基板电极无交叉。通过上基板的分割线，使得热电器件具有一定的弯曲能力，解决了目前纵向结构热电器不具备柔性可弯曲性能的问题。
-
公开(公告)号：CN112834890B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202011598468.7
申请日：2020-12-29
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京大学
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明提供一种检测PMOS器件NBTI退化的电路，包括：第一D触发器、第二D触发器以及包含多个被测PMOS器件的反相器链，反相器链中的每个反相器包括至少一个被测PMOS器件；反相器链的输出端与第一D触发器的时钟输入端相连接；除反相器链的输出端以外的任一反相器的输出端与第二D触发器的时钟输入端相连接；第一D触发器的Q信号输出端和第二D触发器的Q信号输出端通过至少一个异或门与反相器链的输入端相连接。本发明提供的电路是将占空比的测量转化为环形振荡器振荡周期的测量电路，通过得到的环形振荡周期可以直接计算得到反相器链的占空比的方法，从而能直观评估PMOS器件的NBTI退化效应，检测的时效性高且方便快捷。
-
公开(公告)号：CN112834890A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202011598468.7
申请日：2020-12-29
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京大学
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明提供一种检测PMOS器件NBTI退化的电路，包括：第一D触发器、第二D触发器以及包含多个被测PMOS器件的反相器链，反相器链中的每个反相器包括至少一个被测PMOS器件；反相器链的输出端与第一D触发器的时钟输入端相连接；除反相器链的输出端以外的任一反相器的输出端与第二D触发器的时钟输入端相连接；第一D触发器的Q信号输出端和第二D触发器的Q信号输出端通过至少一个异或门与反相器链的输入端相连接。本发明提供的电路是将占空比的测量转化为环形振荡器振荡周期的测量电路，通过得到的环形振荡周期可以直接计算得到反相器链的占空比的方法，从而能直观评估PMOS器件的NBTI退化效应，检测的时效性高且方便快捷。
-
公开(公告)号：CN112289852B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011471670.3
申请日：2020-12-15
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 西安电子科技大学 , 国家电网有限公司 , 国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心)
发明人： 赵东艳 , 王于波 , 陈燕宁 , 付振 , 刘芳 , 王立城 , 庞振江 , 彭业凌 , 张宏涛 , 任晨 , 张龙涛 , 马晓华 , 曹艳荣 , 赵扬 , 周芝梅 , 万勇 , 陈琳 , 杜艳
IPC分类号： H01L29/10 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/762
摘要： 本发明提供一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构和一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构的制作方法，所述SOI器件结构包括：衬底；形成于所述衬底上的埋氧层；以及形成于所述埋氧层上的有源区；所述有源区划分有栅区以及位于所述栅区两端的源区和漏区，所述栅区下方即所述源区和漏区之间形成有沟道；所述栅区为由二氧化硅层、高K介质层和多晶硅由下而上层叠形成的多晶硅栅极结构；所述源区和漏区上方为源极和漏极；所述栅区与所述源极和漏极之间的器件表面被SiN钝化层覆盖；所述埋氧层由表面向下形成有沟槽，所述沟槽的深度大于源电场及漏电场所能扩展的纵向距离。本发明在减小SOI器件结构的泄漏电流的同时提高了SOI器件结构的散热性能。
-
公开(公告)号：CN112731073A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011455731.7
申请日：2020-12-10
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 中国科学院微电子研究所 , 中国科学院大学
IPC分类号： G01R31/12
摘要： 本发明涉及芯片测试领域，提供一种用于经时击穿测试的探针卡以及经时击穿测试方法。所述用于经时击穿测试的探针卡包括：印制电路板以及设置于所述印制电路板的探针，所述印制电路板设有用于输入经时击穿测试信号的输入端，还包括限流元件，所述探针的第一端通过所述限流元件连接所述印制电路板的输入端，所述探针的第二端用于输出所述经时击穿测试信号。本发明通过限流元件吸收器件栅氧化层被击穿时的瞬间大电流，防止器件内部的其它结构被损坏(击穿)，这种情况下器件处于早期损坏，容易确定早期损坏故障点的位置，有助于确定可靠性失效的根本原因。
-
公开(公告)号：CN112582526A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011379151.4
申请日：2020-11-30
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
摘要： 本发明涉及材料领域，公开了制备ZrNiSn块体热电材料的方法和电池。该方法包括：(1)将Zr粉、Ni粉和Sn粉混合，以得到金属混合物；(2)将所述金属混合物装入导电模具中，并对所述导电模具通电，以电流诱发自蔓延反应；(3)进一步对所述导电模具通电，加热所述金属混合物，并加载轴向压力，以得到致密的ZrNiSn块体热电材料。该方法原料来源丰富、价格低廉，并且制备时间超短、工艺简单、能耗低及性能优越，适合规模化生产。
-
公开(公告)号：CN112289852A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011471670.3
申请日：2020-12-15
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 西安电子科技大学 , 国家电网有限公司 , 国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心)
发明人： 赵东艳 , 王于波 , 陈燕宁 , 付振 , 刘芳 , 王立城 , 庞振江 , 彭业凌 , 张宏涛 , 任晨 , 张龙涛 , 马晓华 , 曹艳荣 , 赵扬 , 周芝梅 , 万勇 , 陈琳 , 杜艳
IPC分类号： H01L29/10 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/762
摘要： 本发明提供一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构和一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构的制作方法，所述SOI器件结构包括：衬底；形成于所述衬底上的埋氧层；以及形成于所述埋氧层上的有源区；所述有源区划分有栅区以及位于所述栅区两端的源区和漏区，所述栅区下方即所述源区和漏区之间形成有沟道；所述栅区为由二氧化硅层、高K介质层和多晶硅由下而上层叠形成的多晶硅栅极结构；所述源区和漏区上方为源极和漏极；所述栅区与所述源极和漏极之间的器件表面被SiN钝化层覆盖；所述埋氧层由表面向下形成有沟槽，所述沟槽的深度大于源电场及漏电场所能扩展的纵向距离。本发明在减小SOI器件结构的泄漏电流的同时提高了SOI器件结构的散热性能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
45 条记录 (耗时 0.088 秒)
