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公开(公告)号：CN102611001A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210084836.5
申请日：2012-03-27
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/183
Abstract: 一种优化光子晶体面发射激光器方法属于半导体光电子技术领域。所述方法在氧化限制型面发射激光器和二维光子晶体横向耦合基础的上将氧化孔径与光子晶体缺陷孔径纵向匹配耦合。通过优化氧化孔径和光子晶体缺陷孔径的关系，制备氧化孔径比光子晶体缺陷孔径大一个光子晶体空气孔直径器件使器件工作在低阈值电流、小串联电阻、高单模输出功率状态。本发明的方法可应用于各种类型材料的氧化限制型光子晶体面发射激光器，不受波长范围影响。
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公开(公告)号：CN102447027A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110425171.5
申请日：2011-12-16
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及半导体光电子器件领域，具体涉及一种具有高光提取窗口的垂直结构型发光二极管。本发明包括电极，高光提取的窗口层结构，接触层，限制层，多量子阱有源区；电极，高光提取的窗口层结构，限制层，多量子阱有源区，限制层，接触层，电极自上而下依次垂直连接；多量子阱有源区两侧的电极极性不同；多量子阱有源区一侧的电极，高光提取的窗口层结构以及限制层的极性相同，多量子阱有源区另一侧的限制层，接触层以及电极的极性相同。本发明通过采用垂直结构以及采用厚的半导体窗口层使GaN基发光二极管同时具有低工作电压和高光提取效率的特点。
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公开(公告)号：CN100375304C
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200610114080.9
申请日：2006-10-27
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 高提取效率的半导体发光二极管结构及其制备方法属于光电子器件制造技术领域，适合于多种波长的半导体LED。现有LED虽然内量子效率高，但是外量子效率很低，只有很少的一部分光子能够从LED出射。本发明提出在LED外延片上生长ITO透明导电膜与SixNy介质膜组成的复合增透膜结构，ITO透明导电膜的光学厚度为二分之一LED发射波长的整数倍，SixNy介质膜的光学厚度为四分之一LED发射波长的奇数倍，SixNy介质膜的折射率是LED外延片最上层半导体材料的折射率的开方。这种设计能够在实现好的电流扩展的同时，将界面反射率降到最低来实现最佳增透作用，极大的提高外量子效率，使得光强增加了130%以上。
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公开(公告)号：CN1330011C
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200410101246.4
申请日：2004-12-17
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明的低接触电阻、低光吸收、全角高反射的LED电极属于光电子器件制造技术领域。该电极的结构为：第一层是掺杂的半导体层基底(1)；第二层是位于半导体基底上的欧姆接触层(8)；第三层是在欧姆接触层上的一层银高反镜(3)；第四层是在银高反镜上的一层保护层(4)，其特征在于：所述的欧姆接触层(8)上带有贯通的圆形微孔(10)，圆形微孔(10)内镀了透明膜(9)。透明膜的最佳光学厚度为器件发光波长的四分之一，透明膜(9)的折射率小于半导体基底(8)和银高反镜(3)的复折射率，形成了折射率高低高的结构。本发明的LED电极达到了接触电阻低、光吸收少，同时又提高了热可靠性的效果。
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公开(公告)号：CN114597282A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210183042.8
申请日：2022-02-27
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/112 , H01L31/0224 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 一种ZnO纳米线栅极HEMT紫外光探测器涉及紫外光探测技术领域。本发明采用传统型高电子迁移率晶体管(HEMT)与纳米型结构半导体材料ZnO结合制备对紫外光敏感的光电探测器件。选取p‑GaN层覆盖的耗尽型AlGaN/GaN外延片，同时对源漏电极区域进行整体下刻蚀，使得器件在未人为外加电压时处于关断状态。在器件栅电极上，以正面朝下反向水热生长的方式得到尽量朝外生长的ZnO纳米线结构，注意控制调整水热生长时间及温度以得到生长形貌较好、排列均匀的纳米线，纳米线生长状态将直接影响其对紫外光的感应能力。
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公开(公告)号：CN113161239A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110403835.1
申请日：2021-04-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/08 , H01L29/423 , H01L29/778
Abstract: 一种增强型GaN HEMT环形栅下刻蚀器件属于半导体微电子领域。器件共分为10个区域，分别为为源极开孔区域、漏极开孔区域、栅极开孔区域，源电极，源电极处刻蚀的凹槽，刻蚀后剩余的栅下P‑GaN,环形栅电极，漏电极处刻蚀的凹槽，漏电极，SiO2保护层。器件隔离刻蚀厚度为350nm,本发明是将传统的GaN HEMT器件进行结构改进，设计了环形栅以及源漏下刻蚀相结合的结构，使得器件的导通电阻得以降低，欧姆接触性能提高，同时也提高了器件的击穿特性，使得器件避免边缘效应而发生击穿，改善了功率型开关器件的性能。
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公开(公告)号：CN109614906A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811466946.1
申请日：2018-12-03
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明实施例提供一种基于深度学习的安防系统及安防报警方法，所提供的系统包括：图像采集装置，用于对监控区域进行图像采集，获得图像信息，并将所述图像信息发送给运动物体识别模块；运动物体识别模块，用于对所述图像信息进行运动物体识别，若判断获知所述图像信息中包含有运动物体，则将所述预想信息发送至识别模块；分类模块，用于通过预设的识别模型对所述图信息中的运动物体进行识别，获得所述运动物体的类型；报警模块，当判断获知所述运动物体的类型为目标类型时，则发送报警信息。本发明实施例提供的系统，当检测到动态物体的时候，对动态物体的种类进行识别，从而实现了系统自动对区域内的运动目标进行识别，减少了人工的工作量。
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公开(公告)号：CN104900745B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201510276391.4
申请日：2015-05-26
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种基于高电子迁移率晶体管的光谱探测器及其制备方法，本发明在高电子迁移率晶体管的栅极金属薄膜上设置了一层光电阴极薄膜。光谱检测时，光辐射射到光电阴极薄膜上，使光电阴极薄膜发生外光电效应，其表面电荷分布发生变化，使栅极电压发生改变，导致高电子迁移率晶体管内部的二维电子气产生或浓度发生变化，从而使高电子迁移率晶体管的沟道电流发生变化，使光波信号转变为电信号，实现对光辐射的高灵敏度探测。
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公开(公告)号：CN103280541B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201310193868.3
申请日：2013-05-23
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种在CVD石墨烯上制备柔性器件和柔性衬底的工艺方法，属于基于纳米碳（石墨烯）的柔性电子技术领域。在石墨烯层上制备柔性电子器件功能结构，石墨烯层是用CVD生长在金属催化剂衬底片上的，然后在柔性电子器件功能结构上制备柔性衬底；采用电化学鼓泡法使金属催化剂衬底片与石墨烯层分离：在电解槽中，将上述石墨烯的产品作为阴极，进行水的直流电解，在电解液的辅助下于阴极产生的氢气泡渗入金属催化剂衬底片与石墨烯层的界面间，最终分开；最后在表面涂覆石墨烯钝化层。本发明缩短了工艺流程、降低了成本，减小了对环境的重金属污染。
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公开(公告)号：CN102820315B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201210297385.3
申请日：2012-08-20
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种直接发光型微显示阵列器件及其制备方法，所述显示阵列包括衬底外延片、半导体矩阵隔离区、电子型导电层、发光层、空穴型导电层、电子型导电电极、空穴型导电电极、隔离保护层、阳极线、阴极线。所述方法采用干法刻蚀外延层得到电子型导电层，形成多个矩阵单元；采用离子注入电子型导电层，直至衬底，实现相邻单元的隔离，获得半导体矩阵隔离区；电子束蒸发金属形成电子型导电电极，引出阴极线；用PECVD淀积隔离保护层；电子束蒸发金属形成空穴型导电电极，引出阳极线；阳极线与阴极线的在空间上交叉的区域即为显示像素。
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