公开(公告)号：CN104900745B

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201510276391.4

申请日：2015-05-26

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 朱彦旭 ,  刘飞飞 ,  杜志娟 ,  郭伟玲 ,  于宁 ,  邓叶 ,  王岳华 ,  宋会会

IPC: H01L31/10 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种基于高电子迁移率晶体管的光谱探测器及其制备方法，本发明在高电子迁移率晶体管的栅极金属薄膜上设置了一层光电阴极薄膜。光谱检测时，光辐射射到光电阴极薄膜上，使光电阴极薄膜发生外光电效应，其表面电荷分布发生变化，使栅极电压发生改变，导致高电子迁移率晶体管内部的二维电子气产生或浓度发生变化，从而使高电子迁移率晶体管的沟道电流发生变化，使光波信号转变为电信号，实现对光辐射的高灵敏度探测。

公开(公告)号：CN104409463A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201410643683.2

申请日：2014-11-09

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 朱彦旭 ,  于宁 ,  刘飞飞 ,  郭伟玲 ,  杜志娟 ,  邓叶 ,  王岳华

IPC: H01L27/144

Abstract: 本发明用于半导体光电子领域，涉及一种基于HEMT结构调制沟道电流的光探测器。本探测器包括：处于最下方的具有HEMT器件结构的半导体层；在HEMT栅电极位置处沉积一层光感应层；沉积在光感应层上的一层金属电极层；在栅电极两侧具有源电极和漏电极；光辐射穿过具有HEMT器件结构的半导体层入射到栅极光感应层上，光感应层产生热释电效应或者光伏效应，引起光感应层表面电荷分布变化，从而诱导与光感应层接触的半导体层表面的电荷分布发生改变，进而引起半导体层内部极化场强的改变，导致二维电子气(2DEG)的变化，使得输出电流发生改变，最终使输入的光辐射信号转换成变化的电流信号输出，完成光辐射的探测。本发明具有较高的探测率，工作于室温，方便使用。

公开(公告)号：CN104900745A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510276391.4

申请日：2015-05-26

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 朱彦旭 ,  刘飞飞 ,  杜志娟 ,  郭伟玲 ,  于宁 ,  邓叶 ,  王岳华 ,  宋会会

IPC: H01L31/10 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/10 ,  H01L31/1804

Abstract: 本发明涉及一种基于高电子迁移率晶体管的光谱探测器及其制备方法，本发明在高电子迁移率晶体管的栅极金属薄膜上设置了一层光电阴极薄膜。光谱检测时，光辐射射到光电阴极薄膜上，使光电阴极薄膜发生外光电效应，其表面电荷分布发生变化，使栅极电压发生改变，导致高电子迁移率晶体管内部的二维电子气产生或浓度发生变化，从而使高电子迁移率晶体管的沟道电流发生变化，使光波信号转变为电信号，实现对光辐射的高灵敏度探测。