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公开(公告)号：CN102173801A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110022469.1
申请日：2011-01-20
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种Ta掺杂的CeO2过渡层薄膜及其制备方法，属于高温涂层超导材料技术领域。本发明所提供的TaxCe1-xO2薄膜，过渡层薄膜厚度为30～240nm左右。首先将Ta盐和Ce盐按照阳离子摩尔比x∶1-x，其中0.1≤x≤0.25，溶解到甲醇和正丙酸中得到前驱溶液，然后将前驱溶液用旋涂的方法沉积到Ni-5W基板上，在通有保护气氛的条件下，经过高温烧结工艺获得TaxCe1-xO2薄膜。本发明具有制备工艺简单，成本低，制备出的薄膜具有厚度大，织构好，裂纹少的优点，能够在外延织构的同时起到隔离超导层与基底材料相互反应的作用。
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公开(公告)号：CN102154578A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110069925.8
申请日：2011-03-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种无磁性织构NiV合金基带及熔炼制备方法，属于高温超导涂层导体金属基带技术领域。合金基带的组分及其原子百分含量为Ni(88～91at.％)，V(9～12at.％)。采用熔炼方法制备，包括以下步骤：(1)原料配比与初始坯锭的制备；(2)初始坯锭的形变轧制；(3)冷轧基带的再结晶热处理。本发明所制备的合金基带具有无磁性，高立方织构等特点，并易于工业化生产。
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公开(公告)号：CN103746071B
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201410009515.8
申请日：2014-01-09
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种自组装LaAlO3纳米线、制备及应用，属于高温超导材料制备技术领域。纳米线之间的取向差基本为0；数目在10‑100个/μm2；垂直基板方向的高度为0.2‑4nm，平行基板方向的长度为50‑1000nm，平行基板方向的宽度在10nm‑100nm；分布均匀且无团结。本发明通过将（001）‑LaAlO3或（001）‑SrTiO3单晶基板偏离标准(001)取向一定角度切割并抛光，然后再经过热处理工艺，即可在基板表面获得自组装的纳米线。本发明工艺及其简单，价格低廉，纳米线的形态可根据偏离角度调控，为沉积超导薄膜提供了一种简单高效的工程表面，有利于市场化的推进。
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公开(公告)号：CN103922738B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201410088329.8
申请日：2014-03-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/622 , B05D1/38 , B05D7/14
Abstract: 一种La2Zr2O7过渡层梯度薄膜结构、制备及应用，属于高温超导涂层材料技术领域。本发明所提供的La2Zr2O7过渡层薄膜，下层为离子半径较小的Ti4+掺杂形成的La2Zr2-xTixO7薄膜，其中0.2≤x≤1.8，上层是离子半径较大的Y3+掺杂形成的La2Zr2-yYyO7薄膜，其中0.2≤y≤1.8，通过不同掺杂量实现与基板Ni、超导层YBCO的100%匹配，实现了晶格常数梯度变化的过渡层结构。且过渡层为同一本体材料，性能更稳定。La2Zr2-xTixO7、La2Zr2-yYyO7薄膜晶格常数精确可调，且能实现多种过渡层功能的一体化，减小了现有过渡层结构的复杂性。
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公开(公告)号：CN102875141B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201210350944.2
申请日：2012-09-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01B12/06
CPC classification number: Y02E40/642
Abstract: 一种Nb掺杂的YBCO超导薄膜及制备方法，属于YBCO超导薄膜技术领域。超导薄膜为YBCO薄膜中掺杂有纳米颗粒的双钙钛矿结构的BYNO，Nb物质的量占总的金属阳离子的物质的量为1%-10%。制备方法包括：YBCO前驱溶液的配制；Nb前驱液的配制；Nb掺杂的YBCO前驱液的配制；凝胶薄膜的涂敷；低温烧结；高温烧结。本发明所提供的方法简单易行，可以任意控制掺杂物配比，且原料廉价易得，不需要真空设备，成本低廉，所制得的薄膜具有较高的临界转变温度，临界电流密度和良好的双轴织构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103274681A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310105548.8
申请日：2013-03-28
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/45 , C04B35/624
Abstract: 一种Nb掺杂的YxYb1‐xBCO超导薄膜及制备方法，属于YBCO超导薄膜改性技术领域。是在YxYb1‐xBCO薄膜中掺杂有Nb，本发明通过如下步骤制备Nb掺杂的YxYb1‐xBCO薄膜：1）YBCO前驱溶液的配制；2）Yb前驱溶液的配制；3）YxYb1‐xBCO前驱液的配制；4）Nb前驱液的配制；5）Nb掺杂的YxYb1‐xBCO前驱液的配制；6）凝胶薄膜的涂敷；7）低温烧结；8）高温烧结。本发明所提供的方法简单易行，可以任意控制掺杂物配比，且原料廉价易得，不需要真空设备，成本低廉，所制得的薄膜具有较高的相纯度，较高的临界转变温度和较好的表面。
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公开(公告)号：CN103265279A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310175509.5
申请日：2013-05-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/45 , C04B35/622 , B28B1/30
Abstract: 一种V掺杂的YBCO超导薄膜及其制备方法，属于YBCO涂层超导薄膜制备技术领域。一种双钙钛矿结构纳米颗粒BYVO掺杂的YBCO超导薄膜，其制备：1）首先配制前驱溶液，把乙酸钇、乙酸钡和乙酸铜按照Y：Ba：Cu=1:2:3的摩尔比混合，制成YBCO前驱溶液。2）搅拌均匀后再加入三种金属总离子摩尔浓度的5%-10%的乙酰丙酮钒，制备成V掺杂的YBCO前驱溶液。（3）凝胶薄膜的涂覆；4）低温烧结；5）高温烧结，形成含有纳米BYVO的YBCO超导薄膜。本发明所提供的方法简单易行，可以任意控制掺杂物配比，所制得的薄膜具有较高的临界转变温度，临界电流密度和良好的双轴织构。
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公开(公告)号：CN102875141A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210350944.2
申请日：2012-09-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/45 , C04B35/622
CPC classification number: Y02E40/642
Abstract: 一种Nb掺杂的YBCO超导薄膜及制备方法，属于YBCO超导薄膜技术领域。超导薄膜为YBCO薄膜中掺杂有纳米颗粒的双钙钛矿结构的BYNO，Nb物质的量占总的金属阳离子的物质的量为1%-10%。制备方法包括：YBCO前驱溶液的配制；Nb前驱液的配制；Nb掺杂的YBCO前驱液的配制；凝胶薄膜的涂敷；低温烧结；高温烧结。本发明所提供的方法简单易行，可以任意控制掺杂物配比，且原料廉价易得，不需要真空设备，成本低廉，所制得的薄膜具有较高的临界转变温度，临界电流密度和良好的双轴织构。
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公开(公告)号：CN102180703B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110052460.5
申请日：2011-03-04
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种二元材料(Zr，Ce)O2纳米点、制备方法及应用，属于高温超导材料技术领域。制备方法：将乙酰丙酮锆和乙酰丙酮铈按锆与铈摩尔比为1-x∶x溶解到正丙酸中，得到前驱液；将前驱液涂敷到单晶基板上，得到前驱膜；在保护气体下，将前驱膜于950～1200℃烧结10～500分钟，得到不连续的、高度在5～60nm、直径在20～150nm、颗粒密度在10～100个/μm的Ce掺杂的ZrO2纳米点。在上述涂有纳米点的过渡层基板上用低氟MOD工艺制备YBCO膜，来提高外加磁场下YBCO薄膜的超导性能。本发明引入的纳米点的形态，数目及分布可简单、有效控制。
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公开(公告)号：CN102173801B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201110022469.1
申请日：2011-01-20
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种Ta掺杂的CeO2过渡层薄膜及其制备方法，属于高温涂层超导材料技术领域。本发明所提供的TaxCe1-xO2薄膜，过渡层薄膜厚度为30～240nm左右。首先将Ta盐和Ce盐按照阳离子摩尔比x∶1-x，其中0.1≤x≤0.25，溶解到甲醇和正丙酸中得到前驱溶液，然后将前驱溶液用旋涂的方法沉积到Ni-5W基板上，在通有保护气氛的条件下，经过高温烧结工艺获得TaxCe1-xO2薄膜。本发明具有制备工艺简单，成本低，制备出的薄膜具有厚度大，织构好，裂纹少的优点，能够在外延织构的同时起到隔离超导层与基底材料相互反应的作用。
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