一种以目标检测算法为核心的行车盲区预警系统

    公开(公告)号:CN110329152A

    公开(公告)日:2019-10-15

    申请号:CN201910556418.3

    申请日:2019-06-25

    Abstract: 本发明公开了一种以目标检测算法为核心的行车盲区预警系统,属于车载预警、嵌入式单片机系统和机器学习等领域。该系统包括角度感应模块、预警模块、图像目标检测模块、视频辅助模块和单片机。角度感应模块包括两个角度传感器,感应到前轮实际转角后传输给单片机主机,计算危险区域;光线预警模块保留危险区域的光线进行预警;车身的摄像头启动,图像目标检测模块检测障碍物类别,视频辅助模块通过车载摄像头将危险区域情况投射至显示屏,同时输出至声音预警模块。声音预警模块对危险区域内的行人发出警示音。本发明安装方便,更新成本低,有很高的可实施性,客观且准确,能有效减少转弯事故发生。

    基于主动激光照明的距离选通成像方法及系统

    公开(公告)号:CN118091699B

    公开(公告)日:2024-08-27

    申请号:CN202410461648.2

    申请日:2024-04-17

    Abstract: 本发明涉及图像选通成像领域,具体涉及基于主动激光照明的距离选通成像方法及系统。方法包括:提供距离选通成像装置,其包括:激光器,连接激光器的发射模块和接收模块;通过激光器生成用于激发发射模块的激光信号;根据激光信号和基于多因素融合的时序计算模型计算用于控制相机的控制信号;采用控制信号控制相机获取到图像序列,图像序列包括:至少一张具有深度信息的深度图像,深度信息包括:目标对象与相机之间的间距信息。本发明提出了一种基于多因素融合的时序计算模型和深度信息相协同的新型选通方法,其中该时序计算模型能够基于实时的深度信息特点被动态地调节,以进一步提升选通方法的准确性。

    一种三维模型检索方法、装置、电子设备及存储介质

    公开(公告)号:CN112434177B

    公开(公告)日:2023-06-20

    申请号:CN202011359710.5

    申请日:2020-11-27

    Abstract: 本发明实施例提供一种三维模型检索方法、装置、电子设备及存储介质,该方法包括:根据三维模型三角形网格确定三维模型连接组件,确定每个三维模型连接组件的轴对齐包围框;根据各个三维模型连接组件的轴对齐包围框的交点确定连接组件相邻图,以根据所述连接组件相邻图得到三维模型实例信息;根据所述三维模型实例信息与预设数据库中的实例信息进行相似性度量,以实现三维模型检索。通过根据三维模型确定三维模型连接组件,从而得到各个连接组件相邻图,根据各个连接组件相邻图最终将三维模型分解为多个实例,从而在三维模型中存在多个三维对象时,能充分考虑多个三维对象的特点进行三维模型检索,有效提高检索准确度。

    一种抑制载流子横向扩散的半导体量子阱结构及制备方法

    公开(公告)号:CN115663596A

    公开(公告)日:2023-01-31

    申请号:CN202211229143.0

    申请日:2022-10-09

    Abstract: 本发明提供一种抑制载流子横向扩散的半导体量子阱结构及制备方法。该结构包括依次层叠设置的下势垒层、量子阱层、成核结构和上势垒层;其中,成核结构的形貌为岛状和/或沟槽状,成核结构未全部覆盖量子阱层;成核结构的带隙宽度不等于上势垒层的带隙宽度。本发明能够减少量子阱内载流子的横向扩散,从而减少载流子在量子阱结构中位错区域的非辐射复合,提高量子阱结构的发光性能。采用该量子阱结构作为有源区的激光器对位错的容忍度将得到明显提升,尤其是硅基异质外延生长的Ⅲ‑Ⅴ族半导体量子阱激光器。本发明切实可行,为半导体量子阱结构的生长提供了全新的方案,将推进对应的半导体量子阱激光器在硅基光电集成芯片中的应用。

    硅上III-V族半导体外延结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN114566423A

    公开(公告)日:2022-05-31

    申请号:CN202011359732.1

    申请日:2020-11-27

    Abstract: 本发明实施例提供一种硅上III‑V族半导体外延结构及其制备方法,该方法包括:在硅衬底上直接或间接生长适配层;在所述适配层上直接或间接生长III‑V族半导体目标外延结构;其中,所述适配层包括三元系III族砷化物适配层或二元系III‑V族化合物适配层。该方法生长工艺简单,易调控,对生长设备没有特殊要求。特别是,降低穿透位错密度所需的适配层的厚度薄,使得后续通过增加层数和厚度来优化III‑V族半导体外延结构变为可能,利于硅上高性能III‑V族半导体器件的制备。

    一种具有纳米间隙层的超透镜及超分辨成像系统

    公开(公告)号:CN111751909B

    公开(公告)日:2022-02-11

    申请号:CN202010502084.4

    申请日:2020-06-04

    Abstract: 本发明实施例提供一种具有纳米间隙层的超透镜及超分辨成像系统,该超透镜包括周期性薄膜结构和至少一层纳米间隙层,其中:所述周期性薄膜结构是由金属层和介质层堆叠构成的,所述纳米间隙层的两侧为所述介质层。本发明实施例通过引入纳米间隙层,使得坡音廷矢量在纳米间隙层与介质层的交界面处发生传播方向的偏折,从而导致物像的主瓣和旁瓣的对数比增大,大幅改善两个及两个以上物体成像时,多个像点的旁瓣与旁瓣之间以及旁瓣与主瓣之间互相重叠导致的干扰问题,并能对静止的物体和/或移动的物体进行突破衍射极限的纳米级超高分辨率三维成像,在纳米材料实时成像、生物医学成像和超精密纳米光刻等领域具有重要应用前景。

    基于Cesium的RTSP视频流加载方法及装置

    公开(公告)号:CN112584254A

    公开(公告)日:2021-03-30

    申请号:CN202011382422.1

    申请日:2020-11-30

    Abstract: 本发明提供一种基于Cesium的RTSP视频流加载方法及装置,该方法包括:确定Cesium三维地球在屏幕上的可视区域的视点高度;若待加载的RTSP视频流的采集高度不大于视点高度,且RTSP视频流的地理空间范围在可视区域的地理空间范围内,则将RTSP视频流加载到Cesium三维地球上。本发明提供的一种基于Cesium的RTSP视频流加载方法及装置,基于Cesium三维地球的可视区域,对待加载的RTSP视频流进行调度,避免了一次性全部加载造成的卡顿或崩溃,提高了视频播放的流畅度,保证了视频监控的实时性。

    基于Unity3D的楼层拆解方法及系统

    公开(公告)号:CN112489229A

    公开(公告)日:2021-03-12

    申请号:CN202011281953.1

    申请日:2020-11-16

    Abstract: 本发明提供一种基于Unity3D的楼层拆解方法及系统,该方法包括:基于Unity3D技术,获取目标建筑的楼层三维空间;根据预设楼层移动规则,将每个楼层在所述楼层三维空间进行移动拆解,得到所述目标建筑的楼层拆解结果,本发明通过Unity3D技术,可以直接把建筑模型按楼层拆解开,并平铺在一个水平面上,在建筑外面以俯视视角就可以直观的看到每一层的内容,其拆解过程十分简单,可以更加效率的得到建筑模型的内部结构。

    一种超辐射发光二极管的优化方法

    公开(公告)号:CN107992659A

    公开(公告)日:2018-05-04

    申请号:CN201711189391.6

    申请日:2017-11-24

    Abstract: 本发明提供一种超辐射发光二极管的优化方法,包括:S1,基于分数维度电子态系理论,根据超辐射发光二极管有源区厚度、导带准费米能级和价带准费米能级,获取其有源区载流子联系分谱密度CSD曲线、载流子联系浓度和载流子联系谱效因子;载流子联系谱效因子为CSD曲线峰值平方与载流子联系浓度之比;S2,调节有源区厚度、导带准费米能级和价带准费米能级,获取有源区优化厚度,即CSD曲线呈单峰状时载流子联系谱效因子和CSD曲线的-3dB带宽的乘积的最大值对应的有源区厚度;S3,基于有源区优化厚度设计超辐射发光二极管。本发明提供的方法,通过优化有源区厚度增大了功率带宽乘积,有效地提高了超辐射发光二极管的综合性能。

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