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公开(公告)号：CN101771115A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200910076039.0
申请日：2009-01-06
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/00 , H01L21/306 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供了一种氮化镓基材料激光剥离后氮面的处理方法，先用盐酸溶液浸泡去除金属镓，然后依次进行反应气氛为氮气或惰性气体的ICP预处理，反应气氛为氯气、四氯化硅和氩气的ICP处理，以及反应气氛为氧气和三氟甲烷的ICP后处理。该方法用于激光剥离后的薄膜倒装结构、垂直注入结构和自支撑垂直结构GaN发光二极管的N面处理，克服了湿法腐蚀及化学机械抛光方法的不足，适合于大规模生产而且不产生副作用，解决了未处理表面降低出光效率的问题。
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公开(公告)号：CN116798634A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202311076712.7
申请日：2023-08-25
Applicant: 北京大学深圳医院
Abstract: 本发明提出了一种FSH启动剂量预测系统、电子设备及存储介质，涉及医疗技术领域。其包括：数据采集模块，用于获取受测者的年龄、体重、抗缪勒氏管激素(AMH)水平和目标获卵数（NOR）的数据。启动剂量计算模块，用于按照预设控制性超促排卵方案分别以年龄、体重、抗缪勒氏管激素(AMH)的自然对数转换形式作为自变量，卵巢敏感性的自然对数转换形式作为因变量，进行线性回归计算，得到对应的卵巢敏感性拟合模型，并基于该卵巢敏感性拟合模型进行变换得到应给予受测者的外源性FSH药物剂量。该技术方案能够用以预测控制性超促排卵过程中个体化的FSH启动剂量，用以获得合适的卵母细胞个数，节约经济成本和时间成本。
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公开(公告)号：CN108565288B
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201810634016.6
申请日：2018-06-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/49 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种基于二维半导体材料的陡亚阈器件及其制备方法，在器件源区和沟道区之间插入由两种不同电子亲和势的纳米厚度的二维半导体材料重复堆垛形成的超晶格结构，构成能量窗口。当器件处于关态时，高于能量窗口的载流子被截断，无法进入沟道当中，可以获得超低泄漏电流。在施加栅压的过程中，势垒逐渐降低，源区位于能量窗口内的载流子可以通过窗口进入沟道，被漏端收集形成电流，可以获得小于60mV/dec的亚阈值斜率。当器件处于开态时，栅压可以调控二维半导体材料之间的能带对准方式，降低源区和超晶格之间势垒高度，相比传统的三维半导体材料构成的超晶格陡亚阈器件来讲，可以获得更高的开态电流。该器件制备工艺简单，具备大规模生产能力。
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公开(公告)号：CN107104140B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201710454662.X
申请日：2017-06-15
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种基于二维材料/半导体异质结的隧穿场效应晶体管及其制备方法。通过能带设计使得关态时该器件形成交错式能带结构，即二维材料和半导体材料之间不存在隧穿窗口，能够获得极低的关态电流。施加栅压能够调控二维材料/半导体异质结处的能带对准方式，使得器件在开态时形成错层式能带结构，有效隧穿势垒高度为负值；同时，载流子从源区隧穿到沟道区，能够实现直接隧穿，可获得大的开态电流。该器件采用高掺杂的三维半导体材料作为源区材料，其与金属源电极等势，同时由于二维材料的厚度超薄，栅压可调控二维材料以及二维材料/半导体异质结界面处的能带，可获得理想的栅控能力。本发明工艺简单，与传统的半导体工艺兼容性大。
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公开(公告)号：CN108565288A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810634016.6
申请日：2018-06-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/49 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种基于二维半导体材料的陡亚阈器件及其制备方法，在器件源区和沟道区之间插入由两种不同电子亲和势的纳米厚度的二维半导体材料重复堆垛形成的超晶格结构，构成能量窗口。当器件处于关态时，高于能量窗口的载流子被截断，无法进入沟道当中，可以获得超低泄漏电流。在施加栅压的过程中，势垒逐渐降低，源区位于能量窗口内的载流子可以通过窗口进入沟道，被漏端收集形成电流，可以获得小于60mV/dec的亚阈值斜率。当器件处于开态时，栅压可以调控二维半导体材料之间的能带对准方式，降低源区和超晶格之间势垒高度，相比传统的三维半导体材料构成的超晶格陡亚阈器件来讲，可以获得更高的开态电流。该器件制备工艺简单，具备大规模生产能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107104140A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710454662.X
申请日：2017-06-15
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种基于二维材料/半导体异质结的隧穿场效应晶体管及其制备方法。通过能带设计使得关态时该器件形成交错式能带结构，即二维材料和半导体材料之间不存在隧穿窗口，能够获得极低的关态电流。施加栅压能够调控二维材料/半导体异质结处的能带对准方式，使得器件在开态时形成错层式能带结构，有效隧穿势垒高度为负值；同时，载流子从源区隧穿到沟道区，能够实现直接隧穿，可获得大的开态电流。该器件采用高掺杂的三维半导体材料作为源区材料，其与金属源电极等势，同时由于二维材料的厚度超薄，栅压可调控二维材料以及二维材料/半导体异质结界面处的能带，可获得理想的栅控能力。本发明工艺简单，与传统的半导体工艺兼容性大。
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公开(公告)号：CN102891678A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210361604.X
申请日：2012-09-25
Applicant: 北京大学
IPC: H03K19/094
Abstract: 本发明实施例公开了反相器电路和芯片，该电路包括：阻变忆阻器方阵和电流敏感模块；阻变忆阻器方阵中同一列阻变忆阻器的正相输入端相连接，以使同一列阻变忆阻器的正相输入端作为信号输入端口；阻变忆阻器方阵中同一行阻变忆阻器的反相输入端与一个电流敏感模块的输入端相连接，以使电流敏感模块的输出端作为信号输出端口；电流敏感模块的输入端工作时连接到低电平，电流敏感模块的输入端接收到的电流大于阈值电流时，电流敏感模块的输出端输出低电平，电流敏感模块的输入端接收到的电流小于阈值电流时，电流敏感模块的输出端输出高电平。本发明实施例中，在节省反相器电路所占面积的同时，实现了反相器电路可编程的性能。
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公开(公告)号：CN102882514A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210380759.8
申请日：2012-10-09
Applicant: 北京大学
IPC: H03K19/20
Abstract: 本发明实施例公开了与逻辑电路和芯片，该电路包括：阻变忆阻器阵列和比较器；阻变忆阻器阵列中同一列阻变忆阻器的正相输入端相连接，以使同一列阻变忆阻器的正相输入端作为与逻辑电路的信号输入端或辅助信号输入端，辅助信号输入端工作时连接到低电平；阻变忆阻器阵列中同一行阻变忆阻器的反相输入端与一个比较器的输入端相连接，以使比较器的输出端作为与逻辑电路的信号输出端；比较器的输入端接收到的电压大于阈值电压时，比较器的输出端输出高电平，比较器的输入端接收到的电压小于阈值电压时，比较器的输出端输出低电平。本发明实施例中，在节省与逻辑电路所占面积的同时，实现了与逻辑电路可编程的性能。
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公开(公告)号：CN111291877B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202010118636.1
申请日：2020-02-26
Applicant: 北京大学
IPC: G06N3/063
Abstract: 本发明提出了一种基于铁电晶体管FeFET的侧抑制神经元电路,该电路包括电容、重置管、正反馈管、两级串联的反相器、铁电晶体管；其中，电容用于模拟生物神经元的细胞膜电容，积累由输入的突触后电流带来的电荷；重置管是一个N型MOSFET器件，为电容上积累的电荷提供重置通路；正反馈管是一个P型MOSFET器件，在第一级反相器的输入接近其逻辑阈值电平时为电容补充电荷；两级串联的反相器由两组互补CMOS构成，起到放大输入端电压变化的作用，脉冲生成于其输出端；铁电晶体管是一个N型FeFET器件，用于模拟生物神经元的侧抑制功能。本发明可以显著降低硬件开销；同时高度模拟了生物神经元的基本特性和高级功能。
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公开(公告)号：CN110232440B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201910500395.4
申请日：2019-06-11
Applicant: 北京大学
IPC: G06N3/063 , H03K19/0944
Abstract: 本发明提出了一种基于铁电晶体管的脉冲神经元电路，属于神经形态计算中脉冲神经元技术领域。该电路包括铁电晶体管FeFET和电阻；通过增强铁电晶体管FeFET的铁电材料的极化退化特性形成铁电晶体管L‑FeFET，该L‑FeFET用于模拟生物神经元的积累和泄露特性，从突触传递过来的电压脉冲信号施加在L‑FeFET的栅上，L‑FeFET的源端与GND相连，L‑FeFET的漏端连接于电阻的一端；电阻的另一端与固定的电源电压相连，电阻用于与L‑FeFET分压产生神经元的电压脉冲输出。本发明与基于传统MOSFET的实现方式相比，可以显著降低硬件开销；具有较强的驱动能力，有利于大规模的高度互联的脉冲神经网络的硬件实现。
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