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公开(公告)号：CN101007168B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200610001742.1
申请日：2006-01-23
Applicant: 北京大学
IPC: A61K39/215 , A61P31/14 , A61P11/00
Abstract: 本发明公开了一种SARS疫苗及其制备方法。该SARS疫苗是以杆状病毒为载体，在其表面展示有SARS冠状病毒S蛋白胞外区的重组杆状病毒。其制备方法包括以下步骤：1)构建SARS冠状病毒S蛋白胞外区的杆状病毒表面展示载体；2)将SARS冠状病毒S蛋白胞外区的杆状病毒表面展示载体转化含有杆状病毒基因组质粒Bacmid的感受态细胞，得到重组杆状病毒基因组质粒；3)将重组杆状病毒基因组质粒转染昆虫细胞，对培养上清中的重组杆状病毒粒子进行纯化后，得到SARS疫苗。本发明的疫苗具有以下优点：1)安全性高；2)免疫保护效果好；3)制备方法简单，易于大规模生产。本发明在SARS防治领域具有较高的实际应用价值。
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公开(公告)号：CN109103098A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810301036.1
申请日：2018-04-04
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/788
Abstract: 本发明提出一种优先制备器件深槽隔离的高可靠性氮化镓绝缘栅高电子迁移率晶体管及其制作方法。该方案的特点是在对外延片清洗处理后，直接制备深槽隔离，然后沉积栅介质和沉积较厚的护层介质。这样一方面实现了深槽隔离的平坦化，另一方面，较致密的栅介质层可以很好的对隔离区的表面刻蚀缺陷进行钝化并对隔离台面的侧壁进行隔离和保护，从而降低隔离区的漏电。
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公开(公告)号：CN107230720A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201610178260.7
申请日：2016-03-25
Applicant: 北京大学 , 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/0684 , H01L29/66462
Abstract: 本发明实施例提供一种氮化镓异质结场效应晶体管的制作方法。该方法包括：在硅衬底的表面上依次生长GaN介质层、AlGaN介质层、硅掺杂的GaN接触层和Si3N4介质层；对Si3N4介质层进行刻蚀；在露出的硅掺杂的GaN接触层和剩余的Si3N4介质层上表面沉积第一金属层；沿着露出的Si3N4介质层的表面的预定区域向下进行干法刻蚀；在栅极接触孔中沉积Si3N4介质层作为栅介质。本发明实施例通过在氮化铝镓AlGaN介质层上表面铺设硅掺杂的GaN接触层，避免AlGaN介质层直接与电极金属接触，减小了源极和漏极的欧姆接触电阻，从而减小了GaN HFET器件的导通电阻。
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公开(公告)号：CN107230707A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201610178150.0
申请日：2016-03-25
Applicant: 北京大学 , 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
IPC: H01L29/51 , H01L29/778 , H01L21/28 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/517 , H01L29/66462
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及制造方法，包括：衬底、位于衬底上的氮化镓GaN层、位于GaN层上的氮化镓铝AlGaN层、开设有栅极接触孔、源极接触孔和漏极接触孔的介质层、栅极、源极、以及漏极；介质层位于AlGaN层的表面上，栅极接触孔位于源极接触孔和漏极接触孔之间；栅极包括自下向上依次填充栅极接触孔的氧化铝Al2O3层和金属层，源极包括填充源极接触孔的金属层，漏极包括填充漏极接触孔的金属层。通过本发明提供的方案，能够有效减小栅漏电，改善器件特性。
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公开(公告)号：CN107230634A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201610178295.0
申请日：2016-03-25
Applicant: 北京大学 , 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66522
Abstract: 本发明提供一种氮化镓晶体管的制作方法，该方法首先通过在AlGaN势垒层的表面上依次生长GaN冒层、氮化硅层和氧化层；并对第一区域下的氧化层、氮化硅层以及GaN冒层进行刻蚀，形成源漏极接触孔；再通过对位于预设的第二区域上的金属层进行刻蚀，形成源漏极；并于形成源漏极后，进一步通过刻蚀工艺和淀积工艺形成栅极，实现了抑制器件表面电荷，控制器件电流崩塌现象，抑制器件不稳定性的目的，能够提高器件的输出功率和功率效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107230633A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201610178226.X
申请日：2016-03-25
Applicant: 北京大学 , 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/20 , H01L29/10
CPC classification number: H01L29/66666 , H01L29/1033 , H01L29/2003
Abstract: 本发明实施例提供一种具有垂直结构的氮化镓场效应晶体管器件的制作方法，该方法首先通过生长所述氮化镓场效应晶体管的外延层，所述外延层包括第一N型GaN层以及依次生长在所述第一N型GaN层表面上的第二N型GaN层和P型GaN层；并采用刻蚀工艺对预设的第一区域下的所述P型GaN层和部分的所述第二N型GaN层进行刻蚀，形成沟道孔；再通过在所述沟道孔内以及所述P型GaN层的表面上生长所述第二N型GaN层和AlGaN层；最后通过完成所述氮化镓场效应晶体管的源极、栅极以及漏极的制作，以完成所述氮化镓场效应晶体管的制作。通过本发明实施例提供的方法制作获得的氮化镓场效应晶体管器件具有垂直的器件结构，能够增强器件的耐压性能，解决器件的电流崩塌问题。
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公开(公告)号：CN107230629A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201610178292.7
申请日：2016-03-25
Applicant: 北京大学 , 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
IPC: H01L21/335 , H01L21/28 , H01L29/772 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/66409 , H01L21/28 , H01L29/42316 , H01L29/772
Abstract: 本发明提供一种氮化镓场效应晶体管的制作方法及氮化镓场效应晶体管，方法包括：在氮化镓基底上形成介质层；在所述介质层中形成欧姆接触金属层，所述欧姆接触金属层的底部接触所述氮化镓基底；在所述介质层和所述氮化镓基底中形成栅极，所述栅极的底部位于所述氮化镓基底中，所述栅极的侧面连接在所述栅极的底部和所述栅极的顶部之间且所述侧面与所述栅极的底部呈钝角。根据本发明，能够改善氮化镓场效应晶体管的耐压性。
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公开(公告)号：CN107230619A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201610178136.0
申请日：2016-03-25
Applicant: 北京大学 , 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
IPC: H01L21/335 , H01L21/28 , H01L21/321 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L21/32155 , H01L29/0623 , H01L29/42372
Abstract: 本发明实施例提供一种增强型氮化镓晶体管的制作方法。该方法包括：在硅衬底的表面上依次生长磷掺杂的GaN介质层、氮化铝镓AlGaN介质层和氮化硅Si3N4介质层；对Si3N4介质层进行刻蚀；在露出的AlGaN介质层和剩余的Si3N4介质层上表面沉积金属层；沿着露出的Si3N4介质层的表面的预定区域向下进行干法刻蚀；在栅极接触孔中沉积SiO2介质层作为栅介质。本发明实施例在硅衬底的表面上磷掺杂的GaN介质层，减小了增强型氮化镓晶体管的表面电场，提高了耐压，另外，增强型氮化镓晶体管的栅极掺杂有磷，会有电子和空穴的复合，使得导通电阻降低，实现了氮化镓晶体管的导通电阻较小而耐压较大的工艺要求。
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公开(公告)号：CN107230617A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201610176560.1
申请日：2016-03-25
Applicant: 北京大学 , 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
IPC: H01L21/335 , H01L21/285 , H01L29/778 , H01L29/45
CPC classification number: H01L29/452 , H01L21/28575 , H01L29/66462 , H01L29/7786
Abstract: 本发明提供一种氮化镓半导体器件的制备方法，包括：在氮化镓外延基底的表面上沉积第一氮化硅介质层，其中，氮化镓外延基底包括由下而上依次设置的硅衬底层、氮化镓层和氮化镓铝层；对第一氮化硅介质层进行干法刻蚀，形成相对设置的第一窗口和第二窗口；采用三氯化硼和氯气，分别对第一窗口和第二窗口进行低于预设功率过刻处理，过刻掉部分氮化镓铝层，形成欧姆接触孔；采用磁控溅射镀膜工艺，在欧姆接触孔内、以及第一氮化硅介质层的表面上，沉积钛/铝欧姆接触金属层；对钛/铝欧姆接触金属层进行光刻和刻蚀，形成欧姆接触电极；以氮气为反应气体，在预设低温环境下对器件进行退火处理，从而得到的欧姆接触电阻较小，从而有利于最终制备得到的半导体器件具有良好的输出电流。
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公开(公告)号：CN106935642A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201511030596.0
申请日：2015-12-31
Applicant: 北京大学 , 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/41 , H01L21/335
Abstract: 本发明提供了一种高电子迁移率晶体管和存储器芯片，其中高电子迁移率晶体管包括：基底；氮化镓层和氮化镓铝层，氮化镓层的一侧复合于基底的表层，氮化镓层的另一侧复合于氮化镓铝层的底部；绝缘层，复合于氮化镓铝层的顶层，绝缘层设置有至少三个贯通的接触孔；电极，电极包括漏极电极、栅极电极和源极电极，漏极电极、栅极电极和源极电极分别设置于对应的至少三个贯通的接触孔中对应的接触孔中，栅极电极在接触孔外的极板延伸至源极电极，以实现栅极电极与源极电极的接触。通过本发明的技术方案，消除了栅极和源极之间的间距，有效地减小了高电子迁移率晶体管的导通电阻和功耗，提高了高电子迁移率晶体管的可靠性。
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