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公开(公告)号：CN102664195A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210156669.0
申请日：2012-05-18
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/477
Abstract: 本发明提供了一种制备氧化锌薄膜晶体管的方法，属于半导体技术平板显示领域。该方法核心在于制备氧化锌沟道层后进行退火，退火工艺具体为：放入真空腔中，对真空腔进行抽真空，真空度在3×10-3Pa至4×10-3Pa之间开始退火，退火温度为250℃至300℃之间，退火时间为5至10分钟，退火结束后，使真空腔冷却至室温，然后在氧化锌薄膜沟道层上生长源端电极、漏端电极。本发明可以较好的满足现代利用柔性及玻璃衬底制备氧化锌薄膜晶体管器件的低温要求。且实验条件更加简单，实验过程更加安全，降低了试验成本。
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公开(公告)号：CN102610399A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210062615.8
申请日：2012-03-09
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，公开了一种敏化太阳能电池封装系统和封装方法，该敏化太阳能电池封装系统包括：设置在操作仓内的吸附装置、压力装置、可移动的点胶装置和滴液装置，以及设置在所述操作仓外的控制装置；所述吸附装置包括可移动的上吸附单元和下吸附单元，所述上、下吸附单元分别通过压力装置产生负压，分别用于吸附上、下电极基板，所述下吸附单元设有胶体固化灯；所述点胶装置和滴液装置分别由所述控制装置控制，分别用于对所述下电极基板进行自动点胶和自动滴液，所述压力装置分别控制所述点胶装置的点胶压强和滴液装置的滴液压强。本发明封装工艺简单，封装自动化程度高，并同时提高太阳能电池的长期稳定性。
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公开(公告)号：CN102437059A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110401730.9
申请日：2011-12-06
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种顶栅自对准氧化锌薄膜晶体管的制备方法。本发明的方法仅需要3块掩膜版，利用三次光刻制备出氧化锌薄膜晶体管；采用自对准方法将沟道区外的栅介质层和栅电极的这两层光刻胶一起剥离，然后对暴露出的沟道区两端的半导体层进行处理减小其电阻以形成低电阻的源区和漏区。本发明由于实现栅介质层和栅电极的自对准，从而有效地减小寄生电容、寄生电阻，提高栅控能力，对提高薄膜晶体管器件自身性能和实现高速薄膜晶体管电路等具有积极效果，同时大大的降低了工艺难度，节约制造成本，提高成品率。
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公开(公告)号：CN102403360A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201010275718.3
申请日：2010-09-08
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明提供一种氧化锌基薄膜晶体管及其制备方法，属于半导体技术领域。该氧化锌基薄膜晶体管包括衬底、栅电极、栅介质层、沟道层和源漏电极，衬底是玻璃或者塑料；在衬底上由氧化锌或掺杂Al或者Ga氧化锌导电材料形成栅电极；半导体沟道是由氧化锌及其掺杂半导体材料形成；栅绝缘介质层是由氧化锌绝缘材料形成，设置于栅极和半导体沟道之间；源端和漏端电极是由氧化锌或掺杂Al或者Ga氧化锌导电材料形成。本发明为全氧化锌基薄膜晶体管，可提高器件各层薄膜之间的匹配度，降低了栅绝缘介质层和半导体沟道层之间的失配率，减少界面电荷密度，从而大大提高半导体沟道层的载流子迁移率，使氧化锌薄膜晶体管的性能得到了有效改善。
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公开(公告)号：CN102394223A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110406897.4
申请日：2011-12-08
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种在塑料衬底上制备薄膜晶体管的制造方法，该方法首先在塑料衬底上引入一层隔离层可以避免外界湿气等环境影响，然后在隔离层上引入一层绝缘层可以屏蔽外界环境对薄膜晶体管电学特性的干扰。本发明在塑料衬底上制备薄膜晶体管的方法有效的抑制了外界环境的影响，对提高薄膜晶体管器件的性能具有积极效果，改善了器件性能，提高了成品率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101419867B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200810223906.4
申请日：2008-10-09
Applicant: 北京大学
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种染料敏化太阳能电池的纳米复合电极的制备方法，该方法包括：利用阳极氧化的方法首先在透明导电基底上制备TiO2纳米管阵列；然后在TiO2纳米管阵列表面涂布一层TiO2纳米颗粒的分散溶液；最后通过加热的方式使TiO2纳米颗粒与TiO2纳米管结合在一起，并且使分散溶液的溶剂挥发，得到染料敏化太阳能电池的半导体复合电极结构。由于在制备有序纳米管阵列结构的基础上，将TiO2纳米颗粒与TiO2纳米管结合，使相对于单一的纳米管阵列电极的表面积增加，可以吸附更多的染料，从而增加太阳能电池的光电效率；同时，纳米颗粒层可以作为透射过纳米管阵列光线的漫反射层，使得光线在管中传播时间更长，增大了激发染料的概率。
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公开(公告)号：CN101488459B
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200910077731.5
申请日：2009-02-13
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L21/336 , H01L21/027 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供了一种自对准的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，先在玻璃衬底上依次形成金属源漏区、金属氧化物半导体沟道区和透明栅介质层后，在栅介质层上涂布正性光刻胶，前烘后从玻璃衬底的背面进行曝光，显影并坚膜，然后带胶生长一层导电薄膜，再剥离光刻胶和导电薄膜，光刻和刻蚀形成栅电极。该方法可保证器件的栅电极和源漏区之间形成自对准，即栅电极对称位于源漏之间正上方，而且其长度由源漏之间的距离而非掩膜版上的尺寸所决定，有效避免寄生效应的产生。
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公开(公告)号：CN101478005A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200910077733.4
申请日：2009-02-13
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法。该晶体管为底栅结构，包括一栅电极，一栅介质层，一沟道区，一源区和一漏区，所述源区和漏区分别在沟道区两端并与沟道区相连，且源漏区与沟道区为同一层金属氧化物半导体薄膜，未偏置状态下，源漏区为高载流子浓度区，而沟道区为低载流子浓度区。该薄膜晶体管的源漏区与沟道区由同一次的薄膜工艺形成，在真空或氢气或氮气气氛下热处理半导体薄膜实现源漏区的高载流子浓度，在氧气气氛下热处理则获得沟道区的低载流子浓度，不需另加源漏金属层工艺步骤，简化了制备工艺。同时，器件的阈值电压由氧气氛下的退火条件所控制，可在线检测，使器件特性的可控性大为提高。
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公开(公告)号：CN101211764A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200610170719.5
申请日：2006-12-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/203
Abstract: 本发明提供一种铬(Cr)掺杂的二氧化钛(TiO2)(CrxTi1－xO2)室温铁磁薄膜的制备方法，属于新型半导体自旋电子器件制备领域。该方法首先采用溶胶－凝胶法制备Cr掺杂TiO2溶胶，将溶胶旋涂在单晶硅衬底上形成CrxTi1－xO2溶胶－凝胶薄膜。CrxTi1－xO2溶胶－凝胶薄膜在空气气氛中退火晶化处理后在室温下具有微弱的铁磁特性；CrxTi1－xO2薄膜经过含氢气氛或者真空下二次退火后，其铁磁性得到了增强。采用本发明可制得具有良好室温铁磁性的CrxTi1－xO2薄膜。
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公开(公告)号：CN101016164A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200710003498.7
申请日：2007-02-09
Applicant: 北京大学
IPC: C01G1/02 , C01G9/02 , C01G51/04 , H01L21/34 , C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供一种室温稀磁宽禁带半导体氧化锌掺钴材料的方法，属于新型半导体自旋电子器件材料制备领域。该方法首先采用固相烧结法制备ZnO中掺入Co杂质，即将高纯的ZnO粉末和钴的氧化物粉末按一定的成份配比混合后，使用行星式球磨机在玛瑙罐中混料长时间湿法球磨，球磨料经烘干、研磨，反应烧结，再特殊退火处理，即使用一定比例的惰性气体和氢气混合气体，对掺杂的氧化锌稀磁半导体材料进行退火处理。退火后的CoxZn1－xO材料具有室温铁磁性，采用本发明可制得具有室温铁磁性的掺钴氧化锌稀磁半导体材料。
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