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公开(公告)号：CN102664195A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210156669.0
申请日：2012-05-18
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/477
Abstract: 本发明提供了一种制备氧化锌薄膜晶体管的方法，属于半导体技术平板显示领域。该方法核心在于制备氧化锌沟道层后进行退火，退火工艺具体为：放入真空腔中，对真空腔进行抽真空，真空度在3×10-3Pa至4×10-3Pa之间开始退火，退火温度为250℃至300℃之间，退火时间为5至10分钟，退火结束后，使真空腔冷却至室温，然后在氧化锌薄膜沟道层上生长源端电极、漏端电极。本发明可以较好的满足现代利用柔性及玻璃衬底制备氧化锌薄膜晶体管器件的低温要求。且实验条件更加简单，实验过程更加安全，降低了试验成本。
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