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公开(公告)号：CN105018891A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510313511.3
申请日：2015-06-09
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本申请公开了一种用于PBIID批量生产的工件架、装置及生产方法。本申请的用于等离子体基离子注入与沉积批量生产的工件架，包括用于放置工件的架体，以及罩设于架体外的网状导电栅，网状导电栅与架体之间绝缘。本申请的工件架，在架体外罩设网状导电栅，负高压不连接在架体和工件上，而是连接在网状导电栅上，实现离子加速，避免了高压电源输出总功率对处理工件数量的限制，杜绝了工件打火问题；同时，也不存在因工件之间的距离太近造成等离子体鞘层重叠，影响离子加速过程的问题。本申请的工件架，解决了等离子体基离子注入与沉积产业化过程中的三个重要技术问题，特别适合于大规模的批量工件镀膜生产。
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公开(公告)号：CN113702286B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN202110897714.7
申请日：2021-08-05
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于表面增强效应的手性分子探测器件、探测装置及方法，基于金属纳米结构等离激元模式与手性物质耦合特性，借助表面等离激元增强荧光效应实现对分子手性的高灵敏探测。本发明采用金属纳米结构和荧光薄膜材料紧贴组成的手性分子探测器件，手性分子吸附在探测器件的间隙的热点，金属纳米结构的LSPR模式可以与手性分子的CD响应发生强相互作用转移手性特征，进而通过表面增强荧光测量获得高度灵敏的光学手性响应强信号，在可见光波段实现分子级高灵敏手性探测。本发明具有结构简单、体积小、信噪比高、灵敏度高的优点，同时也为其他表面等离激元器件提供了新的设计思路。
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公开(公告)号：CN115244735A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202180007632.9
申请日：2021-10-09
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01M4/36 , H01M4/48 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M10/0525
Abstract: 本申请公开了一种锂离子电池正极材料及其制备方法和应用。本申请的锂离子电池正极材料，其晶体结构的表面界面具有一层导电、导锂，且不参与电极与溶液的界面电化学副反应或化学副反应的高电子电导的无机化合物层。本申请的锂离子电池正极材料，其无机化合物层能够阻隔过渡金属与电解液，抑制高电压下过渡金属离子对电解液的催化分解作用，降低循环过程中电极表面副反应，且通过降低电极极化增加Li+嵌入动力学，从而使本申请的锂离子电池正极材料在高电压下也具有高容量、高倍率和循环稳定性好等优点。此外，本申请的锂离子电池正极材料制备方法简单，易于大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN114649429A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210256027.1
申请日：2022-03-15
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L31/032 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本申请公开了一种氧化镍基自偏压光电探测器及其制备方法和应用。本申请的氧化镍基自偏压光电探测器，包括基板和固定在基板上的光电结构，光电结构包括光敏半导体层和阻挡半导体层，以及对电极薄膜层；光敏半导体层为二氧化钛和/或金属掺杂二氧化钛形成的n型半导体材料层；阻挡半导体层为氧化镍形成的p型半导体材料层。本申请的氧化镍基自偏压光电探测器，作为阻挡半导体层的氧化镍禁带宽度大、可见光的透过性好，与二氧化钛配合，能降低异质结的界面失配，p型NiO材料与n型TiO2界面的内建势垒高，具有更高耗尽区自建电势，从而拥有更高光电转化能力；通过能带和界面调整，形成优化的pn型异质结，提高器件在高速条件下的光电响应。
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公开(公告)号：CN113433067A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110727792.2
申请日：2021-06-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种基于金属纳米间隙表面等离激元本征辐射的折射率传感器，涉及光学传感技术领域，包括光学测量装置和折射率传感元件；折射率传感元件包括衬底、生长在衬底上的金属薄膜层、生长在金属薄膜层上的介质薄膜层、以及固定在介质薄膜层上的金属纳米颗粒结构；在外界光源照射在折射率传感元件上时，金属纳米颗粒结构的局域表面等离激元与金属薄膜层中的自由电子耦合，形成间隙表面等离激元。间隙表面等离激元具有更高电磁场能量局域热点，有着更好的传感能力和更强的空间分辨能力，故应用于光学测量装置后可收集的荧光辐射光谱信号的强度增加。因此，本发明具有灵敏度高、信号强度强等优点，进而可以准确测量环境折射率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109504947B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201811627269.7
申请日：2018-12-28
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开了一种CrN涂层、制备方法及应用，其中，CrN涂层为纳米孪晶结构。本发明采用筒形金属等离子体源结合磁控溅射技术，对金属离子的纯化和能量的精确控制，可实现高密度纳米孪晶结构在CrN陶瓷涂层中的生成。纳米孪晶结构能大幅提高CrN涂层的硬度。
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公开(公告)号：CN109659604B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201710948186.7
申请日：2017-10-12
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01M10/0565 , H01M10/052
Abstract: 本申请公开了一种固体电解质复合材料及其制备方法和应用。本申请的固体电解质复合材料，由聚合物基底、锂盐和掺杂物复合而成；其中，聚合物基底为聚环氧乙烷或其衍生物；掺杂物为具有羟基吡咯烷酮结构的聚合物。本申请的固体电解质复合材料，通过在PEO或其衍生物的固体电解质体系中添加具有羟基吡咯烷酮结构的聚合物作为掺杂物，有效的提高了固体电解质复合材料整体的导电性，改善其电子传输性能，为制备高品质的固态锂电池奠定了基础。并且，本申请的固体电解质复合材料，原材料成本低、易获取，制备方法也简单易操作，特别适合于大规模的批量化生产。
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公开(公告)号：CN109504948A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811627274.8
申请日：2018-12-28
Applicant: 北京大学深圳研究生院
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/3407 , C23C14/48
Abstract: 本发明公开了一种筒形溅射阴极及离子引出系统，其中，筒形溅射阴极包括具有中空部的筒形壳体，所述筒形壳体内沿径向由外至内依次设置有：用于屏蔽所述筒形壳体以外的带电体的屏蔽罩、抵接在所述屏蔽罩上起绝缘隔离作用的定位套、抵接在所述定位套上的磁短路组件、两个咬合在所述磁短路组件上下两侧的环形磁铁，以及用于轴向固定靶材的靶材固定组件；两个所述环形磁铁相对的一侧磁极相反。本发明通过在筒形壳体中设置环形磁铁，并在环形磁铁的外侧依次设置有磁短路组件和屏蔽罩，解决了现有的等离子源系统中磁场不闭合、起辉及维持放电困难的问题。
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公开(公告)号：CN106835234A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710060909.X
申请日：2017-01-25
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: C25D11/06
CPC classification number: C25D11/06 , C25D11/024 , C25D11/026
Abstract: 本申请公开了一种用于微弧氧化的电解液、微弧氧化方法及铝或铝合金材料。本申请的用于微弧氧化的电解液，包括终浓度为5‑40g/L的磷酸盐、1‑10g/L的氟化物和1‑15g/L的铵盐，溶剂为蒸馏水。本申请的用于微弧氧化的电解液，能够在金属表面形成特殊的疏水陶瓷层，对水的接触角可以达到100°‑180°，使被处理工件具备易清洁或自清洁、防指纹、防雾、防结冰、水中减阻、耐腐蚀等多种性能。并且相对有机疏水涂层，采用本申请的电解液形成的疏水陶瓷层具有不易老化、寿命长和力学性能好等特点。
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公开(公告)号：CN105543791A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510899888.1
申请日：2015-12-08
Applicant: 北京大学深圳研究生院
CPC classification number: C23C14/354 , C23C14/46
Abstract: 本申请公开了一种金属等离子体源及其应用。本申请的金属等离子体源包括外壳、磁控靶、磁性元件和抑制磁性元件，外壳呈中空的圆柱筒状，磁控靶铺于外壳的中空内腔，不与外壳导通，磁性元件铺于磁控靶与外壳间，抑制磁性元件成对的安装于磁性元件的两端，与磁性元件端部极性相同。本申请的金属等离子体源，在磁性元件的两端安装抑制磁性元件，利用抑制磁性元件的磁场将磁性元件向外倾斜的磁力线推回，形成垂直于磁控靶的拱形磁场，从而减少电子逃逸，使更多电子约束在等离子体源内部，起到降低工作气压作用，达到提高靶材刻蚀均匀性、可控性以及束流密度的目的。同时，金属等离子体源内部电子浓度增加，也有效提高了材料的离化率及束流密度。
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