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公开(公告)号：CN107492490B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201610407581.X
申请日：2016-06-12
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/318 , C23C16/34
摘要： 本发明揭示一种半导体设备的成膜方法、半导体设备的氮化铝成膜方法以及电子装置。本发明的半导体设备的成膜方法，包括进行溅射流程，该溅射流程包括下列步骤：将基板载入腔室内，并放置于腔室内的承载底座上；在基板加载至腔室的状况下，对腔室进行加热工艺，将腔室内的温度加热至高于或等于预定温度；利用设置于腔室内的靶材对基板进行主溅射，以在基板上形成薄膜；将基板载出该腔室。本发明的半导体设备的成膜方法、半导体设备的氮化铝成膜方法以及电子装置能够提升薄膜的质量，且具有制作流程简单、制作成本低等特点，能够避免基板在其它的加热腔室加热之后在传递至溅射腔室的过程中产生微粒落在基板上的问题，并达到提升电子装置效能的目的。
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公开(公告)号：CN110911320A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201911251679.0
申请日：2019-12-09
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本申请实施例提供了一种冷却装置及其控制方法、半导体加工设备。冷却装置用于对托盘进行冷却，其包括腔室以及设置于腔室内的驱动单元、冷却单元及加热单元；所述驱动单元用于驱动所述托盘移动，以带动所述托盘选择性位于第一位置或第二位置；所述冷却单元用于对所述托盘进行冷却，当所述托盘位于第一位置时以第一速率对所述托盘降温，当所述托盘位于第二位置时以第二速率对所述托盘降温，且所述第二速率大于所述第一速率；所述加热单元用于选择性对所述托盘进行加热，以调整所述冷却单元对所述托盘冷却的速率。本申请实施例实现了稳定托盘的冷却速度，从而可以有效提高冷却效率，进而使得托盘的冷却不再成为影响产能的瓶颈。
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公开(公告)号：CN110299314A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910600492.0
申请日：2019-07-04
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本发明提供的加热系统及半导体加工设备，用于对托盘进行加热，加热系统包括加热器和反射屏，反射屏用于将加热器辐射的热量反射至托盘，其中，反射屏包括凹槽形状的反射部，加热器设置在反射部中。反射部在反射加热器辐射的热量时，能够将加热器径向辐射的热量更多地反射至托盘，从而提高热量的利用效率。
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公开(公告)号：CN106711063B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201510797181.X
申请日：2015-11-18
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明提供一种冷却腔室及半导体加工设备，其包括承载装置、透视窗、反射镜和红外测温器，其中，透视窗设置在冷却腔室的腔室壁上，被加工工件辐射出的红外光线经由透视窗照射至反射镜上；反射镜设置在冷却腔室的外侧，用以将照射至反射镜上的红外光线反射至红外测温器；红外测温器用于接收由反射镜反射而来的红外光线，并根据红外光线的强度进行计算，而获得被加工工件的温度。本发明提供的冷却腔室，其可以避免因冷却速度过快或过慢而造成的晶片破裂或者薄膜质量恶化或者设备产能低下的问题。
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公开(公告)号：CN107608408A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201610541548.6
申请日：2016-07-11
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本发明提供温度控制方法、装置及半导体加工设备。温度控制方法包括以下步骤：获取当前时刻的实时温度值；获得偏差量化因子、偏差变化率量化因子，计算偏差、偏差变化率；根据偏差和偏差量化因子获得偏差的量化值，以及根据偏差变化率和偏差变化率量化因子获得偏差变化率的量化值；将偏差的量化值和偏差变化率的量化值分别模糊化获得偏差的模糊值和偏差变化率的模糊值；根据偏差的模糊值和偏差变化率的模糊值获得控制量的模糊值；将控制量的模糊值清晰化获得控制量的实际值。该温度控制方法不仅可以提高加热精度和升温速度，实线快速准确控温，而且温控的稳定性好、重复性高。
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公开(公告)号：CN107227448A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201710554503.7
申请日：2017-06-30
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： C23C14/50
CPC分类号： C23C14/50
摘要： 本公开提供一种基座以及物理气相沉积装置。该基座包括：基座本体，具有一支撑面；支撑柱，位于所述基座本体的所述支撑面的中部区域；以及支撑件，位于所述基座本体的围绕所述支撑面的中部区域的周边区域，其中，所述支撑柱被配置为支撑待加工件，所述支撑件被配置为支撑盖环，在所述待加工件被所述支撑柱支撑且所述盖环被所述支撑件支撑时，所述盖环的至少靠近内侧的部分位于所述待加工件的上侧，且所述盖环与所述待加工件彼此分离。该基座或物理沉积装置通过支撑件支撑盖环，从而使得盖环不与待加工件接触，减小了待加工件所受的外部零件的压力。
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公开(公告)号：CN118263145A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202211682302.2
申请日：2022-12-26
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687
摘要： 本发明提供一种冷却腔室、晶圆冷却方法以及半导体工艺设备，包括：腔体，腔体内部包括冷却空间；基座，设置于冷却空间中，用于承载托盘；第一冷却结构，设置于基座中，用于对置于基座上的托盘进行冷却；第二冷却结构，设置于冷却空间中，且位于基座上方，用于对处于第一预设位置处的托盘进行冷却；其中，第一预设位置位于基座与第二冷却结构之间；托盘支撑结构，用于支撑托盘，以及将托盘运送至第一预设位置或基座上。本发明可以在快速冷却托盘的同时，降低发生碎盘的风险。
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公开(公告)号：CN113699494B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202111006316.8
申请日：2021-08-30
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本发明提供一种预处理腔室、半导体的预处理方法、加工设备及方法，其包括：腔体以及设置在腔体中的加热组件、承载组件和升降组件；其中，升降组件能够将待处理件移动至用于进行加热去气工艺的第一工艺位或者用于进行预清洗工艺的第二工艺位；预处理腔室还包括防干扰装置，防干扰装置设置于加热组件的用于与电源连接的一端，防干扰装置用以防止承载组件加载射频功率后干扰加热组件的电信号。本发明能够将去气设备和预清洗设备集成在同一个腔室且不会互相干扰，而且在进行预清洗工艺时，去气工艺设备能够持续对待处理件进行加热以维持待处理件温度的稳定，进而可以提高待处理件的预处理效果，以使后续待处理件上沉积的薄膜质量和产能均能得到提升。
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公开(公告)号：CN111725129B
公开(公告)日：2023-02-14
申请号：CN202010604530.2
申请日：2020-06-29
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/687
摘要： 本发明公开一种晶圆承载装置及半导体工艺设备，晶圆承载装置包括托盘支撑部、多个夹持组件、支撑架和用于放置晶圆的托盘；托盘支撑部与支撑架相连接，多个夹持组件沿托盘的周向间隔设置，多个夹持组件围成托盘夹持空间，托盘夹持空间用于放置托盘；夹持组件包括弹性件和导向部，导向部远离托盘的一端与托盘支撑部转动连接，弹性件设置在导向部靠近托盘的一端与托盘支撑部之间；在托盘放入托盘夹持空间的情况下，导向部在托盘的压力作用下发生转动，弹性件被压缩，在将托盘导入托盘夹持空间底部的同时对托盘进行对中。上述方案能够解决托盘在转运的过程中，容易使得托盘在晶圆承载装置内的安装位置发生变化，而导致的晶圆的成膜质量较差的问题。
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公开(公告)号：CN112760602B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202011469751.X
申请日：2020-12-14
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本发明实施例提供一种金属氮化物薄膜沉积方法，应用于半导体设备的工艺腔室，包括以下步骤：S1、对衬底进行加热，以去除衬底上的杂质；S2、向工艺腔室中通入氮气，并开启偏压电源，激发氮气形成等离子体，以通过使等离子体轰击衬底的表面来去除残留的杂质，并与衬底表面上的金属原子反应形成金属氮化物缓冲层；S3、进行溅射工艺，以在金属氮化物缓冲层上沉积形成金属氮化物薄膜。本发明实施例提供的金属氮化物薄膜沉积方法，其不仅可以完全去除衬底的水汽和与衬底表面结合较紧固的杂质，而且还可以减少金属氮化物薄膜的应力，从而可以提高金属氮化物薄膜性能。
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