公开(公告)号：CN103518004A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201280022417.7

申请日：2012-04-27

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 砂川美佐 ,  糸濑将之 ,  西村麻美 ,  笠见雅司

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/00 ,  H01B5/14 ,  H01L21/363

CPC classification number: C23C14/086 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/44 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/763 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  H01B1/08 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/24

Abstract: 一种溅射靶，其含有氧化物A和InGaZnO4，所述氧化物A在2θ=7.0°～8.4°、30.6°～32.0°、33.8°～35.8°、53.5°～56.5°、56.5°～59.5°、14.8°～16.2°、22.3°～24.3°、32.2°～34.2°、43.1°～46.1°、46.2°～49.2°和62.7°～66.7°的区域A～K具有衍射峰。

公开(公告)号：CN103334085A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201310209492.0

申请日：2010-11-16

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 矢野公规 ,  糸濑将之

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/00 ,  C23C14/08 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/363

CPC classification number: C23C14/08 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62695 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/963 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869

Abstract: 一种溅射靶，其由氧化物烧结体构成，所述氧化物烧结体含有In、Ga以及Zn，并且具备In的含量比周围多的组织、和Ga以及Zn的含量比周围多的组织。

公开(公告)号：CN103155154A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201180048961.4

申请日：2011-10-11

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 西村麻美 ,  川岛绘美 ,  笠见雅司 ,  松浦正英 ,  糸濑将之

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/247 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明涉及一种含有1种以上的无定形的金属氧化物、且在上述金属氧化物的至少一部分的金属原子上键合有OH基的半导体薄膜。

公开(公告)号：CN102597302A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201080048855.1

申请日：2010-11-18

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 糸濑将之 ,  矢野公规

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/00 ,  H01L21/363

CPC classification number: C04B35/453 ,  C04B35/01 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/75 ,  C04B2235/763 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/963 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明提供一种溅射靶，其含有In、Zn、及Ga，包含表面与内部的化合物的晶型实质上相同的氧化物烧结体。

公开(公告)号：CN102482156A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080036828.2

申请日：2010-09-30

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 矢野公规 ,  川岛浩和 ,  糸濑将之 ,  井上一吉

IPC: C04B35/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/62695 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/763 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C23C14/08 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 一种氧化物烧结体，其含有In(铟元素)、Ga(镓元素)以及Zn(锌元素)，相对于除了氧元素之外的总元素的In、Ga以及Zn的总计含有率为95原子％以上，包含显示In2O3所示的方铁锰矿结构的化合物，和显示ZnGa2O4所示的尖晶石结构的化合物。

公开(公告)号：CN102395542A

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN201080016347.5

申请日：2010-11-17

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 矢野公规 ,  糸濑将之 ,  川岛浩和

IPC: C04B35/453 ,  C01G15/00 ,  C04B35/00 ,  C23C14/34 ,  H01L21/203 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: C04B35/453 ,  C01G9/02 ,  C01G15/00 ,  C01G15/006 ,  C01P2002/72 ,  C04B35/62675 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/666 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/963 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 一种氧化物，其含有铟元素(In)、镓元素(Ga)以及锌元素(Zn)，通过X射线衍射测定(Cukα射线)，在入射角(2θ)为7.0°～8.4°、30.6°～32.0°、33.8°～35.8°、53.5°～56.5°以及56.5°～59.5°的各位置处观测到衍射峰，并且，在2θ为30.6°～32.0°以及33.8°～35.8°的位置处观测到的衍射峰中的一个为主峰，其他为副峰。

公开(公告)号：CN102362004A

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN201080013169.0

申请日：2010-11-16

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 矢野公规 ,  糸濑将之

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/00 ,  C23C14/08 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/363

CPC classification number: C23C14/08 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62695 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/963 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869

Abstract: 一种溅射靶，其由氧化物烧结体构成，所述氧化物烧结体含有In、Ga以及Zn，并且具备In的含量比周围多的组织、和Ga以及Zn的含量比周围多的组织。

公开(公告)号：CN102362003A

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN201080012980.7

申请日：2010-11-18

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 矢野公规 ,  糸濑将之 ,  西村麻美

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/00 ,  H01B5/14

CPC classification number: C04B35/453 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414

Abstract: 本发明提供一种含有下述所示的氧化物A和具有方铁锰矿型晶体结构的氧化铟(In2O3)的溅射靶。氧化物A是包含铟元素(In)、镓元素(Ga)、及锌元素(Zn)，且通过X射线衍射测定(Cukα射线)在入射角(2θ)为7.0°～8.4°、30.6°～32.0°、33.8°～35.8°、53.5°～56.5°及56.5°～59.5°的各位置能观测到衍射峰的氧化物。