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公开(公告)号：CN112133802A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202011005050.0
申请日：2020-09-23
Applicant: 兰州大学
IPC: H01L33/12 , H01L33/32 , H01L21/02 , H01L33/00 , C23C14/10 , C23C14/34 , C23C16/30 , C23C16/40 , C23C16/50 , C23C28/04
Abstract: 本发明涉及一种GaN薄膜及其制备方法。其中GaN薄膜，包括Si衬底和位于Si衬底上图形化的SiO2掩膜层，所述Si衬底的Si{111}晶面上有Si3N4缓冲层，所述SiO2掩膜层和不参与GaN生长的Si3N4缓冲层上有溅射SiO2膜；所述参与GaN生长的Si3N4缓冲层上有GaN插入层，所述GaN插入层上生长有GaN薄膜层。本发明的GaN薄膜，通过在Si图形衬底上外延生长非极性GaN薄膜的方法制得，不仅成本低廉，且性能优良能够广泛地用于器件的制作中。
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公开(公告)号：CN117993217B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410269625.1
申请日：2024-03-11
Applicant: 兰州大学
IPC: G06F30/20 , G06F111/10
Abstract: 本发明提供了一种GaN HEMT器件模型的建模方法。所述建模方法为基于工作温度和栅极电压对所述GaN HEMT器件的电学特性影响的建模方法，所述GaN HEMT器件模型的电学部分由ASM原始模型构造；所述建模方法包括：构建GaN HEMT器件的迁移率随栅极电压和工作温度影响的模型，基于GaN HEMT器件迁移率随温度变化的特性，对所述ASM原始模型中的电学计算方程式进行优化，获取所述GaN HEMT器件随温度变化的输出特性、转移特性的模型。本发明基于迁移率计算改进了ASM模型，能准确预测GaN HEMT器件在不同温度下的电学性能，可以有效地帮助设计人员在不经过参数提取的前提下更精确地进行GaN HEMT器件不同栅压不同温度下的电学仿真，同时有效提高后续对ASM模型中迁移率相关参数提取的效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115543901B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202211201196.1
申请日：2022-09-29
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于FPGA的高效率高精度软件无线电（SDK）射频信号质量优化算法及设备。本发明所述的设备包括信号发生器、AD/DAC、FPGA、示波器和上位机；本发明所述的算法基于上述设备，具体包括：首先通过输入高速接口模块GTX将第一路射频信号S1和第二路射频信号S2输入；其次将其分别存入DDR3中；再从DDR3中读出作为相位解算算法模块的输入，从而求出两路信号的相位差，所述相位解算算法包括FFT算法、Cordic算法；将相位差和第一路射频信号S1输入到相位校准模块中，从而得到与第二路射频信号S2同频同相的校准后的信号QPSK_Singal，所述相位校准算法主要为QPSK算法；最后通过输出高速接口模块GTX输出校准后的信号QPSK_Singal和第二路射频信号S2。
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公开(公告)号：CN115756389A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211275784.X
申请日：2022-10-18
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明公开一种基于FPGA的浮点乘加器及计算方法。本发明包括数据分配器、浮点乘法器层、浮点加法器阵和累加器。所述计算方法通过延拓乘法器层以及加法器阵来使用更多片内资源提升速度上限，其延拓的过程中乘法器层、加法器阵以及累加模块内容无需改动，对于本领域内普通技术人员而言，根据不同FPGA芯片资源配置不同乘法器层内乘法器数量十分简单且高效，提高了运算时间上限。
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公开(公告)号：CN115376910A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202211083708.9
申请日：2022-09-06
Applicant: 兰州大学
IPC: H01L21/308 , H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L33/22
Abstract: 本发明涉及一种制备平行斜刻凹槽图形化硅衬底的方法，通过湿法腐蚀的方法，在30‑60℃的15wt％‑25wt％KOH溶液中20‑50min腐蚀后，可以在(113)表面的硅衬底上刻蚀出了分布均匀、边界清晰可见的斜刻凹槽，凹槽各面分别为(1‑11)面，(011)面，(‑11‑1)面，凹槽的深度与温度和时间呈正相关。该方法为硅衬底提供了不同的晶面以及不同的形貌，为硅衬底凹槽提供更多选择性。硅衬底不同的表面有不同的性质，本发明的方法为后续制作半导体器件提供了新型的衬底表面选择。
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公开(公告)号：CN113301344A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110561312.X
申请日：2021-05-22
Applicant: 兰州大学
IPC: H04N19/423 , H04N19/625 , H04N19/61 , H04N19/124 , H04N19/129 , H04N19/119 , H04N19/186 , H04N19/91 , H04N9/67
Abstract: 本发明涉及一种基于FPGA的图像压缩与解压方法，所述压缩过程依次包括：图像格式转化、图像分割、RGB转化YUV、2D‑DCT变换、量化和ZIGZAG、DC系数差分预测编码、行程长度编码、Huffman编码；解压过程包括：熵编码对应的解码、反量化、反ZIGZAG编码、反2D‑DCT变换、YUV转化为RGB。本发明通过引入条带法分割图像，以及优化2D‑DCT变换，实现只用单个FPGA无需外加存储器就可以对图像进行压缩与解压，图像压缩极大减少了数据量，解压后的图像恢复性良好。
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公开(公告)号：CN221748210U
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202323351613.3
申请日：2023-12-10
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本申请涉及一种Buck电路，Buck电路为基于碳化硅肖特基二极管和碳化硅N型MOS管的Buck电路，Buck电路包括：碳化硅肖特基二极管、碳化硅N型MOS管、PWM调制器和功率电感器；碳化硅肖特基二极管的阴极与碳化硅N型MOS管的源极连接，碳化硅肖特基二极管的阳极与电源的负极接地点相连接；PWM调制器与电源的正极相连，PWM调制器包括脉冲发生器，脉冲发生器与碳化硅N型MOS管的栅极之间通过接一栅极驱动相连接；PWM调制器通过改变驱动信号的占空比驱动碳化硅N型MOS管的开通和关断。本申请的Buck电路能在连续开关工作时减小输出的电压波动幅值，更快速的进行开关关断从而减小功率损耗。
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