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公开(公告)号：CN115377265B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211083705.5
申请日：2022-09-06
Applicant: 兰州大学
IPC: H01L33/22 , H01L33/18 , H01L33/32 , H01L33/00 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及一种硅图形化衬底上外延生长高质量半极性(11‑22)面氮化镓的方法。本发明通过改进的高温‑低温氮化镓层生长法，先在图形化硅衬底的(1‑11)面上生长一层氮化铝，然后高温生长一层氮化镓填上图形沟槽，最后再低温生长氮化镓，最终得到具有光滑表面的半极性(11‑22)面氮化镓外延层。该方法制得的样品能够有效改善极性面氮化镓具有的量子限制斯塔克效应，减小了量子限制斯塔克效应在光电半导体器件对发光性能的影响。
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公开(公告)号：CN115376910A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202211083708.9
申请日：2022-09-06
Applicant: 兰州大学
IPC: H01L21/308 , H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L33/22
Abstract: 本发明涉及一种制备平行斜刻凹槽图形化硅衬底的方法，通过湿法腐蚀的方法，在30‑60℃的15wt％‑25wt％KOH溶液中20‑50min腐蚀后，可以在(113)表面的硅衬底上刻蚀出了分布均匀、边界清晰可见的斜刻凹槽，凹槽各面分别为(1‑11)面，(011)面，(‑11‑1)面，凹槽的深度与温度和时间呈正相关。该方法为硅衬底提供了不同的晶面以及不同的形貌，为硅衬底凹槽提供更多选择性。硅衬底不同的表面有不同的性质，本发明的方法为后续制作半导体器件提供了新型的衬底表面选择。
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公开(公告)号：CN113594027A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110846927.7
申请日：2021-07-27
Applicant: 兰州大学
IPC: H01L21/04 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及一种腐蚀4H‑碳化硅表面的方法，并对腐蚀后的4H‑SiC表面的缺陷进行检测。本发明通过摩尔质量比为18‑22的KOH和K2CO3做腐蚀剂，将4H‑SiC样品在540‑560℃的温度下腐蚀15‑25min，能够得到边界清晰，缺陷形貌及分布均清晰可见的良好的腐蚀效果。为准确统计腐蚀后样品中TSD的六角形蚀坑缺陷提供可能，更是便于对缺陷的区分、观察和计数，得到更精确的缺陷密度。从而为判断最终半导体器件的可靠性提供良好依据。
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公开(公告)号：CN113295671A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110561309.8
申请日：2021-05-22
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于微区拉曼系统的非接触式n型4H‑SiC晶圆电阻率测量方法。通过微区拉曼光谱测试系统测得晶圆中不同位置的LO声子和等离子体耦合峰(LOPC)，通过拟合得到LOPC峰峰位和半高宽。将峰位和半高宽输入到电阻率分析程序，得到不同位置处电阻率数值。分析程序将电子浓度和电子迁移率分成网格格点，计算每一个网格点对应的LOPC峰位值、半高宽和电阻率值，建立LOPC峰位值、半高宽和电阻率值对应的网表。
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公开(公告)号：CN116577340B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202310608691.2
申请日：2023-05-28
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明涉及一种区分碳化硅中贯穿螺型位错和贯穿刃型位错的方法，首先将碳化硅样品清洗并腐蚀，完成腐蚀的样品再次清洗后置于光学显微镜的暗场模式下观测，通过贯穿螺型位错和贯穿刃型位错腐蚀坑呈现的不同光学状态来对其进行区分，得出如下结果：所述光学显微镜100x放大倍数以内，正六边形暗色腐蚀坑为贯穿螺型位错，正六边形亮色腐蚀坑为贯穿刃型位错；所述光学显微镜200x放大倍数以上，正六边形且中心暗边缘亮的腐蚀坑为贯穿螺型位错，正六边形亮色腐蚀坑为贯穿刃型位错。所述方法不(56)对比文件Jason Paul Hadorn 等.Directevaluation of threading dislocations in4H-SiC through large-angle convergentbeam electron diffraction《.PhilosophicalMagazine》.2019,1-23.苗瑞霞;张玉明;汤晓燕;张义门.SiC晶体缺陷的阴极荧光无损表征研究.光谱学与光谱分析.2010,(03),702-705.张璇;宋德林;张涛;刘乾;耿鹏武.光学表面微缺陷的高对比度暗场成像检测方法.机电技术.2019,(01),86-87,108.苗瑞霞;张玉明;汤晓燕;张义门.4H-SiC中基面位错发光特性研究.物理学报.2011,(03),037808-1-4.杨莺;陈治明.湿法腐蚀工艺研究碳化硅晶体缺陷表面形貌.人工晶体学报.2008,(03),634-638.郭常霖.α―SiC晶体中的位错.物理学报.1982,(11),1511-1525.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114965468B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202210510883.5
申请日：2022-05-11
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本申请涉及一种区分4H‑碳化硅表面的方法，所述方法首先对需要辨别的4H‑碳化硅(4H‑SiC)样品的两个表面分别标记为A面和B面；然后将4H‑SiC样品进行以KOH为主腐蚀剂的湿法腐蚀过程；再对腐蚀后4H‑SiC样品进行盐酸酸洗；最后用光学显微镜观察4H‑SiC的AB面，根据其各向同性或各向异性的腐蚀行为来确定该表面自由能的大小，从而判定出具有各向异性腐蚀行为的高表面自由能的表面为4H‑SiC样品的Si面，而具有各向同性腐蚀行为的低表面自由能的表面为4H‑SiC样品的C面。本方法对于检测样品的要求低，且无论待测样品是否完好，是否具有缺陷，腐蚀过程中的腐蚀温度和腐蚀时间均较短，结果均可靠；而且采用光学显微镜进行观测，操作简单，成本低。
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公开(公告)号：CN115377265A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202211083705.5
申请日：2022-09-06
Applicant: 兰州大学
IPC: H01L33/22 , H01L33/18 , H01L33/32 , H01L33/00 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及一种硅图形化衬底上外延生长高质量半极性(11‑22)面氮化镓的方法。本发明通过改进的高温‑低温氮化镓层生长法，先在图形化硅衬底的(1‑11)面上生长一层氮化铝，然后高温生长一层氮化镓填上图形沟槽，最后再低温生长氮化镓，最终得到具有光滑表面的半极性(11‑22)面氮化镓外延层。该方法制得的样品能够有效改善极性面氮化镓具有的量子限制斯塔克效应，减小了量子限制斯塔克效应在光电半导体器件对发光性能的影响。
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公开(公告)号：CN116577340A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310608691.2
申请日：2023-05-28
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明涉及一种区分碳化硅中贯穿螺型位错和贯穿刃型位错的方法，首先将碳化硅样品清洗并腐蚀，完成腐蚀的样品再次清洗后置于光学显微镜的暗场模式下观测，通过贯穿螺型位错和贯穿刃型位错腐蚀坑呈现的不同光学状态来对其进行区分，得出如下结果：所述光学显微镜100x放大倍数以内，正六边形暗色腐蚀坑为贯穿螺型位错，正六边形亮色腐蚀坑为贯穿刃型位错；所述光学显微镜200x放大倍数以上，正六边形且中心暗边缘亮的腐蚀坑为贯穿螺型位错，正六边形亮色腐蚀坑为贯穿刃型位错。所述方法不仅便于对缺陷观察与计数，更能够得到准确的缺陷密度。
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公开(公告)号：CN115376910B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202211083708.9
申请日：2022-09-06
Applicant: 兰州大学
IPC: H01L21/308 , H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L33/22
Abstract: 本发明涉及一种制备平行斜刻凹槽图形化硅衬底的方法，通过湿法腐蚀的方法，在30‑60℃的15wt％‑25wt％KOH溶液中20‑50min腐蚀后，可以在(113)表面的硅衬底上刻蚀出了分布均匀、边界清晰可见的斜刻凹槽，凹槽各面分别为(1‑11)面，(011)面，(‑11‑1)面，凹槽的深度与温度和时间呈正相关。该方法为硅衬底提供了不同的晶面以及不同的形貌，为硅衬底凹槽提供更多选择性。硅衬底不同的表面有不同的性质，本发明的方法为后续制作半导体器件提供了新型的衬底表面选择。
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公开(公告)号：CN114965468A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210510883.5
申请日：2022-05-11
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本申请涉及一种区分4H‑碳化硅表面的方法，所述方法首先对需要辨别的4H‑碳化硅(4H‑SiC)样品的两个表面分别标记为A面和B面；然后将4H‑SiC样品进行以KOH为主腐蚀剂的湿法腐蚀过程；再对腐蚀后4H‑SiC样品进行盐酸酸洗；最后用光学显微镜观察4H‑SiC的AB面，根据其各向同性或各向异性的腐蚀行为来确定该表面自由能的大小，从而判定出具有各向异性腐蚀行为的高表面自由能的表面为4H‑SiC样品的Si面，而具有各向同性腐蚀行为的低表面自由能的表面为4H‑SiC样品的C面。本方法对于检测样品的要求低，且无论待测样品是否完好，是否具有缺陷，腐蚀过程中的腐蚀温度和腐蚀时间均较短，结果均可靠；而且采用光学显微镜进行观测，操作简单，成本低。
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