公开(公告)号：CN115377265B

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202211083705.5

申请日：2022-09-06

Applicant: 兰州大学

Inventor： 赵桂娟 ,  茆邦耀 ,  邢树安 ,  刘贵鹏

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/18 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明涉及一种硅图形化衬底上外延生长高质量半极性(11‑22)面氮化镓的方法。本发明通过改进的高温‑低温氮化镓层生长法，先在图形化硅衬底的(1‑11)面上生长一层氮化铝，然后高温生长一层氮化镓填上图形沟槽，最后再低温生长氮化镓，最终得到具有光滑表面的半极性(11‑22)面氮化镓外延层。该方法制得的样品能够有效改善极性面氮化镓具有的量子限制斯塔克效应，减小了量子限制斯塔克效应在光电半导体器件对发光性能的影响。

公开(公告)号：CN113295671A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202110561309.8

申请日：2021-05-22

Applicant: 兰州大学

Inventor： 刘贵鹏 ,  茆邦耀 ,  汤金金 ,  吕秀睿 ,  邢树安 ,  黄河源 ,  赵桂娟

IPC: G01N21/65 ,  G01R27/02

Abstract: 本发明涉及一种基于微区拉曼系统的非接触式n型4H‑SiC晶圆电阻率测量方法。通过微区拉曼光谱测试系统测得晶圆中不同位置的LO声子和等离子体耦合峰(LOPC)，通过拟合得到LOPC峰峰位和半高宽。将峰位和半高宽输入到电阻率分析程序，得到不同位置处电阻率数值。分析程序将电子浓度和电子迁移率分成网格格点，计算每一个网格点对应的LOPC峰位值、半高宽和电阻率值，建立LOPC峰位值、半高宽和电阻率值对应的网表。

公开(公告)号：CN115377265A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202211083705.5

申请日：2022-09-06

Applicant: 兰州大学

Inventor： 赵桂娟 ,  茆邦耀 ,  邢树安 ,  刘贵鹏

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/18 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明涉及一种硅图形化衬底上外延生长高质量半极性(11‑22)面氮化镓的方法。本发明通过改进的高温‑低温氮化镓层生长法，先在图形化硅衬底的(1‑11)面上生长一层氮化铝，然后高温生长一层氮化镓填上图形沟槽，最后再低温生长氮化镓，最终得到具有光滑表面的半极性(11‑22)面氮化镓外延层。该方法制得的样品能够有效改善极性面氮化镓具有的量子限制斯塔克效应，减小了量子限制斯塔克效应在光电半导体器件对发光性能的影响。

公开(公告)号：CN115376910A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202211083708.9

申请日：2022-09-06

Applicant: 兰州大学

Inventor： 赵桂娟 ,  茆邦耀 ,  邢树安 ,  刘贵鹏

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L33/22

Abstract: 本发明涉及一种制备平行斜刻凹槽图形化硅衬底的方法，通过湿法腐蚀的方法，在30‑60℃的15wt％‑25wt％KOH溶液中20‑50min腐蚀后，可以在(113)表面的硅衬底上刻蚀出了分布均匀、边界清晰可见的斜刻凹槽，凹槽各面分别为(1‑11)面，(011)面，(‑11‑1)面，凹槽的深度与温度和时间呈正相关。该方法为硅衬底提供了不同的晶面以及不同的形貌，为硅衬底凹槽提供更多选择性。硅衬底不同的表面有不同的性质，本发明的方法为后续制作半导体器件提供了新型的衬底表面选择。

公开(公告)号：CN112133802B

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202011005050.0

申请日：2020-09-23

Applicant: 兰州大学

Inventor： 赵桂娟 ,  邢树安 ,  刘贵鹏 ,  汤金金

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00 ,  C23C14/10 ,  C23C14/34 ,  C23C16/30 ,  C23C16/40 ,  C23C16/50 ,  C23C28/04

Abstract: 本发明涉及一种GaN薄膜及其制备方法。其中GaN薄膜，包括Si衬底和位于Si衬底上图形化的SiO2掩膜层，所述Si衬底的Si{111}晶面上有Si3N4缓冲层，所述SiO2掩膜层和不参与GaN生长的Si3N4缓冲层上有溅射SiO2膜；所述参与GaN生长的Si3N4缓冲层上有GaN插入层，所述GaN插入层上生长有GaN薄膜层。本发明的GaN薄膜，通过在Si图形衬底上外延生长非极性GaN薄膜的方法制得，不仅成本低廉，且性能优良能够广泛地用于器件的制作中。

公开(公告)号：CN115376910B

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202211083708.9

申请日：2022-09-06

Applicant: 兰州大学

Inventor： 赵桂娟 ,  茆邦耀 ,  邢树安 ,  刘贵鹏

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L33/22

Abstract: 本发明涉及一种制备平行斜刻凹槽图形化硅衬底的方法，通过湿法腐蚀的方法，在30‑60℃的15wt％‑25wt％KOH溶液中20‑50min腐蚀后，可以在(113)表面的硅衬底上刻蚀出了分布均匀、边界清晰可见的斜刻凹槽，凹槽各面分别为(1‑11)面，(011)面，(‑11‑1)面，凹槽的深度与温度和时间呈正相关。该方法为硅衬底提供了不同的晶面以及不同的形貌，为硅衬底凹槽提供更多选择性。硅衬底不同的表面有不同的性质，本发明的方法为后续制作半导体器件提供了新型的衬底表面选择。

公开(公告)号：CN113437144A

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN202110561315.3

申请日：2021-05-22

Applicant: 兰州大学

Inventor： 赵桂娟 ,  黄河源 ,  邢树安 ,  吕秀睿 ,  茆邦耀 ,  刘贵鹏

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/24 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种基于二硫化铼的场效应管及其制造方法，包括衬底，所述衬底包括硅衬底和生长在所述硅衬底上的氧化层，所述氧化层上刻蚀有二硫化铼沟道，所述场效应管还包括生长在源漏接触区的漏源电极、覆盖所述二硫化铼沟道的栅氧化层以及位于硅衬底底部的金属引线，所述栅氧化层上生长有栅电极，所述漏源电极包括依次位于所述氧化层之上的Cr电极和Au电极。本发明的场效应管具有较高的开关电流比，且有效降低了器件尺寸缩小带来短沟道效应，同时顶栅和背栅的结构也有助于源漏电流的调控。

公开(公告)号：CN112133802A

公开(公告)日：2020-12-25

申请号：CN202011005050.0

申请日：2020-09-23

Applicant: 兰州大学

Inventor： 赵桂娟 ,  邢树安 ,  刘贵鹏 ,  汤金金

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00 ,  C23C14/10 ,  C23C14/34 ,  C23C16/30 ,  C23C16/40 ,  C23C16/50 ,  C23C28/04

Abstract: 本发明涉及一种GaN薄膜及其制备方法。其中GaN薄膜，包括Si衬底和位于Si衬底上图形化的SiO2掩膜层，所述Si衬底的Si{111}晶面上有Si3N4缓冲层，所述SiO2掩膜层和不参与GaN生长的Si3N4缓冲层上有溅射SiO2膜；所述参与GaN生长的Si3N4缓冲层上有GaN插入层，所述GaN插入层上生长有GaN薄膜层。本发明的GaN薄膜，通过在Si图形衬底上外延生长非极性GaN薄膜的方法制得，不仅成本低廉，且性能优良能够广泛地用于器件的制作中。