公开(公告)号：CN117993217B

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202410269625.1

申请日：2024-03-11

Applicant: 兰州大学

Inventor： 刘贵鹏 ,  周子维 ,  赵桂娟

IPC: G06F30/20 ,  G06F111/10

Abstract: 本发明提供了一种GaN HEMT器件模型的建模方法。所述建模方法为基于工作温度和栅极电压对所述GaN HEMT器件的电学特性影响的建模方法，所述GaN HEMT器件模型的电学部分由ASM原始模型构造；所述建模方法包括：构建GaN HEMT器件的迁移率随栅极电压和工作温度影响的模型，基于GaN HEMT器件迁移率随温度变化的特性，对所述ASM原始模型中的电学计算方程式进行优化，获取所述GaN HEMT器件随温度变化的输出特性、转移特性的模型。本发明基于迁移率计算改进了ASM模型，能准确预测GaN HEMT器件在不同温度下的电学性能，可以有效地帮助设计人员在不经过参数提取的前提下更精确地进行GaN HEMT器件不同栅压不同温度下的电学仿真，同时有效提高后续对ASM模型中迁移率相关参数提取的效率。

公开(公告)号：CN117993217A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202410269625.1

申请日：2024-03-11

Applicant: 兰州大学

Inventor： 刘贵鹏 ,  周子维 ,  赵桂娟

IPC: G06F30/20 ,  G06F111/10

Abstract: 本发明提供了一种GaN HEMT器件模型的建模方法。所述建模方法为基于工作温度和栅极电压对所述GaN HEMT器件的电学特性影响的建模方法，所述GaN HEMT器件模型的电学部分由ASM原始模型构造；所述建模方法包括：构建GaN HEMT器件的迁移率随栅极电压和工作温度影响的模型，基于GaN HEMT器件迁移率随温度变化的特性，对所述ASM原始模型中的电学计算方程式进行优化，获取所述GaN HEMT器件随温度变化的输出特性、转移特性的模型。本发明基于迁移率计算改进了ASM模型，能准确预测GaN HEMT器件在不同温度下的电学性能，可以有效地帮助设计人员在不经过参数提取的前提下更精确地进行GaN HEMT器件不同栅压不同温度下的电学仿真，同时有效提高后续对ASM模型中迁移率相关参数提取的效率。