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公开(公告)号：CN1619416A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN200410097946.0
申请日：2001-12-26
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 株式会社PD服务
Abstract: 本发明公开了一种曝光用掩膜、它的制造方法及曝光方法。本发明的制造方法包含以下工程：(a)准备具有开口的热吸收用掩膜的工程；(b)将图形用掩膜用基片配置到所述热吸收用掩膜的下方的工程；(c)在所述图形用掩膜用基片的下面上堆积感光胶的工程；(d)用所述热吸收用掩膜作掩膜，用能透过所述图形用掩膜用基片的放射线照射所述感光胶使所述感光胶图形化的工程；(e)用所述感光胶作掩膜，由刻蚀所述图形用掩膜用基片形成具有开口的图形用掩膜的工程。
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公开(公告)号：CN1604275A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410049548.1
申请日：2004-06-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/40
Abstract: 提供一种图案形成方法，在基板(101)上形成抗蚀剂膜(102)，对形成的抗蚀剂膜(102)选择性地照射曝光光线进行曝光。对进行了图案曝光的抗蚀剂膜(102)进行显影，形成第一抗蚀剂图案(102b)，接着在基板(101)上遍及含有第一抗蚀剂图案(102b)的全部表面上形成水溶性膜，该水溶性膜中含有与抗蚀剂构成材料交联的交联剂及促进该交联剂交联反应的作为交联促进剂的酸。进而通过加热使水溶性膜(105)和在第一抗蚀剂图案(102b)的侧面上接触部分之间交联反应后，除去水溶性膜(105)中与第一抗蚀剂图案(102b)未反应的部分，以形成从第一抗蚀剂图案(102b)在其侧面上由水溶性膜(105)残存而成的第二抗蚀剂图案(107)。使得到的抗蚀剂图案形状良好。
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公开(公告)号：CN1574234A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410044717.2
申请日：2004-05-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/30 , H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/2041 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/0395
Abstract: 一种图形形成方法，在形成由化学增幅型抗蚀材料构成的抗蚀膜(101)之后，在向抗蚀膜(102)上方供给溶液(103)的状态下，向抗蚀膜(102)选择性地照射曝光光(104)而进行图形曝光，所述溶液(103)，是在全氟聚醚中添加有水且边循环边被暂时储存在溶液储存部中的溶液。对于进行了图形曝光的抗蚀膜(102)进行后烘后，通过碱性显影液进行显影，得到了由抗蚀膜(102)的未曝光部(102b)构成的、且具有良好形状的抗蚀图形(105)。根据本发明，可使由浸渍平版印刷术得到的抗蚀图形的形状良好。
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公开(公告)号：CN100343232C
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN02823446.4
申请日：2002-11-28
Applicant: 和光纯药工业株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC: C07D209/48 , C07D409/14 , C07D487/04 , G03F7/039
CPC classification number: C07D209/48 , C07D487/04 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , Y10S430/121
Abstract: 本发明涉及作为在半导体元件等的制造中使用的化学放大型抗蚀剂组合物的酸产生剂或用于耐热性高分子合成原料有用的新的双二酰亚胺化合物，使用它们的酸产生剂和抗蚀剂组合物以及用该组合物的图案形成方法，进一步涉及作为双二酰亚胺化合物的合成中间体，例如耐热性高分子化合物，感光材料等的功能性化合物的中间体等有用的双(N-羟基)苯邻二甲酰亚胺化合物，即提供通式[1]所示的双二酰亚胺化合物：[式中，R，A1分别如权利要求1定义]使用它们的酸产生剂以及抗蚀剂组合物和用该组合物的图案形成方法。
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公开(公告)号：CN1320602C
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN03157733.4
申请日：2003-08-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/30
CPC classification number: G03F7/2043 , G03F7/0045 , G03F7/2041 , Y10S438/948 , Y10S438/949
Abstract: 本发明提供一种图形形成方法，在形成由化学增幅型抗蚀材料构成的抗蚀膜(101)后，在抗蚀膜(102)上以供给暂时贮存在溶液贮存部中的含有triphenylsulphoniumnonaflate并且不断循环的水(103)的状态，在抗蚀膜(102)上选择性照射曝光光(104)进行图形曝光。对于进行图形曝光后的抗蚀膜(102)，一旦在进行二次加热后通过碱性显影液显影，则可以得到由抗蚀膜(102)的未曝光部(102b)构成并具有良好剖面形状的抗蚀图形(105)。根据本发明的图形形成方法，可以使通过浸渍光刻得到的抗蚀图形的剖面形状优良。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1308707C
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN03134833.5
申请日：2003-09-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , B82Y40/00 , G02B5/0891 , G03F1/24 , G03F1/48 , G03F7/70958 , G21K1/06
Abstract: 一种曝光装置用的反射镜、曝光装置用的反射型掩模、曝光装置以及图案形成方法。所述曝光装置具备，反射型掩模(20)和第一反射镜(30a)、第二反射镜(30b)、第三反射镜(30c)以及第四反射镜(30d)。反射型掩模(20)具有，选择性地形成在掩模基板上且反射极紫外线的反射层、形成在反射层的上面且吸收极紫外线的极紫外线吸收层、以及形成在反射层上的至少是没有形成极紫外线吸收层的区域的红外线吸收层。反射镜具有形成在镜面基板上并反射极紫外线的反射层和形成在反射层上并吸收红外线的吸收层。根据本发明，向抗蚀膜选择性地照射极紫外线之后，通过显影而得到的抗蚀图的形状不会劣化。
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公开(公告)号：CN1282033C
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN03155716.3
申请日：2003-08-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G03F7/00 , G03F7/20 , G03F7/30 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/2041
Abstract: 一种图形形成方法，在形成由化学增幅型抗蚀材料构成的抗蚀膜(102)之后，以向抗蚀膜(102)上提供由含有消泡剂且边进行循环边暂时被贮存于溶液贮存部内的水(折射率n：1.44)组成的溶液(103)的状态，对抗蚀膜(102)照射曝光光(104)，进行图形曝光。对已进行图形曝光的抗蚀膜(102)进行后烘之后，用碱性显影液进行显影，则可以得到由抗蚀膜(102)的未曝光部(102b)构成的具有良好截面形状的抗蚀图形(105)。根据本发明，通过减少用于浸渍光刻法的溶液中的气泡，可以使抗蚀图形的截面形状变得良好。
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公开(公告)号：CN1763633A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510118182.3
申请日：2003-08-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G03F7/00 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/2041
Abstract: 一种图形形成方法，在形成由化学增幅型抗蚀材料构成的抗蚀膜(102)之后，以向抗蚀膜(102)上提供由含有消泡剂且边进行循环边暂时被贮存于溶液贮存部内的水(折射率n：1.44)组成的溶液(103)的状态，对抗蚀膜(102)照射曝光光(104)，进行图形曝光。对已进行图形曝光的抗蚀膜(102)进行后烘之后，用碱性显影液进行显影，则可以得到由抗蚀膜(102)的未曝光部(102b)构成的具有良好截面形状的抗蚀图形(105)。根据本发明，通过减少用于浸渍光刻法的溶液中的气泡，可以使抗蚀图形的截面形状变得良好。
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公开(公告)号：CN1725111A
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN200510083389.1
申请日：2005-07-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70341 , G03F7/2041
Abstract: 一种曝光装置，在曝光部(20)中，在晶片(70)上形成的抗蚀剂膜上配置了浸液用的液体(71)的状态下，将经掩模(72)的曝光光照射到抗蚀剂膜上，浸液用液体供给部(30)向图案曝光部(20)供给液体。该液体供给部(30)从多个液体单元(31a、31b)等中，选择折射率不同的多个液体(71)中的1个供给至晶片(71)上。通过使浸液平板印刷术中分辨率的提高和焦点深度的维持同时实现，可良好地构成图案形状。
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公开(公告)号：CN1212645C
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN03131006.0
申请日：2003-05-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/11 , G03F7/0751 , G03F7/161 , G03F7/165
Abstract: 本发明提供一种在半导体集成电路装置的制造过程等中使用的图形形成方法。在基板上形成由有机材料构成的低介电常数绝缘膜后，在第1室内，在低介电常数绝缘膜的表面上形成由三甲基硅烷基构成的第1分子层。然后在第1室的内部保持低介电常数绝缘膜后，在第2室内，在第1分子层的表面上形成由三甲基硅烷基构成的第2分子层。然后，在形成第1分子层和第2分子层的低介电常数绝缘膜上形成由化学增幅型抗蚀材料构成的抗蚀膜，对于该抗蚀膜进行曝光和显影从而形成抗蚀层图形。由此可以使在具有空穴或者含有有机材料的被处理膜上形成的化学增幅型抗蚀膜构成的抗蚀层图形良好。
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