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公开(公告)号：CN1200560A
公开(公告)日：1998-12-02
申请号：CN98114894.8
申请日：1998-03-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/2007
Abstract: 为了用较低的成本持续生产没有缺陷的SOI衬底,防止多孔层在分离键合衬底前发生破损,安全便利地完成键合衬底的分离,在一种制造半导体衬底的方法中包括:在表面具有多孔层的第一衬底上形成无孔半导体层,在其上形成绝缘层,将绝缘层键合到第二衬底上,分离多孔层,从而将绝缘层和无孔半导体层转移到第二衬底表面上,形成的第一多孔层具有低孔隙率,将第二多孔层的厚度降低到易破碎的程序,分离第一和第二衬底。
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公开(公告)号：CN1808282B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200610006404.7
申请日：2006-01-20
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70275
Abstract: 本发明公开了在物体上形成图案的曝光设备，其包括其中排列了每个至少包括一个光源的多个基本曝光单元和在物体上形成光源图像的光学元件的曝光头结构、检测物体表面位置的传感器，以及基于传感器的检测结果通过曝光头结构控制曝光的控制器。当选择性地操作满足预定条件的多个基本曝光单元之一时，所述控制器在物体上形成图案。
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公开(公告)号：CN100477072C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN03107555.X
申请日：1998-03-27
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67092 , H01L21/6838 , Y10T29/49821 , Y10T83/364 , Y10T156/1137 , Y10T156/1374 , Y10T156/1922 , Y10T156/1933 , Y10T156/1939
Abstract: 为分离由多个键合元件组成的组合元件而不将其破坏或损坏，从喷嘴对着组合元件喷射流体，以便在与键合位置不同的位置将组合元件分离成多个元件。
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公开(公告)号：CN1157762C
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN98102954.X
申请日：1998-03-27
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/67092 , H01L21/6838 , Y10T29/49821 , Y10T83/364 , Y10T156/1137 , Y10T156/1374 , Y10T156/1922 , Y10T156/1933 , Y10T156/1939
Abstract: 为分离由多个键合元件组成的组合元件而不将其破坏或损坏，从喷嘴对着组合元件喷射流体，以便在与键合位置不同的位置将组合元件分离成多个元件。
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公开(公告)号：CN1299150A
公开(公告)日：2001-06-13
申请号：CN00135339.X
申请日：2000-12-08
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/67092 , H01L21/76259 , Y10T156/1972
Abstract: 本发明涉及一种组合元件分离方法,在与第一元件(1)和第二元件(2)之间的键合界面不同的位置上,分离具有分离层(4)和在分离层(4)上的转换层(5)的第一元件(1)与第二元件(2)键合的组合元件该方法包括对组合元件的端面部分施加相对于界面非对称性的力而形成从第一元件(1)表面穿过转换层(5)延伸到分离层(4)的裂纹(7A)的步骤和然后沿着分离层(4)增长裂纹以致完全分离组合元件的步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1272684A
公开(公告)日：2000-11-08
申请号：CN00105306.X
申请日：2000-02-02
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/08
CPC classification number: H01L21/76259 , H01L21/76251
Abstract: 将具有多孔层的第一衬底键合到第二衬底上制备键合衬底叠层,在多孔层处将键合衬底叠层分成两个衬底,防止了分离步骤中存在的缺陷。该第一衬底内部具有多孔层(12),在多孔层上具有单晶硅层,在单晶硅层上具有SiO2层。将该衬底的外边缘部分氧化使单晶硅层的外边缘朝着内部进行再处理,其中单晶硅层(13a)的外边缘位于键合区域的外边缘之内。在多孔层(12)处将键合衬底叠层分成两个衬底。
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公开(公告)号：CN1264920A
公开(公告)日：2000-08-30
申请号：CN00101846.9
申请日：2000-02-02
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/08
CPC classification number: H01L21/67092 , H01L21/76259 , Y10T82/16 , Y10T82/16016 , Y10T82/16065
Abstract: 通过键合单晶硅层形成于多孔层上和绝缘层形成于单晶硅层上的第一衬底与第二衬底得到键合衬底叠片,在多孔层分离该键合衬底叠片时,防止了分离的衬底的外围发生锯齿缺陷。在一个方向(R)绕轴(C)使键合衬底叠片(30)旋转的同时,从喷嘴(112)喷射流体,并注入到键合衬底叠片(30)的多孔层,从而在多孔层将键合衬底叠片(30)分成两个衬底。在分离键合衬底叠片(30)的外围部分时,喷嘴(112)位于范围(B)内。
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公开(公告)号：CN1258092A
公开(公告)日：2000-06-28
申请号：CN99123434.0
申请日：1999-11-05
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/67196 , Y10S134/902
Abstract: 本发明是为了提供适合于制造例如SOI衬底的加工系统。加工系统包括,其上按大体上等角度间隔安装有用于保持键合衬底叠片的保持机械装置的转盘、用于使转盘在枢轴上转动预定角度以使由上述的保持机械装置保持的键合衬底叠片或分离的衬底移动到操作位置的驱动机械装置以及用于处理在操作位置上的键合衬底叠片或分离的衬底的定中心装置、分离装置和清洗/干燥装置。
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公开(公告)号：CN1254942A
公开(公告)日：2000-05-31
申请号：CN99123686.6
申请日：1999-11-05
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67092 , Y10T29/49821 , Y10T83/364 , Y10T156/1137 , Y10T156/1939
Abstract: 本发明提供了以高产率分离具有多孔层的粘合的基片叠的技术。涉及的分离设备有一对基片保持部从上下侧夹住粘合的基片叠且水平地保持其转动。由喷嘴喷出射流到基片叠的多孔层中,而于此多孔层将基片叠分离。另一分离设备则具有:一对基片保持部、将流体注入基片叠的多孔层的喷嘴、以及用来防止下基片保持部突发向下运动但在分离此粘合的基片叠时允许其适度运动的意外操作防止机构。
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公开(公告)号：CN1221972A
公开(公告)日：1999-07-07
申请号：CN98126328.3
申请日：1998-12-25
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 本发明的目的是提供一种用来在多孔层处分离具有多孔层的衬底的装置。具有多孔层(101b)的键合衬底叠层(101)在旋转的情况下由衬底固定部分(120,150)支持。高速高压的水(射流)从喷嘴(102)射出,使射流注入到键合衬底叠层(101)中。衬底固定部分(120,150)将键合衬底叠层(101)固定成使之由于注入的水的压力而能够在其中央部分膨胀。这就有效地施加了从键合衬底叠层(101)内部向外作用的力(分离力)。
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