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公开(公告)号:CN1264156A
公开(公告)日:2000-08-23
申请号:CN00101844.2
申请日:2000-02-02
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/76259 , H01L21/76251 , H01L2223/54493
Abstract: 键合第一与第二衬底而形成的键合衬底叠层被恰当地分离。具有内部多孔层以及多孔层上的单晶硅层和绝缘层的第一衬底(10)与第二衬底,在偏离中心位置的情况下紧密接触,以便制备具有突出部分的键合衬底叠层(30),第一衬底(10)的外边沿在突出部分处突出到第二衬底(20)的外边沿外面。首先,将流体喷射到突出部分以形成分离开始部分(40),然后,在旋转键合衬底叠层(30)时,从分离开始部分(40)开始分离。
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公开(公告)号:CN1264920A
公开(公告)日:2000-08-30
申请号:CN00101846.9
申请日:2000-02-02
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/08
CPC classification number: H01L21/67092 , H01L21/76259 , Y10T82/16 , Y10T82/16016 , Y10T82/16065
Abstract: 通过键合单晶硅层形成于多孔层上和绝缘层形成于单晶硅层上的第一衬底与第二衬底得到键合衬底叠片,在多孔层分离该键合衬底叠片时,防止了分离的衬底的外围发生锯齿缺陷。在一个方向(R)绕轴(C)使键合衬底叠片(30)旋转的同时,从喷嘴(112)喷射流体,并注入到键合衬底叠片(30)的多孔层,从而在多孔层将键合衬底叠片(30)分成两个衬底。在分离键合衬底叠片(30)的外围部分时,喷嘴(112)位于范围(B)内。
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