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公开(公告)号：CN102348827B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201080011190.7
申请日：2010-03-10
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: C04B35/453 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01B1/08 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022466 , C04B35/453 , C04B2235/3217 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C23C14/0036 , C23C14/086 , H01B1/08 , H01L31/022483 , H01L31/0236 , H01L31/02363 , H01L31/1884 , Y02E10/50 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明提供在制造高效率的硅系薄膜太阳能电池时有用的、耐氢还原性优异、光封闭效果优异的透明导电膜和使用其的透明导电膜层叠体及其制造方法，将该透明导电膜和使用其的透明导电膜层叠体作为电极使用的硅系薄膜太阳能电池。本发明提供透明导电膜等，该透明导电膜的特征在于，以氧化锌为主成分，且含有选自铝和镓中的1种以上的添加金属元素，其含量在下述式(1)所示的范围内，并且表面粗糙度(Ra)为35.0nm以上，表面电阻为65Ω/□以下。-[Al]+0.30≤[Ga]≤-2.68×[Al]+1.74(1)(其中，[Al]是由Al/(Zn+Al)的原子数比(％)表示的铝含量，另一方面，[Ga]是由Ga/(Zn+Ga)的原子数比(％)表示的镓含量)。
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公开(公告)号：CN102712995B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201180007032.9
申请日：2011-01-07
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: C23C14/08 , C23C14/24 , C04B35/01 , C04B35/64 , H01L31/0224 , H01L31/0392 , H01L31/0749
CPC classification number: H01L31/022466 , C04B35/01 , C04B35/6261 , C04B35/638 , C04B2235/3229 , C04B2235/3286 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6585 , C04B2235/6586 , C04B2235/75 , C04B2235/77 , C23C14/086 , C23C14/24 , H01L31/03923 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521 , Y10T428/21
Abstract: 本发明的目的是提供一种蒸镀用氧化物片（氧化物蒸镀材料）、使用该蒸镀用氧化物片制造的蒸镀薄膜以及太阳能电池。上述片由烧结体构成，所述烧结体以氧化铟为主要成分且含铈，并且没有进行烧结后的表面研磨加工，其特征在于，在将从烧结体表面到5μm的深度为止的表面层中的铈含量设为Ce/In原子数比（CompS）、烧结体整体中的铈含量的平均值设为Ce/In原子数比（CompA）时，CompS/CompA=0.9～1.1。
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公开(公告)号：CN102482154B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201080034731.8
申请日：2010-07-29
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: H01J37/3429 , C04B35/01 , C04B35/645 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5472 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6581 , C04B2235/6585 , C04B2235/6586 , C04B2235/668 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/95 , C04B2235/963 , C23C14/08 , C23C14/3414 , H01B1/08 , H01J1/00 , H01L31/022466 , H01L33/42
Abstract: 本发明提供离子镀用片料、为了获得离子镀用片料的最适合的氧化物烧结体和其制造方法，该离子镀用片料可以实现适用于蓝色LED或太阳能电池的透明导电膜的高速成膜和不产生飞溅的结节少的成膜。一种离子镀用片料，该离子镀用片料通过将氧化物烧结体加工而得到，该氧化物烧结体含有作为氧化物形式的铟和铈，铈的含量以Ce/(In+Ce)原子数比计为0.3～9原子％，其特征在于，该氧化物烧结体以方铁锰矿型结构的In2O3相为主结晶相，作为第二相的萤石型结构的CeO2相作为平均粒径3μm以下的结晶颗粒而进行微细地分散，氧化物烧结体通过下述方法制造：将含有氧化铟粉末和氧化铈粉末的平均粒径1.5μm以下的原料粉末混合后，对混合粉末进行成形，通过常压烧结法对成形物进行烧结，或者利用热压法对混合粉末进行成形并烧结。
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公开(公告)号：CN102482155B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201080034732.2
申请日：2010-07-29
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: H01J37/3429 , C04B35/01 , C04B35/645 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5472 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6581 , C04B2235/6585 , C04B2235/6586 , C04B2235/668 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/95 , C04B2235/963 , C23C14/08 , C23C14/3414 , H01B1/08 , H01J1/00 , H01L31/022466 , H01L33/42
Abstract: 本发明提供能够实现适合于蓝色LED及太阳能电池的透明导电膜的高速成膜和无结节成膜的溅射用靶、用于得到它的最佳氧化物烧结体及其制造方法。该氧化物烧结体是含有铟和铈作为氧化物，而且以氧化物的形式含有一种以上金属元素(M元素)，该金属元素从由钛、锆、铪、钼及钨组成的金属元素群组中选出，并且铈的含量以Ce/(In+Ce+M)原子数比计为0.3～9原子％、M元素的含量以M/(In+Ce+M)原子数比计为1原子％以下、铈和M元素的总含量以(Ce+M)/(In+Ce+M)原子数比计为9原子％以下，该氧化物烧结体以方铁锰矿型结构的In2O3相为主结晶相，作为第二相的萤石型结构的CeO2相作为平均粒径3μm以下的结晶颗粒进行细微地分散。
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公开(公告)号：CN103641449A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310524759.5
申请日：2008-07-02
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C03C17/245 , C04B35/01 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/76 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C23C14/086 , C23C14/3407 , H01B1/08 , Y10T428/24355 , Y10T428/268 , Y10T428/30 , Y10T428/31507 , Y10T428/31786 , Y10T428/31935
Abstract: 本发明提供可以实现高速成膜和无结节的溅射用靶或离子电镀用片料，用于得到它们的最佳氧化物烧结体及其制造方法，以及使用该氧化物烧结体得到的蓝光吸收少的低电阻透明导电膜。本发明提供的氧化物烧结体等的特征在于：在含有铟和镓作为氧化物的烧结体中，方铁锰矿型结构的In2O3相为主结晶相，在主结晶相中，β-Ga2O3型结构的GaInO3相、或GaInO3相和(Ga,In)2O3相以平均粒径为5μm以下的晶粒微细地分散，镓含量以Ga/(In+Ga)原子数比计，为10原子%以上、小于35原子%。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102543250A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110408371.X
申请日：2007-03-12
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: H01B1/08 , H01B5/14 , H01B13/00 , C04B35/453 , C04B35/457 , C23C14/34 , C23C14/32
CPC classification number: H01B1/08 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/6261 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6585 , C04B2235/6586 , C04B2235/664 , C04B2235/80
Abstract: 本发明涉及一种氧化物烧结体、靶电极、氧化物透明电极的制造方法以及氧化物透明导电膜，提供输入高直流电功率也不会产生电弧和裂缝、作为可发生溅射的靶电极而有用的、实质上由锌、锡和氧构成的氧化物烧结体，和快速形成氧化物透明导电膜的制造方法以及耐化学试剂性优良的氧化物透明导电膜。提供一种氧化物烧结体，是实质上由锌、锡和氧构成的氧化物烧结体，锡以Sn/(Zn+Sn)的原子数比计含有0.23～0.50，并且，主要由氧化锌晶体相和锡酸锌化合物晶体相构成，或者由锡酸锌化合物晶体相构成，实质上不含氧化锡晶体相或固溶锌的氧化锡晶体相。
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公开(公告)号：CN102482155A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080034732.2
申请日：2010-07-29
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: H01J37/3429 , C04B35/01 , C04B35/645 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5472 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6581 , C04B2235/6585 , C04B2235/6586 , C04B2235/668 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/95 , C04B2235/963 , C23C14/08 , C23C14/3414 , H01B1/08 , H01J1/00 , H01L31/022466 , H01L33/42
Abstract: 本发明提供能够实现适合于蓝色LED及太阳能电池的透明导电膜的高速成膜和无结节成膜的溅射用靶、用于得到它的最佳氧化物烧结体及其制造方法。该氧化物烧结体是含有铟和铈作为氧化物，而且以氧化物的形式含有一种以上金属元素(M元素)，该金属元素从由钛、锆、铪、钼及钨组成的金属元素群组中选出，并且铈的含量以Ce/(In+Ce+M)原子数比计为0.3～9原子％、M元素的含量以M/(In+Ce+M)原子数比计为1原子％以下、铈和M元素的总含量以(Ce+M)/(In+Ce+M)原子数比计为9原子％以下，该氧化物烧结体以方铁锰矿型结构的In2O3相为主结晶相，作为第二相的萤石型结构的CeO2相作为平均粒径3μm以下的结晶颗粒进行细微地分散。
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公开(公告)号：CN101960625A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200980107932.3
申请日：2009-03-05
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: H01L33/42 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供能够有效地输出蓝色光或紫外光的半导体发光元件以及使用该半导体发光元件的灯。在制造具有至少含p型半导体层的化合物半导体层和在该p型半导体层上设置的透明电极的半导体发光元件时，通过在上述p型半导体层上形成非晶质状态的由铟和镓构成的氧化物膜、或者形成非晶质状态的由铟、镓和锡构成的氧化物膜，从而形成透明导电膜，然后，在200～480℃的温度下对上述透明导电膜进行退火处理的工序，制造出半导体发光元件。
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公开(公告)号：CN101191843B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200710188282.2
申请日：2007-11-30
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: C23C14/205 , C23C14/0036 , C23C14/085 , C23C14/562 , Y10T428/12771 , Y10T428/12826 , Y10T428/12861 , Y10T428/12944 , Y10T428/24967 , Y10T428/26
Abstract: 本发明提供一种耐热遮光片及其制造方法、以及采用它的光圈或光量调节装置，该耐热遮光片作为数码照相机、数码摄像机的镜头快门等的快门叶片或光圈叶片或者投影仪的光量调节用光圈装置的光圈叶片等光学仪器部件使用，耐光性、耐热性、滑动性、低光泽性、导电性优良。该耐热遮光薄片特征在于：包括具有200℃以上的耐热性的树脂片基材(A)、在树脂片基材(A)一面或两面上通过溅射法形成的具有50nm以上厚度的Ni类金属膜(B)、在Ni类金属膜(B)上通过溅射法形成的低反射性Ni类氧化物膜(C)，并且表面粗糙度为0.1～0.7μm(算术平均高度Ra)。
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公开(公告)号：CN1938791B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200580010515.9
申请日：2005-09-13
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: C23C14/08 , C03C17/36 , C03C17/3647 , C23C14/086 , Y10T428/249921
Abstract: 本发明提供新的透明导电性薄膜叠层膜，其不仅在可见光区的透射率高、且具有低的表面电阻(6～500Ω/□)，而且在波长380～400nm的可见光短波长区或更短波长的300～380nm的近紫外区也兼具高的光透射率。金属薄膜11的表面被透明氧化物薄膜10、12覆盖的叠层结构的透明导电膜。透明氧化物薄膜10、12是主要由镓、铟和氧构成的非晶质氧化物薄膜、或者是主要由镓和氧构成的非晶质氧化物薄膜，透明氧化物薄膜10、12中所含的镓的比例相对于全部金属原子为35原子％以上100原子％以下。
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