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公开(公告)号：CN102668282B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201080059085.0
申请日：2010-11-12
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/1082 , H01S5/1085 , H01S5/16 , H01S5/3202 , H01S2301/14
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴的方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有表现出用于谐振镜的高质量且可实现低阈值电流的激光谐振器。成为激光谐振器的切断面(27、29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件11具有在m-n面与半极性面(17a)的交叉线方向延伸的激光波导路。因此，可利用能实现低阈值电流的能带跃迁的发光。切断面(27、29)自第1面(13a)的边缘(13c)延伸至第2面(13b)的边缘(13d)。切断面(27、29)通过在支撑基体背面具有刻划痕迹、以及来自外延面的挤压而形成。切断面(27、29)并非通过干式蚀刻而形成，与c面、m面或者a面等目前为止的解理面不同。
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公开(公告)号：CN102549859B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201080043433.5
申请日：2010-09-29
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/3202 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供一种元件寿命长的III族氮化物半导体激光器元件。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸的激光波导路。在激光波导路的两端，设有成为激光谐振器的第1及第2端面(26、28)。第1及第2端面(26、28)与m-n面(或a-n面)交叉。c+轴向量与波导路向量WV成锐角。该波导路向量WV与自第2端面(28)朝向第1端面(26)的方向对应。第2端面(28)上的第2电介质多层膜(C-侧)(43b)的厚度比第1端面(26)上的第1电介质多层膜(C+侧)(43a)的厚度薄。
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公开(公告)号：CN102696158B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201080060965.X
申请日：2010-11-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/3202 , B82Y20/00 , G01N21/62 , H01S5/0014 , H01S5/0202 , H01S5/1082 , H01S5/1085 , H01S5/20 , H01S5/2009 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴的方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有可实现低阈值电流的激光谐振器、并在用于该激光谐振器的元件端部具有可缩小芯片宽度的端部构造。激光器构造体(13)在一个切断面(27)上具有设于第1面(13a)的边缘(13c)的一部分的凹部(28、30)。凹部(28、30)各自包含残留在各个半导体元件上的刻划痕迹，这些半导体元件通过刻划槽所导引的切断而分离。凹部(28)具有位于第1面(13a)上的端部(28b)，而且凹部(30)具有位于第1面(13a)上的端部(30b)。第1凹部(28)的端部(28b)与激光条纹间的第1间隔(W1)，小于第2凹部(30)的端部(30b)与激光条纹间的第2间隔(W2)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102934302A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201080067314.3
申请日：2010-12-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/1085 , B82Y20/00 , H01L33/0045 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/0202 , H01S5/0208 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S5/3404 , H01S5/34333
Abstract: 提供一种可提高谐振镜的平坦性且可降低阈值电流的III族氮化物半导体激光器元件的制作方法。将基板产物(SP)的刻划槽(65a)的方向对准支撑装置(71)的边缘(71b)的延伸方向，以支撑装置(71)的边缘(71b)为基准将基板产物(SP)定位。基板产物(SP)以沿边缘(71b)延伸的基准线(X坐标A1)为界分为第1区域(70a)及第2区域(70b)。利用支撑面(70a)支撑基板产物(SP)的第1区域(70a)并按压第2区域(70b)而进行基板产物(SP)的分离，形成另一基板产物(SP1)及激光条(LB1)。将致断装置(69)的边缘(69a)的方向对准边缘(71b)的延伸方向，自与第2面(63b)交叉的方向将致断装置(69)的边缘(69a)抵压到基板产物(SP)。
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公开(公告)号：CN101984774B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN200980104006.0
申请日：2009-07-16
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/3202 , H01S2301/14
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其中，具有可在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴方向倾斜的支撑基体的半极性面上实现低阈值电流的激光谐振器。作为激光谐振器的第一及第二断裂面(27)、(29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有沿m-n面与半极性主面(17a)的交叉线方向延伸的激光波导。因此，可利用实现低阈值电流的能带跃迁的发光。在激光器结构体(13)中，第一面(13a)为第二面(13b)的相反侧的面。第一及第二断裂面(27)、(29)从第一面(13a)的边缘(13c)延伸至第二面(13b)的边缘(13d)。断裂面(27)、(29)不通过干蚀刻形成，与c面、m面或a面等现有的解理面不同。
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公开(公告)号：CN102696158A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201080060965.X
申请日：2010-11-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/3202 , B82Y20/00 , G01N21/62 , H01S5/0014 , H01S5/0202 , H01S5/1082 , H01S5/1085 , H01S5/20 , H01S5/2009 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴的方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有可实现低阈值电流的激光谐振器、并在用于该激光谐振器的元件端部具有可缩小芯片宽度的端部构造。激光器构造体(13)在一个切断面(27)上具有设于第1面(13a)的边缘(13c)的一部分的凹部(28、30)。凹部(28、30)各自包含残留在各个半导体元件上的刻划痕迹，这些半导体元件通过刻划槽所导引的切断而分离。凹部(28)具有位于第1面(13a)上的端部(28b)，而且凹部(30)具有位于第1面(13a)上的端部(30b)。第1凹部(28)的端部(28b)与激光条纹间的第1间隔(W1)，小于第2凹部(30)的端部(30b)与激光条纹间的第2间隔(W2)。
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公开(公告)号：CN102668282A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080059085.0
申请日：2010-11-12
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/1082 , H01S5/1085 , H01S5/16 , H01S5/3202 , H01S2301/14
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴的方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有表现出用于谐振镜的高质量且可实现低阈值电流的激光谐振器。成为激光谐振器的切断面(27、29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件11具有在m-n面与半极性面(17a)的交叉线方向延伸的激光波导路。因此，可利用能实现低阈值电流的能带跃迁的发光。切断面(27、29)自第1面(13a)的边缘(13c)延伸至第2面(13b)的边缘(13d)。切断面(27、29)通过在支撑基体背面具有刻划痕迹、以及来自外延面的挤压而形成。切断面(27、29)并非通过干式蚀刻而形成，与c面、m面或者a面等目前为止的解理面不同。
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公开(公告)号：CN102668279A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080058983.4
申请日：2010-11-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/3202 , H01S5/0014 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/1085 , H01S5/16 , H01S5/22 , H01S2301/14
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴的方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有可减少因返回光引起的干扰的激光谐振器。成为激光谐振器的第1及第2切断面(27、29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)中，为了利用可实现低阈值电流的能带跃迁的发光，而具有在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸的激光波导路。第1及第2切断面(27、29)自第1面(13a)的边缘(13c)延伸至第2面(13b)的边缘(13d)。切断面(27、29)并非通过干式蚀刻形成，与c面、m面或者a面等目前为止的解理面不同。角度α与角度β不同，角度α与角度β的差为0.1度以上。
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