公开(公告)号：CN107250085A

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201580077006.1

申请日：2015-12-24

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  国立大学法人京都大学

Inventor： 真岛正利 ,  俵山博匡 ,  平岩千寻 ,  东野孝浩 ,  野田阳平 ,  水原奈保 ,  宇田哲也 ,  韩东麟

IPC: C04B41/80 ,  C25B9/00 ,  C25B13/04 ,  H01M8/12 ,  H01M8/02 ,  H01M8/1016

Abstract: 根据本发明的制造陶瓷材料的方法包括在还原性气氛中对晶粒中扩散有金属氧化物的陶瓷材料进行热处理，从而还原金属氧化物，并且使金属元素在陶瓷材料的晶界处析出的步骤。

公开(公告)号：CN107112545A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580062497.2

申请日：2015-07-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 野田阳平 ,  真岛正利 ,  俵山博匡 ,  水原奈保 ,  平岩千寻 ,  东野孝浩

IPC: H01M4/88 ,  H01M4/86 ,  H01M8/02 ,  H01M8/12

Abstract: 本发明提供了一种能够提高固体氧化物燃料电池输出的阳极的制造方法。用于固体氧化物燃料电池的阳极的制造方法包括：第一步骤，将包含具有质子传导性的钙钛矿氧化物和镍化合物的混合物进行成型；以及第二步骤，在含有50体积％以上的氧气的气氛下，在1100℃至1350℃下燃烧在第一步骤中获得的成型物以形成阳极。

公开(公告)号：CN104285325B

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201380025016.1

申请日：2013-04-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 平岩千寻 ,  真岛正利 ,  山口笃 ,  水原奈保

IPC: H01M8/1213 ,  H01M8/1246 ,  H01M4/86 ,  H01M4/90 ,  H01M8/0232

CPC classification number: H01M8/2485 ,  H01M4/8621 ,  H01M4/905 ,  H01M4/9066 ,  H01M8/0232 ,  H01M8/1004 ,  H01M8/1213 ,  H01M8/1246 ,  H01M8/1253 ,  H01M2004/8684 ,  H01M2008/1095 ,  H01M2008/1293 ,  H01M2300/0082 ,  Y02E60/525 ,  Y02P70/56 ,  Y10T156/10

Abstract: 本发明解决了如下课题：提供了一种固体电解质层叠体以及制造这种固体电解质层叠体的方法，该固体电解质层叠体具有更高的强度，并且能够将大量气体供给至燃料电极。本发明提供了一种固体电解质层叠体(1)，其具有：固体电解质层(2)；层叠于所述固体电解质层的一侧的第一电极层(3)；以及层叠于所述固体电解质层的另一侧的第二电极层(4)。至少构成为燃料电极的第一电极层包括接合层(3a)和多孔层(3b)，其中所述接合层(3a)接合至所述固体电解质层，并且所述多孔层(3b)具有连通孔且一体地形成并层叠于所述接合层上。

公开(公告)号：CN101351579B

公开(公告)日：2011-11-02

申请号：CN200780001063.7

申请日：2007-03-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫永伦正 ,  水原奈保 ,  藤原伸介 ,  中幡英章 ,  川濑智博

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/00

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B23/00

Abstract: 一种III族氮化物单晶生长方法，该方法是一种通过升华以生长AlxGa1-xN单晶(4)的方法，包括步骤，将源材料(1)放置在坩埚(12)中；并且升华源材料(1)以在坩埚(12)中生长AlxGa1-xN(0＜x≤1)单晶(4)，其中源材料(1)包括AlyGa1-yN(0＜y≤1)源(2)和杂质元素(3)，并且杂质元素(3)为选自由IVb族元素和IIa族元素所组成的组中的至少之一。该生长方法使得能够稳定地生长具有低位错密度和良好的结晶度的III族氮化物体单晶。

公开(公告)号：CN101970708A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200980000384.4

申请日：2009-02-18

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤一成 ,  水原奈保 ,  谷崎圭祐 ,  宫永伦正 ,  樱田隆 ,  山本喜之 ,  中幡英章

IPC: C23C14/06 ,  C30B29/38

CPC classification number: C30B29/403 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/28 ,  C30B23/02

Abstract: 本发明公开了平坦且薄的AlN薄膜及所述AlN薄膜的制造方法。AlN薄膜(2)包含0.001wt％～10wt％的选自III族元素、IV族元素和V族元素中的一种以上添加元素。在真空室内设置AlN烧结体，并在基材(1)已经设置在真空室内的状态下用激光束对所述AlN烧结体进行照射而产生等离子体，利用该等离子体能够在所述基材(1)上形成所述AlN薄膜(2)，所述AlN烧结体包含0.001wt％～10wt％的选自III族元素、IV族元素和V族元素中的一种以上添加元素。

公开(公告)号：CN101932758A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200880125981.5

申请日：2008-12-24

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫永伦正 ,  水原奈保 ,  谷崎圭祐 ,  川濑智博 ,  中幡英章

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/06 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B23/025 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明公开了一种生长大型高品质的AlxGa1-xN单晶的方法。具体公开了生长AlxGa1-xN单晶的方法，其包括：准备AlyGa1-yN(0＜y≤1)晶种(4)的步骤，所述晶种的晶体直径D mm和厚度T mm符合下列关系式：T＜0.003D+0.15；以及通过升华生长法在所述AlyGa1-yN晶种(4)的主表面(4m)上生长AlxGa1-xN(0＜x≤1)单晶(5)的步骤。

公开(公告)号：CN101484617A

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200780025231.6

申请日：2007-06-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 水原奈保 ,  川濑智博 ,  宫永伦正

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/20 ,  H01L21/203 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B23/02 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明提供了AlN晶体衬底的制造方法，由此能够制造大尺度、高品质的AlN晶体衬底；本发明提供了AlN晶体的生长方法，由此能够生长具有优异结晶度的大尺寸AlN；还提供了由通过该生长方法生长的AlN晶体构成的AlN晶体衬底。本发明提供了AlN晶体衬底的制造方法，包括：相对于异质衬底的直径r，利用升华法在异质衬底上生长厚度为0.4r以上的AlN晶体的步骤；和从距所述异质衬底不少于200μm的AlN晶体区域内形成AlN晶体衬底的步骤。另外，还提供通过升华法在利用该制造方法制造的AlN晶体衬底上生长AlN晶体的AlN晶体生长方法，并提供由通过该生长方法生长的AlN晶体构成的AlN晶体衬底。

公开(公告)号：CN101233265A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200680027936.7

申请日：2006-07-10

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 水原奈保 ,  宫永伦正 ,  川濑智博 ,  藤原伸介

IPC: C30B29/38

CPC classification number: C30B23/02 ,  C30B23/066 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  Y10T428/2982

Abstract: 提供大直径跨距AlN晶体、生长AlN晶体的方法以及AlN晶体衬底，该AlN晶体可应用到不同类型的半导体器件，具有良好的结晶度。该AlN晶体生长方法是这样的一种方法，其中通过气相外延在放置在提供在反应腔内的晶体生长器皿(12)内的晶体生长室(24)内部的籽晶衬底(2)上生长AlN晶体(4)，并且其特征在于：在晶体生长期间，将含碳气体提供到晶体生长室(24)的内部。

公开(公告)号：CN115461900B

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202180031900.0

申请日：2021-05-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 东野孝浩 ,  野田阳平 ,  水原奈保 ,  小川光靖 ,  俵山博匡 ,  真岛正利 ,  舟越安纪子

IPC: H01M8/1246 ,  H01B1/06 ,  H01B1/08 ,  H01M8/12 ,  H01M8/1213 ,  H01M8/124 ,  C25B9/00 ,  C25B1/02 ,  C25B1/042 ,  C25B9/19

Abstract: 本发明为一种质子传导型电池单元结构体，其具有空气电极、氢电极以及介于空气电极和氢电极之间的固态电解质层，上述固态电解质层至少包含由致密质构成的第一固态电解质层，上述第一固态电解质层包含具有钙钛矿型结构且由下述式(1)表示的金属氧化物，该第一固态电解质层的空气电极侧的表面附近的Sr相对于Ba和Sr的合计量的比率为0.4以上，并且该第一固态电解质层的氢电极侧的表面附近的Sr相对于Ba和Sr的合计量的比率为0.003以上且0.3以下。Bax1Srx2A1‑yMyO3‑δ(1)。

公开(公告)号：CN115336052A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202180025442.X

申请日：2021-01-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 沼田昂真 ,  真岛正利 ,  小川光靖 ,  水原奈保 ,  野田阳平

IPC: H01M8/0232 ,  H01M8/0247 ,  H01M8/12 ,  H01M8/1213 ,  H01M8/0245

Abstract: 电化学电池装置具备：电池，具有第一主面和第一主面的相对面即第二主面；第一集电体，具有与第一主面对向的第三主面；及第二集电体，具有与第二主面对向的第四主面。电池从第二主面朝向第一主面凸地翘曲。第三主面在与第一主面的中央部对向的位置包含凹部。第四主面在与第二主面的中央部对向的位置包含凸部。第一集电体及第二集电体的各自由至少1张金属多孔体片构成，该至少1张金属多孔体片由具有三维网眼构造的骨架的金属多孔体构成。第一主面的中央部包含在以使第二主面与平坦的基准面对向的方式将电池配置于基准面上时距基准面的距离最大的第一主面的部分。第二主面的中央部包含在以使第二主面与基准面对向的方式将电池配置于基准面上时距基准面的距离最大的第二主面的部分。