半导体制造装置用保持体
    21.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1557015A

    公开(公告)日:2004-12-22

    申请号:CN03801108.5

    申请日:2003-03-06

    CPC classification number: H01L21/68792 H01L21/67103

    Abstract: 一种半导体制造用保持体,被设置在接受反应气体的处理室内,该半导体制造装置用保持体具有:将被处理物10保持在表面的同时具备用于对被处理物进行加热的电阻发热体2的陶瓷制保持体1、和一端在被处理物保持表面以外的部位支持该陶瓷制保持体1而另一端被固定在处理室上的支持构件6,且设置在该陶瓷制保持体1的被处理物保持表面以外的部位的电阻发热体2的电极端子3以及引出线4被收容在绝缘管5内。根据本发明提供用于对埋设在保持体内的电阻发热体供电的电极端子以及引出线不会发生漏电和打火并且在保持体中可以获得±1.0%以内的均热性的半导体制造装置用保持体。

    制造半导体或液晶的装置
    22.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1522314A

    公开(公告)日:2004-08-18

    申请号:CN03800603.0

    申请日:2003-02-26

    Abstract: 一种制造半导体或液晶的装置中,在反应室1内加给反应气体,陶瓷托架2具有嵌入其中的电阻加热元件7。陶瓷圆柱形支承部件3的一端支承陶瓷托架2,另一端被固定在反应室1的一部分上。惰性气体供送管4和惰性气体排气管5每一个都在圆柱形支承部件3内有开口。最好使圆柱形支承部件3内的惰性气体保持在小于0.1Mpa(一个大气压)。采用这样的布置,无需加给抗氧化密封或抗腐蚀密封,即可以防止设在陶瓷托架后表面上的各电极的氧化和腐蚀。这种制造半导体或液晶的装置还保证陶瓷托架中热的均匀性,并压缩损失的能耗。此外,还能减小装置的尺寸,并降低制造成本。

    半导体或液晶制造装置
    23.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1514888A

    公开(公告)日:2004-07-21

    申请号:CN03800369.4

    申请日:2003-03-03

    Abstract: 一种制造半导体或液晶的装置,其在反应容器9中备有,其内部埋设有阻抗发热体3的陶瓷保持体1、一端2a支持陶瓷保持体1而另一端2b被固定在反应容器9上的筒状支持部件2;筒状支持部件2的一端2a与陶瓷保持体1之间气密性结合,同时另一端2b侧在内部被隔板6和密封材料7气密密封。这种半导体或液晶制造装置,优选使筒状保持体2内的被陶瓷保持体1和隔板6划分的空间形成真空或惰性气体减压气氛下。在具有上记结构的半导体或液晶制造装置中,筒状支持部件容易进行气密密封,能够防止在陶瓷保持体的背面露出的电极端子4被腐蚀和氧化,而且在提高保持体均热性的同时还能提高热效率。

    一种陶瓷基座
    24.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1453095A

    公开(公告)日:2003-11-05

    申请号:CN03122977.8

    申请日:2003-04-23

    CPC classification number: H01L21/67103 H05B3/143 H05B3/265

    Abstract: 一种陶瓷基座,其固定晶片面具有很好的等温性,适用于半导体装置和液晶装置。在盘状烧结体1中,设置电阻加热元件2。烧结陶瓷体外边界1a和电阻加热区域外边界2a之间的拉伸距离L的变化范围为±0.8%,固定晶片面的整个表面的额定等温线变化范围在±1.0%左右,并且当所述的L控制在±0.5%时,额定等温线控制在±0.5%。

    用于加工设备的工件固定器和使用该固定器的加工设备

    公开(公告)号:CN1452232A

    公开(公告)日:2003-10-29

    申请号:CN03107447.2

    申请日:2003-03-20

    Abstract: 提供一种不昂贵的具有高的可靠性的工件固定器和一种设有工件固定器的加工设备,其能防止由空气中的氧所引起的损坏。固定器包括:陶瓷体,其具有电极和加热器电路并能够固定工件;管形件,其具有连接至陶瓷体的末端部分;密封件,其放在管形件的内部并将管形件的内部空间分成两个区域:在第一末端部分的区域(“密封部分”)和在相对侧的区域(“相对区域”);和电源导电元件,其从相对区域侧,穿过密封件至密封区域侧,并与电极和加热器电路电气连接。

    半导体生产系统用的陶瓷加热器

    公开(公告)号:CN1613274A

    公开(公告)日:2005-05-04

    申请号:CN03801911.6

    申请日:2003-03-20

    CPC classification number: H01L21/68757 H01L21/67103 H05B3/143

    Abstract: 提供了一种用于半导体制造设备的陶瓷基座,其中通过控制基座形状——特别是正常温度下外径沿着厚度——的波动,提高了在加热操作过程中晶片表面的温度均匀性。这种用于半导体制造设备的陶瓷基座(1),在其陶瓷基片(2a)、(2b)的表面或内部有电阻加热元件(3)。不加热时陶瓷基座沿厚度的最大外径和最小外径之差为沿晶片载面的平均直径的0.8%或更小。陶瓷基座(1)还可在其陶瓷基片(2a)、(2b)的表面或内部安排等离子体电极。陶瓷基片(2a)、(2b)优选由至少一种选自氮化铝、氮化硅、氮氧化铝、和碳化硅的陶瓷制造。

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