公开(公告)号：CN114824070B

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202210370901.4

申请日：2022-04-11

Applicant: 之江实验室

Inventor： 王一休 ,  杨青 ,  张亮 ,  李凌 ,  付翔 ,  高兴俊

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种基于二维碲烯掺杂铜二价阳离子的忆阻器及其制备方法，包括基底，所述基底上设有忆阻层，所述忆阻层为掺杂铜二价阳离子的二维碲烯；步骤S1：二维碲烯溶液；步骤S2：制备硝酸铜溶液；步骤S3：将所述硝酸铜溶液滴加到所述含有单晶二维碲烯的溶液形成混合溶液中；步骤S4：制备二维碲烯掺杂铜二价阳离子的基底；步骤S5：制备出一种基于二维碲烯掺杂铜二价阳离子的忆阻器。本发明利用小直径铜离子原位掺入二维单质碲烯晶格后，形成碲化物共价键和游离态阳离子的弛豫，过程所产生的游离态阳离子随着外电场的控制而形成导电通道，从而实现二维碲烯微纳忆阻晶体管更加稳定和均一的忆阻特征。

公开(公告)号：CN114735684A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202210663705.6

申请日：2022-06-14

Applicant: 之江实验室

Inventor： 张亮 ,  王一休 ,  杨青 ,  李凌 ,  付翔 ,  高兴俊 ,  庄圆

IPC: C01B32/186 ,  C01B32/196

Abstract: 本发明涉及一种石墨烯粉末的制备方法，包括：（1）将按照一定比例混合后的纳米级氧化镁粉末和微米级铜粉放入化学气相沉积设备中，在一定的工艺条件下生长石墨烯，得到石墨烯包覆的粉体材料；（2）把生长好石墨烯的粉末取出进行后处理工艺，刻蚀掉氧化镁基底，得到石墨烯悬浮液；（3）取出石墨烯悬浮液并利用离心提取法得到石墨烯粉末，使用乙醇多次清洗后，烘干初步得到石墨烯粉末；（4）把烘干后的石墨烯粉末放入球磨或砂磨机中，研磨2‑4小时，得到均匀的石墨烯粉末，此方法成本低，易于工艺放大，可用于大量制备工业级石墨烯粉末，其制备的石墨烯粉末具有较大的片层面积，较高的电导率和导热系数，可用作添加材料。

公开(公告)号：CN117012630B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202311257516.X

申请日：2023-09-27

Applicant: 之江实验室

Inventor： 王一休 ,  杨青 ,  付翔 ,  李凌 ,  张亮

IPC: H01L21/12 ,  H01L21/06 ,  H01L29/786 ,  H05K1/18

Abstract: 本发明公开了一种基于双氧水氧化的场效应晶体管栅极电介质的制备方法，所述制备方法包括：提供二维碲烯；将二维碲烯置于硅/二氧化硅基底上，得到第一样品；在第一样品的两端制备源极和漏极，得到两端器件；在源极和漏极间生成场效应晶体管栅极电介质：清洗两端器件，并放入体积浓度大于等于3%的双氧水溶液中3‑4小时，烘干、冷却。本发明方法利用碲自身氧化的特征，在沟道层上面形成一直致密的氧化膜电介质层，该方法简单、易于重复，并且制备出的栅极对电流的控制能力较强，本发明为碲烯未来工业化大规模的应用提供了一个新的技术手段。

公开(公告)号：CN115295676A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202210990649.7

申请日：2022-08-18

Applicant: 之江实验室

Inventor： 李凌 ,  王一休 ,  付翔 ,  张亮 ,  高兴俊 ,  杨青

IPC: H01L31/18 ,  C23C16/06 ,  C23C16/30 ,  C23C16/52 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/109

Abstract: 本发明公开了一种高光响应Te/MoS2异质结的光探测器及其制备方法，通过对二维Te和MoS2晶面的准确控制，形成了不同二维Te和MoS2的异质结堆叠方式，实验结果结合第一性原理的仿真计算分析，确定了形成I型和II型能带排列结构的Te/MoS2异质结的制备方法，由于I型能带排列结构的Te/MoS2异质结中光生电子和光生空穴在内建电场的作用下均向能带较窄的二维Te材料转移，使得光生电子‑空穴对的复合几率较II型能带排列结构高得多，降低了光生载流子的寿命，减小了光电流的大小，不利于光探测能力的提升，所以需要选择具有II型能带排列结构的Te/MoS2异质结来制备高光响应度的光探测器。

公开(公告)号：CN114742808A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202210436665.1

申请日：2022-04-25

Applicant: 之江实验室

Inventor： 高兴俊 ,  李凌 ,  付翔 ,  王一休 ,  张亮

IPC: G06T7/00 ,  G06T3/40 ,  G06T5/50 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08

Abstract: 本发明公开了一种基于LSTM模型的平场预测方法和装置，包括以下步骤：步骤S1：转化为灰度图；步骤S2：模拟得到新图像；步骤S3：利用KLL算法计算得到中心平场图像；步骤S4：利用KLL算法计算得到各边界补偿图像；步骤S5：得到平场数据；步骤S6：将所述平场预测算法数据库构建LSTM预测模型，加载所需预测模型的现有序列数据，得到训练进度图及最终的预测结果。本发明解决了平场很不容易进行在轨校正，对依赖像素间相关性的算法处理影响显著的难题，通过建立LSTM时序预测模型，定期对在轨太阳成像观测仪器进行平场定标，逐渐进行预测，探究其变化规律及趋势，为后续长期校准工作提供参考。