公开(公告)号：CN103367153B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201210093379.6

申请日：2012-03-31

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 三重野文健

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/04

Abstract: 一种鳍式场效应管的形成方法，包括：提供第一半导体衬底，位于所述第一半导体衬底表面的第二半导体衬底，贯穿所述第二半导体衬底的氧化层，所述第一半导体衬底的晶面指数与待形成的鳍式场效应管的类型相对应；形成覆盖所述第二半导体衬底的掩膜层，所述掩膜层具有多个暴露出所述氧化层的第一开口；沿所述第一开口刻蚀所述氧化层直至暴露出第一半导体衬底；刻蚀所述氧化层后，形成位于所述第一半导体衬底表面的鳍部，所述鳍部具有与所述第一半导体衬底相同的晶面指数。本发明实施例形成的鳍式场效应管的沟道区的载流子迁移率高，鳍式场效应管的性能稳定。

公开(公告)号：CN104752211A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201310745705.1

申请日：2013-12-30

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 三重野文健

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/36 ,  H01L29/7851

Abstract: 一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，其中，所述鳍式场效应晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有鳍部，所述鳍部的顶部和侧壁表面形成有栅极结构，所述栅极结构的两侧侧壁形成有侧墙；刻蚀栅极结构两侧的鳍部，在栅极结构两侧的鳍部内形成凹槽；在凹槽的侧壁和底部形成第一半导体层，所述第一半导体层中掺杂有杂质离子；在第一半导体层上形成第二半导体层，所述第二半导体层填充凹槽，所述第二半导体层中掺杂有杂质离子，第二半导体层中掺杂的杂质离子的浓度大于第一半导体层中掺杂的杂质离子浓度。第一半导体层和第二半导体层中的杂质离子浓度均匀分布，提高了鳍式场效应晶体管的性能。

公开(公告)号：CN104733311A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201310698622.1

申请日：2013-12-18

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 三重野文健

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/823821 ,  H01L29/66795

Abstract: 一种鳍式场效应晶体管的形成方法，所述鳍式场效应晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有NMOS区域和PMOS区域，PMOS区域上形成有第一鳍部，NMOS区域上形成有第二鳍部；在半导体衬底上形成第一介质层；在第一介质层表面形成横跨所述第一鳍部和第二鳍部的栅极结构；采用流动性化学气相沉积工艺在第一介质层上形成第二介质层；去除栅极结构两侧的第一鳍部顶部的部分第二介质层，暴露出第一鳍部的顶部表面；在所述第一鳍部表面形成第一半导体层；在第二半导体层表面形成氧化层；去除栅极结构两侧的第二鳍部顶部的部分第二介质层，暴露出第二鳍部的顶部表面；在第二鳍部表面形成第二半导体层。

公开(公告)号：CN104701214A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201310646453.7

申请日：2013-12-04

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 三重野文健

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/673 ,  H01L21/687

CPC classification number: H01L21/67155 ,  H01L21/673 ,  H01L21/677 ,  H01L21/67703 ,  H01L21/67736 ,  H01L21/683

Abstract: 一种半导体处理系统，所述半导体处理系统包括：两个以上的操作单元，所述操作单元内具有机械手，用于夹取待处理晶圆；每个操作单元至少与两个以上的处理腔室连接，所述处理腔室用于对晶圆进行处理；相邻操作单元之间通过传输单元或处理腔室连接，并且至少有两个相邻操作单元之间通过传输单元连接，所述传输单元内具有载物台，用于放置待处理晶圆，并且所述传输单元作为待处理晶圆的传输通道。所述半导体处理系统可以提高晶圆处理的效率。

公开(公告)号：CN104681489A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201310612561.2

申请日：2013-11-26

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 三重野文健

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/8238 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66477

Abstract: 一种CMOS晶体管的形成方法，所述形成方法包括：提供半导体衬底，包括NMOS区域和PMOS区域，位于所述NMOS区域表面的第一凹槽，位于所述PMOS区域表面的第二凹槽；在第一凹槽和第二凹槽的内壁表面以及介质层表面依次形成栅介质材料层、第一金属层、第二金属层、第三金属层；形成填充第一凹槽和第二凹槽的覆盖材料层，覆盖材料层的材料为绝缘介质材料；去除NMOS区域上的覆盖材料层；去除第二凹槽内部分厚度的覆盖材料层，形成覆盖层；去除第一凹槽内、介质层上方以及覆盖层上方的第二凹槽内的第三金属层、第二金属层；去除覆盖层，在第一凹槽和第二凹槽内形成第一栅极和第二栅极。上述方法可以提高CMOS晶体管的性能。

公开(公告)号：CN103187308B

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201110453500.7

申请日：2011-12-29

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 三重野文健

IPC: H01L21/337 ,  H01L29/06 ,  H01L29/808

Abstract: 一种结型场效应管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有阱区；形成位于所述阱区表面的第一绝缘层，所述第一绝缘层具有贯穿其厚度的应力衬垫层图形；以所述第一绝缘层为掩膜，沿所述应力衬垫层图形刻蚀所述阱区和部分厚度的半导体衬底，形成第一开口；向所述第一开口内填充满应力衬垫层；形成第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述应力衬垫层、第一绝缘层和部分阱区，且所述第二绝缘层内定义出第一子栅图形；沿所述第一子栅图形，向所述阱区和半导体衬底内注入离子，于半导体衬底和阱区交界处形成第一子栅。本发明实施例形成的结型场效应管的载流子迁移率高，性能好。

公开(公告)号：CN104576663A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201310505156.0

申请日：2013-10-23

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 三重野文健

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感单元及其形成方法，所述图像传感单元的形成方法包括：提供基底，所述基底内形成有金属插塞，所述金属插塞的表面与基底表面齐平；形成覆盖所述基底表面和金属插塞表面的介质层；在所述介质层表面形成具有开口的掩膜层，所述开口位于金属插塞表面正上方；沿所述开口，刻蚀所述介质层，形成凹槽，所述凹槽底部暴露出金属插塞的顶部表面；去除所述掩膜层；在所述凹槽内壁表面形成像素电极层；在所述像素电极层表面形成填充满所述凹槽并覆盖所述介质层的有机光电转换层。上述方法可以提高图像传感单元的性能。

公开(公告)号：CN104518090A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201310455828.1

申请日：2013-09-29

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 三重野文健

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/48

CPC classification number: Y02E10/549 ,  H01L27/307 ,  H01L51/441

Abstract: 一种图像传感单元及其形成方法，所述图像传感单元的形成方法包括：提供像素电极材料层；对所述像素电极材料层进行处理形成像素电极，所述像素电极的表面凹凸不平，具有凸起结构；在所述像素电极表面形成有机光电转换层。上述方法可以提高图像传感单元的性能。

公开(公告)号：CN104282540A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201310277133.9

申请日：2013-07-03

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 三重野文健

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L21/823437 ,  H01L21/28026 ,  H01L21/82345 ,  H01L27/088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/78

Abstract: 一种晶体管及其形成方法，所述晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底第一区域表面形成第一伪栅结构，在半导体衬底第二区域表面形成第二伪栅结构；在所述第一伪栅结构和第二伪栅结构的侧壁表面形成阻挡层、位于所述阻挡层表面的含氧元素的第一绝缘层、位于所述第一绝缘层表面的第二绝缘层；去除所述第一伪栅结构和第二伪栅结构，形成第一凹槽和第二凹槽；去除所述第二凹槽侧壁表面阻挡层；在所述第一凹槽内壁的阻挡层表面形成第一栅极结构；在所述第二凹槽内壁的第一绝缘层表面形成第二栅极结构。所述晶体管的形成方法，在半导体衬底第一区域和第二区域形成不同阈值电压的晶体管，工艺步骤简单，提高晶体管的性能。

公开(公告)号：CN104218150A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201310224060.7

申请日：2013-06-05

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 三重野文健

IPC: H01L43/12

Abstract: 一种磁性随机存储器单元的形成方法，磁性随机存储器单元的形成方法包括：提供衬底，衬底表面具有介质层；在介质层内形成凹槽；依次形成位于凹槽内壁和介质层表面的底部导电材料层、隧道结材料层、顶部导电材料层，并且位于凹槽底部正上方的顶部导电材料层的表面低于所述介质层的表面；在所述顶部导电材料层表面形成盖帽层；以介质层为研磨停止层，进行平坦化处理，暴露出介质层的表面和沿凹槽侧壁方向的底部导电材料层、隧道结材料层、顶部导电材料层的部分表面；去除介质层，以所述剩余的盖帽层为掩膜，刻蚀顶部导电材料层、隧道结材料层和底部导电材料层，形成顶部导电层、隧道结层和底部导电层。所述方法可以提高磁性随机存储器单元的性能。